一种外延设备的生长腔室制造技术

本发明专利技术公开了一种外延设备的生长腔室，用于外延生长，包括：腔室本体，呈水平设置的圆柱状；承托组件，用于承托并驱动衬底旋转使衬底进行外延生长；所述腔室本体内设有两个以上的反应腔，两个以上的反应腔为竖向排列，每个所述反应腔内均设有所述承托组件；该外延设备的生长腔室为外延设备中的高温反应装置，其内设有两个以上的反应腔，而每个反应腔中均设置有用于承托衬底的承托组件，使得本申请实施例的生长腔室能在同一个腔室本体中提供两个以上的反应空间，在对应的反应腔内置入衬底便能同时进行多个外延片的外延生长工艺，在保证外延厚度、掺杂均匀性的前提下，显著地提高了外延设备的产能，并有效地降低设备成本。并有效地降低设备成本。并有效地降低设备成本。

【技术实现步骤摘要】
一种外延设备的生长腔室


[0001]本申请涉及外延生长
，具体而言，涉及一种外延设备的生长腔室。

技术介绍

[0002]碳化硅（SiC）外延生长的方法包括化学气相淀积(CVD)、液相外延(LPE)、分子束外延(MBE)、等离子化学气相淀积(ECR
‑
MPCVD)等多种方法，其中 CVD技术是目前碳化硅外延生长的主要方法。
[0003]现有的卧式CVD外延设备中，利用一个水平设置的生长腔室，然后通过水平导入反应气体，使反应气体在高温的生长腔室内沉积在衬底中进行碳化硅外延生长。
[0004]生长腔室为碳化硅外延生长的反应空间，同时也是碳化硅外延生长设备的高温加热器，为碳化硅外延生长提供了高温、均匀稳定的温场，因此生长腔室是外延设备中的核心部件。
[0005]现有的卧式CVD外延设备的生长腔室只能形成一个扁腔区域作为外延生长反应空间，每次只有一片衬底进行外延生长，而外延设备的组成部件均价格昂贵，单片式设备虽然外延厚度、掺杂均匀性好，相对地，存在产能不足、设备相对成本高的缺点。
>[0006]针对上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外延设备的生长腔室，用于外延生长，其特征在于，包括：腔室本体；承托组件（1），用于承托并驱动衬底旋转使衬底进行外延生长；所述腔室本体呈水平设置的圆柱状，所述腔室本体内设有两个以上的反应腔（2），两个以上的反应腔（2）为竖向排列，每个所述反应腔（2）内均设有所述承托组件（1）。2.根据权利要求1所述的一种外延设备的生长腔室，其特征在于，所述腔室本体包括：保温层（3），用于对反应腔（2）进行保温；内部加热器（4），设于保温层（3）内，用于在外部感应线圈的通电下感应加热；进气法兰（5），设于内部加热器（4）一侧，用于对反应腔（2）输入反应气体；出气法兰（6），设于内部加热器（4）另一侧，用于协助反应腔（2）排气；两个以上的反应腔（2）设于所述内部加热器（4）内，所述内部加热器（4）内设有朝承托组件（1）提供旋转动力气体的气旋进气管道（7）。3.根据权利要求2所述的一种外延设备的生长腔室，其特征在于，所述反应腔（2）设有两个，所述内部加热器（4）包括由上至下依次设置的上加热器（41）、中加热器（42）和下加热器（43），两个所述反应腔（2）分别设于所述上加热器（41）与所述中加热器（42）之间和所述中加热器（42）与所述下加热器（43）之间。4.根据权利要求3所述的一种外延设备的生长腔室，其特征在于，所述上加热器（41）和下加热器（43）大小一...

【专利技术属性】
技术研发人员：王慧勇，孔倩茵，唐卓睿，
申请(专利权)人：季华恒一佛山半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：