【技术实现步骤摘要】
本申请涉及离子注入,具体而言,涉及一种聚焦束流自动调整系统、方法及离子注入机。
技术介绍
1、在半导体器件和集成电路生产
中,通过利用离子注入机精确控制掺杂元素的数量、深度和分布。现有的离子注入机包括由左至右依次排列的离子源系统、束流聚焦系统、束线系统和靶室系统,该束流聚焦系统用于对离子源系统产生的束流进行聚焦,该束流聚焦系统包括双元四极磁透镜(一个x磁透镜和一个y磁透镜)。束流聚焦系统的安装流程为:基于理论计算获取双元四极磁透镜的安装位置;根据获取到的安装位置对双元四极磁透镜进行固定安装。双元四极磁透镜在长时间使用后会发生磨损,此时束流聚焦系统的聚焦效果下降,因此现有技术存在由于双元四极磁透镜被固定安装而导致无法通过调节双元四极磁透镜的位置的方式调节束流聚焦系统的聚焦效果的问题。
2、针对上述问题,目前尚未有有效的技术解决方案。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种聚焦束流自动调整系统、方法及离子注入机,能够有效地解决由于双元四极磁透镜的实际安装精度有限,且双元四
...【技术保护点】
1.一种聚焦束流自动调整系统,应用在离子注入机中,所述离子注入机包括离子源机构,所述离子源机构用于产生束流,其特征在于,所述聚焦束流自动调整系统包括:
2.根据权利要求1所述的聚焦束流自动调整系统,其特征在于,所述四极磁透镜组包括一个X磁透镜和一个Y磁透镜,所述控制器控制所述透镜位置调节组件调节所述X磁透镜和/或Y磁透镜的位置,以使所述实际束流大小信息达到最大或使所述当前束流达到所述目标束流的过程包括:
3.根据权利要求2所述的聚焦束流自动调整系统,其特征在于,所述X磁透镜与所述离子源机构的间距小于所述Y磁透镜与所述离子源机构的间距,步骤A1包
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【技术特征摘要】
1.一种聚焦束流自动调整系统,应用在离子注入机中,所述离子注入机包括离子源机构,所述离子源机构用于产生束流,其特征在于,所述聚焦束流自动调整系统包括:
2.根据权利要求1所述的聚焦束流自动调整系统,其特征在于,所述四极磁透镜组包括一个x磁透镜和一个y磁透镜,所述控制器控制所述透镜位置调节组件调节所述x磁透镜和/或y磁透镜的位置,以使所述实际束流大小信息达到最大或使所述当前束流达到所述目标束流的过程包括:
3.根据权利要求2所述的聚焦束流自动调整系统,其特征在于,所述x磁透镜与所述离子源机构的间距小于所述y磁透镜与所述离子源机构的间距,步骤a1包括:
4.根据权利要求1所述的聚焦束流自动调整系统,其特征在于,所述四极磁透镜组包括依次排列的第一四极磁透镜、第二四极磁透镜和第三四极磁透镜,在所述第一四极磁透镜与所述第三四极磁透镜均为x磁透镜时,所述第二四极磁透镜为y磁透镜,或者在所述第一四极磁透镜与所述第三四极磁透镜均为y磁透镜时,所述第二四极磁透镜为x磁透镜,所述控制器控制所述透镜位置调节组件调节所述x磁透镜和/或y磁透镜的位置,以使所述实际束流大小信息达到最大或使所述当前束流达到所述目标束流的过程包括:
5.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:盛飞龙,伍三忠,程远贵,梁启恒,孔倩茵,吴彩庭,
申请(专利权)人:季华恒一佛山半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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