晶圆预处理装置及晶圆缺陷检测方法制造方法及图纸

本公开提供一种晶圆预处理装置及晶圆缺陷检测方法，所述晶圆预处理装置包括：罩体；设置于所述罩体内的支撑台；用于夹持固定晶圆的夹持组件，可活动地连接在所述支撑台上；用于测试所述晶圆电学性能的电学测试组件，设置于所述支撑台上；用于向所述晶圆表面吹风的吹风组件，设置于所述支撑台上；及控制器，所述控制器与所述夹持组件、所述电学测试组件和所述吹风组件连接，用于控制所述夹持组件、所述电学测试组件和所述吹风组件的工作状态。本公开提供的晶圆预处理装置及晶圆缺陷检测方法，能够实现全自动对晶圆表面吹干和测试电阻，不再需要多人协作，自动化程度高，有效提高整个前处理效率、使用方便，降低人工成本。降低人工成本。降低人工成本。

【技术实现步骤摘要】
晶圆预处理装置及晶圆缺陷检测方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆预处理装置及晶圆缺陷检测方法。

技术介绍

[0002]在半导体硅片的制造过程中，单晶硅棒的质量决定硅片的质量，因此，提高单晶硅棒的质量极为重要，在拉晶过程中会产生很多的原生缺陷，其根据不同的检测方法可分为COP( Crystal Originated Particle，晶体原生颗粒)缺陷、FPD( Flow pattern defect，流动图案缺陷)、LSTD( Laser scattering topography defect，激光散射层析缺陷)和DSOD( Direct surface oxide defect，直接表面氧化缺陷)。COP、FPD、LSTD、DSOD缺陷的尺寸依次减小。这些缺陷对于后续用硅片制成半导体器件造成严重的不良影响。因此，降低在拉制单晶硅棒的过程中的原生缺陷是提高硅片质量的关键环节。
[0003]随着集成电路的飞速发展，特征线宽由原来的28nm下降至7nm，目前，微电子领域中所采用的元器件的特征线宽正在向2nm以下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆预处理装置，其特征在于，包括：罩体；设置于所述罩体内的支撑台；用于夹持固定晶圆的夹持组件，可活动地连接在所述支撑台上；用于测试所述晶圆电学性能的电学测试组件，设置于所述支撑台上；用于向所述晶圆表面吹风的吹风组件，设置于所述支撑台上；及控制器，所述控制器与所述夹持组件、所述电学测试组件和所述吹风组件连接，用于控制所述夹持组件、所述电学测试组件和所述吹风组件的工作状态。2.根据权利要求1所述的晶圆预处理装置，其特征在于，所述电学测试组件包括第一表笔和第二表笔，所述第一表笔和所述第二表笔的电极极性相反，用于接触所述晶圆的预定区域，以测试所述预定区域的电阻参数。3.根据权利要求2所述的晶圆预处理装置，其特征在于，所述第一表笔和所述第二表笔中至少一个表笔的笔头能够相对所述支撑台的承载面升降。4.根据权利要求3所述的晶圆预处理装置，其特征在于，所述第一表笔和所述第二表笔中至少一个表笔包括：笔头、竖直杆和连接杆，其中所述连接杆一端设置于所述支撑台的承载面上，所述连接杆的另一端与所述竖直杆的一端连接，所述竖直杆沿所述连接杆的轴向方向相对所述连接杆可伸缩移动，所述竖直杆的另一端与所述笔头连接。5.根据权利要求4所述的晶圆预处理装置，其特征在于，所述第一表笔和所述第二表笔中的至少一个表笔的笔头上设有吸附部件，所述吸附部件接触所述晶圆时，能够吸附固定所述晶圆。6.根据权利要求5所述的晶圆预处理装置，其特征在于，所述吸附部件包括：设置于所述笔头的笔尖上的半球型吸盘，所述半球型吸盘上设有真空气孔。7.根据权利要求1所述的晶圆预处理装置，其特征在于，所述夹持组件包括：转轴，所述转轴可旋转地设置于所述支撑台上，且所述转轴的轴心位于所述支撑台的承载面中心，并垂直于所述支撑台的承载面；多个抓手部件，多个抓手部件沿所述转轴的周向依次间隔地设置于所述转轴上。8.根据权利要求7所述的晶圆预处理装置，其特征在于，每个所述抓手部件包括：水平连接臂，所述水平连接臂的一端连接至所述转轴的周向外围，所述水平连接臂的另一端沿所述转轴的径向向外伸出，所述水平连接臂为中空结构；水平伸缩杆，所述水平伸缩杆的一端穿设于所述水平连接臂的向外伸出的一端，并能够沿所述水平连接臂水平往复移动，以进...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒲以松，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：