固体电解电容器制造方法技术

技术编号:3122037 阅读:182 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种高比容固体钽电解电容器的制造方法。本方法的特征是在硝酸锰半导体母液中添加五硼酸铵,其量为硝酸锰半导体母液重量的0.1~1%,高热分解的温度为200°~250℃。本法工艺简便,半导体母液对钽阳极多孔体润湿性高,二氧化锰被覆率高,成品漏电流低,高温(+85℃)容量变化小,提高了产品耐压能力及合格率和其使用寿命。(*该技术在2007年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及固体电解电容器的制造方法,更具体地说是关于二氧化锰层形成的方法。固体电解电容器的制造方法是将具有阀作用的金属钽、铌、钛中的任何一种金属的粉末例如钽粉压制成多孔坯块,在1500°~2100℃,真空度为1.33×10-1pa~1.33×10-2pa(1×10-4mm~1×10-5mm汞柱)进行高温烧结,形成多孔烧结体,将此多孔烧结体在电解液内(例如磷酸水溶液中)进行阳极氧化,使其表面上生成介电氧化膜(例如五氧化二钽膜)作为固体电解电容器的电解质,再将经阳极氧化的作为阳极的多孔体浸渍在硝酸锰半导体母液中,然后于水蒸汽气氛中进行高温热分解,在介电氧化膜上被覆上二氧化锰层(阴极膜层制备,即被膜)后再依次被覆石墨、导电金属层(例如银层)作为阴极,最后组装成固体电解电容器,经老炼而制成产品。在固体电解电容器中例如固体钽电解电容器,半导体层直接与介电氧化膜接触,不仅起导电的作用,而且对钽氧化膜上的疵点有修复作用,当疵点处出现大的漏电电流时,二氧化锰转变为三氧化锰或四氧化三锰,绝缘电阻增加,对漏电流起阻塞作用,防止固体电解电容器短路失效,因此在固体钽电解电容器中二氧化锰层的制备(亦称被膜)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固体电解电容器的制造方法,由具有阀作用的金属粉制成多孔烧结体,阳极氧化在多孔烧结体的表面形成阳极氧化膜,再将其浸渍在硝酸锰半导体母液中,浸渍后于高温水蒸汽气氛中进行高温热分解,被膜后,再依次被覆石墨层、金属层、装配、老炼而成产品,本专利技术的特征是,所说的固体电解电容器为高比容固体钽电解电容器,金属粉是高比电容金属钽粉,所说的硝酸锰半导体母液中硝酸锰的浓度为20~50%(重量百分数),在硝酸锰半导体母液中添加五硼酸铵(NH↓〔4〕B↓〔5〕O↓〔8〕.4H↓〔2〕O),添加五硼酸铵的量为硝酸锰半导体母液重量的0.1~1%,添加剂五硼酸铵只须在1~3次被膜时加入,高温热分解的温度为200℃~...

【技术特征摘要】
1.一种固体电解电容器的制造方法,由具有阀作用的金属粉制成多孔烧结体,阳极氧化在多孔烧结体的表面形成阳极氧化膜,再将其浸渍在硝酸锰半导体母液中,浸渍后于高温水蒸汽气氛中进行高温热分解,被膜后,再依次被覆石墨层、金属层、装配、老炼而成产品,本发明的特征是,所说的固体电解电容器为高比容固体钽电解电容器,金属粉是高比电容金属钽粉,所说的硝酸锰半导体母液中硝酸锰的浓度为20~50%(重量百分数),在硝酸锰...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘人敏吴国良张晨南王洪基张和平李月南
申请(专利权)人:北京有色金属研究总院
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

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