电容器及其制造方法技术

技术编号:3120652 阅读:171 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
在玻璃、陶瓷等具有电绝缘性、耐热性的基板1上通过真空蒸镀装置成膜第1导电膜2,电介质膜3,第2导电膜4,第1、第2导电膜2、4具有大面积的电极板部2a、4a和端子部2b、4b,电介质膜3完全覆盖至少第1导电膜2的电极板部2a、4a,电介质膜3通过露出形成上述端子部2b、4b的部位来层叠。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种,尤其涉及一种耐热性良好且薄型、大容量的。
技术介绍
电容器是利用电介质插进电极板而构成的电子产品,如众所周知,其静电容量(C)用等式C=εo×ε×S÷d(εo=真空介电常数,ε=电介质相对介电常数,S=电极板面积,d=电极间距)表示。其中由于εo是恒定的,因此为增大静电容量(C),可增大ε或S或者减小d。而且,在薄的塑料薄膜表面上蒸镀铝且使其卷绕成圆筒形容器的同时进行封油而构成的作为具有大静电容量的电容器向来得以广泛使用。作为具有高静电容量的小型紧凑结构的电容器,例如电双层电容器向来是公知的(例如参照特许文献1)。此电双层电容器设置有保持浸渍在正极层叠带和负极层叠带间的电解液中的隔离板,且通过卷绕这些正机层叠带、隔离板和负极层叠带来构成电极卷绕体。这样,通过卷绕由正极层叠带、隔离板和负极层叠带构成的电极卷绕带来实施确保高静电容量和电容器的小型化。特许文献1特开2002-134370号公报然而具有这样的问题,即由于一般使用塑料薄膜和油等作为如上所述的在电双层电容器中使用的隔离板,因此具有耐热性差、在高温状态使用时烧损的可能性,而且一旦烧损,即使返回到常温状态也不能实现作为电容器的功能。另外还具有这样的问题,即由于使用薄膜作为电介质,因此具有一定程度的厚度,对缩短电极间距存在限制等。另外如上所述,在构成为湿式电容器的情况中,为防止漏液必须设置有密封装置,为此构成的电容器还具有变得复杂等这样的不方便。
技术实现思路
鉴于如上所述的问题,本专利技术的目的是提供一种电容器,此电容器通过在基板上利用真空蒸镀的成膜装置依次层叠构成电容器的电介质和电极元件而形成,此电容器具有优良的耐热性,又获得其体积的小型化,而且确保实现高静电容量。为实现上述目的,根据本专利技术的电容器的特征在于,此电容器由耐热性优良且具有电绝缘性的基板,和在基板上通过真空蒸镀装置形成、且由电极板部和端子部构成的第1导电膜,和通过真空蒸镀装置覆盖上述第1导电膜的电极板部整体且露出上述端子部地在此第1导电膜上层叠的电介质膜,以及通过真空蒸镀装置在上述电介质膜上层叠的、且不与上述第1导电膜中的电极板部短路地相对设置的电极板部,和与在上述第1导电膜上形成的端子部不同位置地设置的端子部构成的第2导电膜构成。在本专利技术中关键为,构成电容器的相对置的电极板和为形成其间距的电介质都通过真空蒸镀的成膜装置构成。另外使构成最外层的第2导电膜不随意露出,最好再在此第2导电膜上通过真空蒸镀装置层叠覆盖此第2导电膜的电极板部整体且露出第1、第2导电膜的端子部的电介质膜。另外为增大静电容量,可以通过把第1导电膜、在此第1导电膜上层叠的电介质膜、第2导电膜和在此第2导电膜上层叠的电介质膜作为1个蒸镀膜层叠单元地在基板上形成多个蒸镀膜层叠单元,并且如果此多个蒸镀膜层叠单元不只在基板的一面而在两面形成,则可以再增大静电容量。另外,其中虽然也可以在基板表面上直接形成第1导电膜,但为保持电容器和此基板间的隔离状态,也可以形成成为基底的电介质膜。另外,作为本专利技术的电容器的制造方法的特征在于,在耐热性优良且具有电绝缘性的基板上通过使用真空蒸镀装置形成具有电极板部和端子部的第1导电膜,在此第1导电膜上通过真空蒸镀装置覆盖此电极板部整体且露出上述端子部地层叠电介质膜,再在此电介质膜上通过实施真空蒸镀来层叠由不与上述第1导电膜中的电极板部短路地相对设置的电极板部、和与在上述第1导电膜上形成的端子部不同位置地设置的端子部而构成的第2导电膜。另外在蒸镀这些第1导电膜、电介质膜和第2导电膜时,为限定蒸镀区域最好使用掩模装置。在此电容器的制造方法中,可以在基板上通过真空蒸镀装置形成基底用的电介质膜,接着通过依次层叠上述第1导电膜、在此第1导电膜上层叠的电介质膜、第2导电膜和在此第2导电膜上层叠的电介质膜来形成1个蒸镀膜层叠单元,以及使此蒸镀膜层叠单元形成多个单元,另外也可以在基板的两面上形成这些多个蒸镀膜层叠单元。另外,在基板的两面上形成多个蒸镀膜单元的情况中,如果通过真空蒸镀的成膜在基板的一面和另一面上交替实施,则可以防止增大相对于基板的应力。虽然最好是玻璃、陶瓷、合成树脂等具有电绝缘性的部件作为基板的材料,但假如在表面上进行绝缘处理的话,也可以由例如金属等导电部件形成。另外第1、第2导电膜是可以蒸镀的金属即可,例如合适的是铂金、金、银、钯和这些的合金,铜、铝、镍和这些的合金等。另外为形成透明的电容器,可以使用ITO(氧化铟锡)。另一方面,作为包括基底的电介质膜可以使用Ta2O5、SiO2、TiO2、Al2O3、MgF等。根据本专利技术的电容器可以确保高静电容量和实现电容器的高性能化。另外由于通过成膜形成电容器的各部件,因此可以实现薄型化和小型化,而且可以形成任意的图案形状。另外由于基板和在此基板上层叠的蒸镀膜都具有高耐热性,因此可以获得具有高耐热性的电容器。附图说明图1是示出本专利技术一实施方式的概略结构图。图2是图1的分解三维图。图3是在形成导电膜时使用的屏蔽板的结构说明图。图4是在形成电介质膜时使用的屏蔽板的结构说明图。图5是示出本专利技术第1实施例中的电容器的等效电路图。图6是分解示出本专利技术实施例1中的电容器的导电膜和电介质膜的正视图。图7是分解示出本专利技术实施例2中的电容器的导电膜和电介质膜的正视图。符号说明1 基板 2 第1导电膜2a 电极板部2b 端子部3 电介质膜4 第2导电膜4a 电极板部4b 端子部5、6 屏蔽板10 蒸镀膜层叠单元具体实施方式如图1和图2所示,本专利技术的电容器通过在如玻璃、陶瓷等具有电绝缘性、耐热性的基板1上蒸镀第1导电膜2,在此第1导电膜2上蒸镀电介质膜3,再在电介质膜3上蒸镀第2导电膜4构成。第1、第2导电膜2、4具有大面积的电极板2a、4a和端子部2b、4b,另外电介质膜3具有完全覆盖至少第1导电膜2的电极板部2a、4a的面积。但电介质膜3通过露出形成上述端子部2b、4b的部位来层叠。另外优选地,在成为上部侧电极的第2导电膜4上,虽未图示,但层叠与电介质膜3尺寸实质相同的电介质膜。虽然此最外层电介质膜在用树脂等进行封装所制造的电容器的情况下未必必要,但最好为作为保护膜的功能而形成。虽然第1、第2导电膜2、4也可以使用不同材料,但为简化制造过程,最好相同材料。作为这种材料,虽然使用例如具有导电性的金属,特别是铝等适于真空蒸镀的金属材料,但在对电容器要求透明性的情况下,可以通过ITO膜来形成。另一方面,虽然电介质膜3也可以使用二氧化硅(SiO2)等,但最好使用作为介电常数高且绝缘率大的材料的氧化钽(Ta2O5)。为减小上述电极间距(d),虽然希望电介质膜3尽可能的薄膜化,但如果使电介质膜3极端薄膜化,则因耐电压特性下降而部分发生短路等,发生绝缘破坏的可能性变高。因此最好具有一定程度的厚度,即500nm到500nm以上的厚度。相对于此,第1、第2导电膜2、4可比电介质膜3薄膜化,例如也可以是200nm到200nm以下的厚度。另外,基板1的厚度具有不因成膜时产生的应力而变形的厚度即可,可以在此范围内尽可能的薄。虽然第1导电膜2、电介质膜3和第2导电膜4通过真空蒸镀依次层叠,但通过使第1、第2导电膜2、4的电极板部2a、4a比电介质膜3的面积小,且使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容器,其特征在于,所述电容器由耐热性优良且具有电绝缘性的基板,通过真空蒸镀装置在基板上形成的、由电极板部和端子部构成的第1导电膜,通过真空蒸镀装置在此第1导电膜上层叠的电介质膜,它覆盖上述第1导电膜的电极板部整 体且露出上述端子部,通过真空蒸镀装置在上述电介质膜上层叠的,由不与上述第1导电膜中的电极板部短路地相对设置的电极板部、和与在上述第1导电膜上形成的端子部不同位置地设置的端子部构成的第2导电膜。

