【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种制造电容器的设备，更具体地，涉及通过真空汽相沉积 制造多层片状电容器的方法和设备。
技术介绍
通常，在便携电子设备中，例如个人数字助理(PDA)、液晶显示器 (LCD)、等离子显示板(PDP)、手机、MP3播放器、存储器、数码相机、 便携摄像机、多媒体播放器或类似的电子设备，其中的电路元件随着便携电 子装置小型化和多功能化的发展趋势而逐渐减小。最近，有关其小型化的研 究一直在持续进行。电路元件中的电容器难以小型化和做薄，但最近研究和开发了一种多层 片状电容器，这是一种随着体积的明显减小能够保持所需电容和击穿电压的电容器.在下面的例子中将描述用传统方法制造多层片状电容器的基本过程。多层片状电容器的制造包括以下过程重量％或摩尔％的主元件粉末与 介电层和内电极层的粘结剂的混合过程，用于均匀分布和最小化的研磨过 程，按照图案执行介电层的干燥过程或印刷过程，在形成介电层之后执行的 粘结剂干燥过程，按照所述图案执行导电层的喷雾干燥过程或喷雾印刷过 程，在形成内电极之后执行的粘结剂干燥过程，重复所述印刷过程和所述干 燥过程以达到预定电容的过程，在达到所需电容...
【技术保护点】
一种通过以多层片状形式沉积介电层和导电层来制造多层片状电容器的方法，其中所述导电层的宽度比介电层的宽度窄，所述方法包括：定位介电层沉积源垂直于具有多个缝隙的单阴罩，并定位导电层沉积源倾斜于所述单阴罩；以及通过蒸发来自各个沉积源的蒸发粒子，使该蒸发粒子穿过缝隙并沉积在衬底上，从而形成介电层和导电层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2005-6-21 10-2005-0053559;KR 2006-6-19 10-2006-1.一种通过以多层片状形式沉积介电层和导电层来制造多层片状电容器的方法，其中所述导电层的宽度比介电层的宽度窄，所述方法包括定位介电层沉积源垂直于具有多个缝隙的单阴罩，并定位导电层沉积源倾斜于所述单阴罩；以及通过蒸发来自各个沉积源的蒸发粒子，使该蒸发粒子穿过缝隙并沉积在衬底上，从而形成介电层和导电层。2. 根据权利要求1所述的制造多层片状电容器的方法，其中用于倾斜 地定位导电层沉积源的沉积角的范围是沿垂直于阴罩的方向从5度到45度。3. 根据权利要求1所述的制造多层片状电容器的方法，还包括移动掩 模组，其中根据在沉积导电层和介电层的过程中导电层和介电层的层增高速 率，沿高度方向安装阴罩。4. 根据权利要求1所述的制造多层片状电容器的方法，还包括每隔预 定的时间周期，反复控制在导电层和介电层的沉积过程中阴罩与衬底分离， 以及根据沉积层的增高速率精确调节向上分离的阴罩的位置。5. 根据权利要求1所述的制造多层片状电容器的方法，还包括控制掩 模组沿高度方向移动以便在形成沉积层之后防止形成在衬底上的沉积层被 阴罩损坏，以及控制掩模组与衬底分离，并沿定义为宽度方向和纵向的水平 方向定位。6. 根据权利要求1所述的制造多层片状电容器的方法，其中阴罩的缝 隙的宽度方向截面是平行四边形，而阴罩的缝隙的纵向截面是梯形。7. 根据权利要求1所述的制造多层片状电容器的方法，其中阴罩的缝 隙的截面是平行四边形、带台阶的平行四边形、梯形和带台阶的梯形之一。8. —种通过根据权利要求1所述的制造多层片状电容器的方法制造的 多层片状电容器。9. 一种通过以多层片状形式沉积介电层和导电层来制造多层片状电容器的方法，其中所述导电层的宽度比介电层的宽度窄，所述方法包括调节和设置装在掩模组上自转和公转并具有多个缝隙的单阴罩之间的 距离；定位介电层沉积源垂直于所述单阴罩，并定位导电层沉积源倾斜于所述 单阴罩；以及在控制掩模组沿X轴、Y轴和Z轴(X轴是宽度方向，Y轴是纵向，Z 轴是高度方向)移动的同时，通过真空沉积形成介电层和导电层。10. 根据权利要求9所述的制造多层片状电容器的方法，还包括在进行 所述设置之前在衬底上形成可热分解的释放层。11. 根据权利要求9所述的制造多层片状电容器的方法，还包括控制掩 模组沿高度方向移动以便在形成沉积层之后防止形成在衬底上的沉积层被 阴罩损坏，以及控制掩模组与衬底分离，并沿定义为宽度方向和纵向的水平 方向定位。12. —种通过以多层片状形式沉积介电层和导电层来制造多层片状电容 器的方法，其中所述导电层的宽度比介电层的宽度窄，所述方法包括 通过移动上掩模组和下掩模组形成用于形成所需沉积层的缝隙图案，其 中所述上掩模组和下掩模组分别包括具有多个缝隙的阴罩且彼此面对；以及通过蒸发来自各个沉积源的蒸发粒子，使该蒸发粒子穿过缝隙图案并沉 积在衬底上，从而形成介电层和导电层。13. 根据权利要求12所述的制造多层片状电容器的方法，还包括移动掩模组，其中根据在沉积导电层和介电层的过程中导电层和介电层的层增高 速率，沿高度方向安装阴罩。14. 根据权利要求12所述的制造多层片状电容器的方法，还包括每隔预定的时间周期，反复控制在导电层和介电层的沉积过程中阴罩与衬底分 离，以及根据沉积层的增高速率精确调节向上分离的阴罩的位置。15. 根据权利要求12所述的制造多层片状电容器的方法，还包括控制 掩模组沿高度方向移动以便在形成沉积层之后防止形成在衬底上的沉积层 被阴罩损坏，以及控制掩模组与衬底分离，并沿定义为宽度方向和纵向的水 平方向定位。16. —种通过根据权利要求12所述的制造多层片状电容器的方法制造 的多层片状电容器。17. —种通过以多层片状形式沉积介电层和导电层来制造多层片状电容 器的方法，其中所述导电层的宽度比介电层的宽度窄，所述方法包括调节和设置上阴罩和下阴罩的零点以及上阴罩和下阴罩与衬...
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