一种可集成多功能湿光敏元件及其制造方法技术

技术编号:3121807 阅读:176 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术是一种可集成的多功能湿光敏元件及其制造方法。其方法是在硅外延片或硅单晶片上采用氩离子镀膜技术与硅平面工艺的兼容性制成含有MIOS电容器与薄膜平面电阻器构成的复合结构,其敏感膜是在SiO↓[2]/Si衬底上用氩离子镀膜技术镀上钛酸镧锶或钛酸镧钡。本湿光敏元件由铝电极、管座电极、敏感膜、二氧化硅层、硅外延层、硅衬底、金膜层、管座封装在一起构成。本方法为元件集成微型化提供可能;本元件结构独特、多功能,便于工业化生产,产品质量高。(*该技术在2018年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是一种可集成多功能湿、光敏元件及其制造方法,属微电子
,特别涉及敏感元件的制备技术。敏感元件及传感器是一个国家的工业基础之一,发展敏感元件及传感器,能加速工业现代化的进程,促进国民经济的发展。世界各国对敏感元件及传感器的研究非常重视,湿、光敏元件及传感器乃属重要的发展内容。目前湿、光敏元件及传感器应用比较普遍,但现有的敏感元件为分立式结构,体积较大,不利于微型化和集成化。本专利技术的目的就是为了克服现有敏感元件为分立式结构、体积较大、不利于微型化和集成化,研究设计及制造一种有较稳定的化学物理特性、体积小、便于工业化生产、能够微型化的可集成多功能湿光敏元件及其制造方法。本专利技术是通过下述的制造方法方案和可集成多功能湿光敏元件的结构技术方案来实现的本湿光敏元件制造方法是在硅外延片或硅单晶片上热生长二氧化硅层,采用离子束镀膜技术与硅平面工艺的兼容性,在一定的工艺条件下,制成一个含有MIOS电容器与薄膜型平面电阻器组成的复合结构,其敏感膜是在SiO2/Si衬底上用离子束镀膜技术镀上钛酸镧锶Sr1-xLaxTiO3或钛酸镧钡Ba1-xLaxTiO3;这里的一定工艺条件,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可集成多功能湿光敏元件,其特征在于:它由铝电极(1)、(2),管座电极(3)、钛酸镧锶Sr↓[1-x]La↓[x]TiO↓[3]或钛酸镧钡Ba↓[1-x]La↓[x]TiO↓[3]敏感膜(4)、二氧化硅SiO↓[2]层(5)、n-Si硅外延层(6)、n↑[+]-SiO硅衬底(7)、Au金膜层(8)、管座(9)构成,其相互位置及连接关系为:在硅n/n↑[+]外延片(层)(6)、(7)上通过热生长生长成二氧化硅SiO↓[2]层(5),接着用离子束镀膜技术镀上钛酸镧锶Sr↓[1-x]La↓[x]TiO↓[3]或钛酸镧钡Ba↓[1-x]La↓[x]TiO↓[3]敏感膜(4),再用硅平面工艺制作上部...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种可集成多功能湿光敏元件,其特征在于它由铝电极(1)、(2),管座电极(3)、钛酸镧锶Sr1-xLaxTiO3或钛酸镧钡Ba1-xLaxTiO3敏感膜(4)、二氧化硅SiO2层(5)、n-Si硅外延层(6)、n+-SiO硅衬底(7)、Au金膜层(8)、管座(9)构成,其相互位置及连接关系为在硅n/n+外延片(层)(6)、(7)上通过热生长生长成二氧化硅SiO2层(5),接着用离子束镀膜技术镀上钛酸镧锶Sr1-xLaxTiO3或钛酸镧钡Ba1-xLaxTiO3敏感膜(4),再用硅平面工艺制作上部铝电极(1)、(2)和背面欧姆接触金膜层(8),管座电极(3)烧焊在管座(9)底部,最后安装在管座(9)上并压焊内引线。2.一种可集成多功能湿光敏元件的制造方法,其特征在于它是...

【专利技术属性】
技术研发人员:李观启曾勇彪曾绍鸿黄美浅黄钊洪
申请(专利权)人:华南理工大学
类型:发明
国别省市:81[中国|广州]

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