一种真空电容传感器介质膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种真空电容传感器介质膜的制备方法，真空电容传感器是图形发射器磁带机一个重要组成器件，容易发生介质膜破损，本发明专利技术通过选介质膜、刻红膜、蒸铝、光刻极板、安装、调试等步骤制作一个新膜以代替破损的旧膜，制造方法简单，成本低，仅为十几元，且新膜的耐磨性能好，安装方便。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种真空电容传感器介质膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1.1、选介质膜：根据真空电容传感器的旧膜参数选取1.2、刻红膜:根据所选红膜尺寸，在其上刻相同的图形1.3、蒸铝:在选好的介质膜上蒸一层铝，电阻控制在10‑30欧姆1.4、光刻极板:在蒸好铝的膜上均上一层感光膜胶，放入烘箱烘干，用刻好的红膜对其复印、曝光、显影、腐蚀、去胶。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：鞠洪建，
申请(专利权)人：大连康赛谱科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21