【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及叠层电容器等当中使用的电介质陶瓷。在叠层电容器等所使用的以BaTiO3作为主成分的电介质陶瓷中，为确保高的介电常数和良好的温度特性，据认为，将晶粒作成构成核的强介电物质部分和构成包围核的壳的常介电物质部分共存的核·壳结构是有效的。为形成这种核壳结构的常介电物质部分，添加Mg。可是，在历来的添加Mg的核壳结构中，由于对Mg的分布不进行特别的控制，使Mg比较深地扩散。因此，不能得到介电常数充分高、且具有良好温度特性的电介质陶瓷。也就是说，伴随叠层电容器的大容量化，电介质层向薄层化进展，所要求的质量水平极高，但由于过去的电介质陶瓷，不能使叠层电容器的质量得到充分的提高。本专利技术的目的在于，提供一种介电常数充分高、并具有良好温度特性的电介质陶瓷。为解决上述课题，达到上述目的，本专利技术涉及的是一种电介质陶瓷，它是含有由ABO3构成的主成分[其中A表示由Ba(钡)、Ba(钡)+Ca(钙)、Ba(钡)+Ca(钙)+Sr(锶)选择的1种，B表示由Ti(钛)、Ti(钛)+Zr(锆)、Ti(钛)+R(稀土类元素)、Ti(钛)+Zr(锆)+R(稀土类元素)选择的...
【技术保护点】
电介质陶瓷，它是含有由ＡＢＯ↓［３］构成的主成分［其中Ａ表示由Ｂａ（钡）、Ｂａ（钡）＋Ｃａ（钙）、Ｂａ（钡）＋Ｃａ（钙）＋Ｓｒ（锶）选择的１种，Ｂ表示由Ｔｉ（钛）、Ｔｉ（钛）＋Ｚｒ（锆）、Ｔｉ（钛）＋Ｒ（稀土类元素）、Ｔｉ（钛）＋Ｚｒ（锆）＋Ｒ（稀土类元素）选择的１种｛其中Ｒ是由Ｓｃ（钪）、Ｙ（钇）、Ｇｄ（钆）、Ｄｙ（镝）、Ｈｏ（钬）、Ｅｒ（铒）、Ｙｂ（镱）、Ｔｂ（铽）、Ｔｍ（铥）、Ｌｕ（镥）等选择的１种以上的稀土类元素｝，Ｏ表示氧］，和至少含Ｍｇ（镁）的添加成分的电介质陶瓷，其特征在于，上述电介质陶瓷的晶粒中的Ｍｇ的分布层，在平均粒径的上述晶粒中，由上述晶粒的表面到相对于...
【技术特征摘要】
JP 1997-5-6 132851/971．电介质陶瓷，它是含有由ABO3构成的主成分[其中A表示由Ba(钡)、Ba(钡)+Ca(钙)、Ba(钡)+Ca(钙)+Sr(锶)选择的1种，B表示由Ti(钛)、Ti(钛)+Zr(锆)、Ti(钛)+R(稀土类元素)、Ti(钛)+Zr(锆)+R(稀土类元素)选择的1种｛其中R是由Sc(钪)、Y(钇)、Gd(钆)、Dy(镝)、Ho(钬)、Er(铒)、Yb(镱)、Tb(铽)、Tm(铥)、Lu(镥)等选择的1种以上的稀土类元素｝，O表示氧]，和至少含Mg(镁)的添加成分的电介质陶瓷，其特征在于，上述电介质陶瓷的晶粒中的Mg的分布层，在平均粒径的上述晶粒中，由上述晶粒的表面到相对于上述晶粒直径5％～30％的深度的区域形成。2．权利要求1所述的电介质陶瓷，其特征在于，上述添加成分还包括Li2O(氧化锂)、SiO2(氧化硅)...
【专利技术属性】
技术研发人员：井口喜章，本多睦美，岸弘志，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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