可局部定向沉积SiC涂层的CVD装置及沉积方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种可局部定向沉积SiC涂层的CVD装置，属于半导体薄膜材料技术领域。包括进气通道、沉积系统和排气通道；所述沉积系统由恒温腔室、及设置在所述恒温腔室内的高透明的石英腔体和激光发射装置构成。本发明专利技术提供的装置可实现产品任意局部定向沉积SiC涂层，或对已沉积的SiC涂层缺陷进行修复。对已沉积的SiC涂层缺陷进行修复。对已沉积的SiC涂层缺陷进行修复。

【技术实现步骤摘要】
可局部定向沉积SiC涂层的CVD装置及沉积方法


[0001]本专利技术属于半导体薄膜材料
，具体涉及一种可局部定向沉积SiC涂层的CVD装置及沉积方法。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(CVD)是一种制备无机材料的气相生长方法，它是把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室，借助空间气相化学反应在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术。CVD已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料，这些材料包括氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也包括III
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V、II
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IV、IV
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VI族中的二元或多元的元素间化合物，这些沉积出的材料的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制，化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域。CVD的机理是将气态反应物加热到一定温度并保持一定压力下发生化学反应，在沉积炉内生成固态物质沉积在固态基体表面。CVD SiC已经广泛用于碳化硅涂层和碳化硅陶瓷基复合材料的制备，被认为是碳化硅最佳的制备方法。
[0003本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可局部定向沉积SiC涂层的CVD装置，其特征在于，包括进气通道(21)、沉积系统和排气通道(22)；所述沉积系统由恒温腔室(1)、及设置在所述恒温腔室内的高透明的石英腔体(2)和激光发射装置(4)构成，所述激光发射装置(4)设置于所述石英腔体(2)的上方；所述激光发射装置(4)包括：导轨(41)，水平设置于所述恒温腔室(1)内，且与所述恒温腔室(1)内侧壁转动连接；激光发射器(40)；可移动连接于所述导轨(41)上，所述激光发射器(40)发射出的激光对准所述石英腔体(2)内部空间；所述进气通道(21)一端接入气源，另一端伸入恒温腔室(1)，并与石英腔体(2)一侧连通；所述排气通道(22)一端与石英腔体(2)位于与所述进气通道(21)连通的相对另一侧连通，另一端穿出恒温腔室(1)与外置的真空泵(5)连通；所述进气通道(21)与所述排气通道(22)上均包覆有发热带或发热毯(210)。2.根据权利要求1所述的可局部定向沉积SiC涂层的CVD装置，其特征在于，所述进气通道(21)上设置有真空截止阀和质量流量计；所述排气通道(22)上设置有真空截止阀和过滤装置。3.根据权利要求1所述的可局部定向沉积SiC涂层的CVD装置，其特征在于，所述导轨(41)两端均套设于同一环体(42)内，所述环体(42)的外壁与所述恒温腔室(1)内侧壁水平转动连接。4.根据权利要求1所述的可局部定向沉积SiC涂层的CVD装置，其特征在于，所述激光发射器(40)竖向设置于导轨(41)上，且与导轨(41)之间的夹角45...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪洋，窦强，杨建，李权，
申请(专利权)人：南京工业大学，
类型：发明
国别省市：