【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术是一种超高压三绕组调压变压器结构，适用于单相或三相超高压三绕组变压器，特别是自耦调压变压器，属于变压器一种结构。在已有的超高压调压变压器，尤其是三绕组自耦调压变压器，为适应低阻抗的要求，一般采用旁轭调压的方式。其不足之处是不但需要增加一个激磁绕组，多用了材料又增加了损耗，而且使铁心结构复杂，增加了制造难度；这一方法只能适用于单相变压器，对三相变压器就无能为力了。本技术的目的在于提供一种既能克服上述已有技术中的旁轭调压的不足之处又能保留其优点，不仅适用于单相变压器又能适用于三相变压器的一种超高压三绕组调压变压器结构。本技术的目的可以通过以下措施来达到在变压器铁心的主心柱1的外侧沿周围由里向外依次置有低压绕组2、中压绕组或公共绕组3、高压绕组或串联绕组4、调压绕组5，调压绕组5分上下两部组成分别置于靠近高压绕组或串联绕组4的上端和下端，调压绕组5这两部分在电气上可以采用串联或并联。本技术比现有技术有如下优点由于将调压绕组5由原旁轭位置移到主心柱1高压绕组或串联绕组4外径侧并靠近其端部占据未被充分利用的位置，旁轭的调压绕组已没有存在的必要了，旁轭到主心柱的距离可以相应地减小，提高了铁心窗口的利用系数，使变压器结构更加紧凑，因此本技术节省材料、降低了损耗、减小了制造工时，并能满足了单相或三相低阻抗调压变压器的要求。附图的图面说明如下附图说明图1现有旁轭调压单相变压器结构。图中在主心柱1周围由内向外依次置有低压绕组2、中压绕组或公共绕组3、高压绕组或串联绕组4，在一个旁轭7周围由内向外依次置有激磁绕组6、调压绕组5。图2本技术单相绕组布置。图3本技术三相...
【技术保护点】
一种超高压三绕组调压变压器结构，适用于单相或三相超高压三绕组变压器，特别是自耦调压变压器，其特征是：在变压器铁心的主心柱１的外侧沿周围由里向外依次置有低压绕组２、中压绕组或公共绕组３、高压绕组或串联绕组４、调压绕组５，调压绕组５分上下两部分组成，分别置于靠近高压绕组或串联绕组的上端和下端，这两部分在电气上可以采用串联或并联。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种超高压三绕组调压变压器结构，适用于单相或三相超高压三绕组变压器，特别是自耦调压变压器，其特征是在变压器铁心的主心柱1的外侧沿周围由里向外依次置有低压绕组2、...
【专利技术属性】
技术研发人员：李文海，周重芝，
申请(专利权)人：沈阳变压器厂，
类型：实用新型
国别省市：89[中国|沈阳]
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