一种用于碳化硅外延片生长的载盘及载台制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于碳化硅外延片生长的载盘，包括环形本体和放置碳化硅衬底的延伸部，延伸部沿着环形本体的圆心方向延伸并凸出环形本体，环形本体上具有复数个延伸部；延伸部为条状和/或块状。本实用新型专利技术还公开了采用此载盘的载台，用于碳化硅外延片生长。本实用新型专利技术可以提高碳化硅外延片生长温度的均匀性，从而提高其掺杂浓度均匀性。从而提高其掺杂浓度均匀性。从而提高其掺杂浓度均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种用于碳化硅外延片生长的载盘及载台


[0001]本技术涉及半导体生产治具的
，特指一种用于碳化硅外延片生长的载盘及载台。

技术介绍

[0002]碳化硅（SiC）与硅（Si）相比的优势具有高禁带宽度、高热导率、高临界击穿电场等有益的物理性质，可广泛的应用于高温、高电压、大功率等电力电子器件，具有极高的应用价值。目前市场上的SiC器件是通过在SiC衬底上同质外延SiC层形成SiC外延片，然后在SiC外延片上进行器件制作。相比于直接在SiC衬底上进行器件制作，通过同质外延层的生长，可以生长出多种规格的外延片，以满足器件设计需求。
[0003]SiC同质外延生长通常采用化学气相沉积（CVD）的方法获得，同质SiC外延片的主要规格参数为缺陷密度、掺杂浓度和外延层厚度。其中，掺杂浓度和外延层厚度会对器件的电学性能产生影响，因此其片间均匀性和片内均匀性就至关重要。
[0004]如图1所示，一般来说，SiC外延片生长是将SiC衬底放置在载台1的载盘14中，载台1位于加热器2的上方，从而对SiC衬底进行加热生长SiC层。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于碳化硅外延片生长的载盘，其特征在于：包括环形本体和放置碳化硅衬底的延伸部，延伸部沿着环形本体的圆心方向延伸并凸出环形本体，环形本体上具有复数个延伸部；延伸部为条状和/或块状。2.根据权利要求1所述的一种用于碳化硅外延片生长的载盘，其特征在于：条状延伸部，彼此平行或者交叉设置。3.根据权利要求1所述的一种用于碳化硅外延片生长的载盘，其特征在于：至少具有三个块状延伸部，彼此间隔设置。4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛张文，林志东，郑元宇，张富钦，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：