一种利用原子层沉积技术快速生长Ni制造技术

本发明专利技术公开了一种利用原子层沉积技术快速生长Ni

【技术实现步骤摘要】
一种利用原子层沉积技术快速生长Ni
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C薄膜的方法


[0001]本专利技术涉及一种利用原子层沉积技术快速生长Ni
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C薄膜的方法，属于纳米材料领域。

技术介绍

[0002]Ni
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C(碳化镍)具有独特的电子结构，金属元素Ni的d轨道与碳元素的s轨道/p轨道之间的杂化能产生更高的费米能级电子云密度，类似于金属铂的d轨道，因此，它可作为贵金属电催化剂的替代物，在电能储存、氧还原和析氢反应中表现出优异的电催化性能。要获得优良的Ni
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C纳米材料，通常需要将Ni
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C设计成尺寸和形貌可控的结构。合成Ni
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C的方法有热解法、磁控溅射、离子液体辅助水热法、化学气相沉积等；但这些方法合成的Ni
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C存在均匀性低、致密性低和形貌难可控等问题。
[0003]目前，ALD逐渐成为制备纳米结构材料的前沿技术。ALD技术是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应室并在沉积基体上发生表面化学反应形成薄膜的一种方法，具有自限制和自饱和的特点，具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种利用原子层沉积技术快速生长Ni
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C薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将衬底置于原子层沉积设备的反应腔中，先将Ni前驱体加热进行气化得到气相Ni前驱体，再以脉冲形式通入气相Ni前驱体进行沉积，沉积温度为200～350℃，即可得到沉积有Ni前驱体的衬底，所述Ni前驱体为具有式1所示结构的化合物：(2)向体系中充入高纯氮气或高纯氩气进行吹扫；(3)将气相碳源以脉冲形式通入原子层沉积设备的反应腔，与步骤(1)得到的沉积在衬底上的Ni前驱体进行单原子反应，得到含单原子层Ni
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C薄膜的衬底；(4)向体系中充入高纯氮气或高纯氩气进行吹扫，即完成一个ALD生长循环；重复(1)
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(4)若干次数，即可得到生长有Ni
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C薄膜的衬底。2.根据权利要求1所述的一种利用原子层沉积技术快速生长Ni
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C薄膜的方法，其特征在于，沉积过程在真空条件下进行。3.根据权利要求1或2所述的一种利用原子层沉积技术快速生长Ni
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C薄膜的方法，其特征在于，所述衬底包括硅、氧化硅、氮化硅、TaN、SrTiO3中的一种或几种。4.根据权利要求1～3任一所述的一种利用原子层沉积技术快速生长Ni
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C薄膜的方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁玉强，何冬梅，杜立永，
申请(专利权)人：江南大学，
类型：发明
国别省市：