【技术特征摘要】
JP 2003-12-10 2003-4115081.一种电容器,其特征在于,所述电容器由耐热性优良且具有电绝缘性的基板,通过真空蒸镀装置在基板上形成的、由电极板部和端子部构成的第1导电膜,通过真空蒸镀装置在此第1导电膜上层叠的电介质膜,它覆盖上述第1导电膜的电极板部整体且露出上述端子部,通过真空蒸镀装置在上述电介质膜上层叠的,由不与上述第1导电膜中的电极板部短路地相对设置的电极板部、和与在上述第1导电膜上形成的端子部不同位置地设置的端子部构成的第2导电膜。2.根据权利要求1记载的电容器,其特征在于,在上述第2导电膜上有层叠由电绝缘材料构成的保护膜,覆盖上述第2导电膜的电极板部整体且露出上述第1、第2导电膜的端子部。3.根据权利要求1记载的电容器,其特征在于,使上述第1导电膜、在此第1导电膜上层叠的电介质膜、第2导电膜和在此第2导电膜上层叠的电介质膜作为1个蒸镀膜层叠单元,并在上述基板上通过层叠来形成多个蒸镀膜层叠单元。4.根据权利要求3记载的电容器,其特征在于,在上述基板的两面上形成有多个蒸镀膜层叠单元。5.根据权利要求1记载的电容器,其特征在于,使在上述基板的两侧上形成的多个蒸镀膜层叠单元中的所有第1端子部和所有第2端子部电气连接。6.根据权利要求1至权利要求5之一记载的电容器,其特征在于,在上述基板和上述第1导电膜之间通过真空蒸镀装置插入基底用的电介质膜。7.根据权利要求3记载的电容器,其特征在于,用透明材料形成上述基板,且...

【专利技术属性】
技术研发人员:仓桥肇片山操
申请(专利权)人:富士能佐野株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术
  • 暂无相关专利