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本发明通过设置包括具有多个缝隙的阴罩的单掩模组与沉积源之间的沉积角来进行真空沉积，从而在一次产生的真空状态下一次形成下端子层、介电层、内电极层和上端子层，或者通过使分别包括具有多个缝隙的阴罩并彼此面对的上掩模组和下掩模组相对移动来调节缝隙图...
该专利属于世向产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过世向产业株式会社授权不得商用。

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