【技术实现步骤摘要】
一种用于背封硅片的方法和设备
[0001]本专利技术涉及半导体硅片生产
，尤其涉及一种用于背封硅片的方法和设备。
技术介绍
[0002]外延硅片是集成电路产业的基础材料，大多数大规模集成电路均使用外延硅片制造而成，如互补型金属氧化物半导体图像传感器（CMOS （Complementary Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Transistor）Image Sensor，CIS）芯片使用重掺外延片制造而成。但重掺外延硅片在外延生长过程中可不避免地会存在自掺杂现象，自掺杂现象会导致硅片电阻率漂移，从而严重影响外延硅片的品质。
[0003]为了防止自掺杂现象的发生，通常需要对硅片进行背封，背封技术是一种常用的阻止自掺杂现象出现的手段，该技术是指在硅片背面生长一层比如氧化硅薄膜之类的背封膜，从而有效抑制自掺杂，减小对电阻率的影响，改善外延硅片的品质。
[0004]通常采用常压化学气相沉积（Atmospheric Pressure Chemical Vap...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于背封硅片的方法，其特征在于，所述方法包括：在将所述硅片以背面与用于承载硅片的托盘相邻的方式承载在所述托盘上的情况下针对所述硅片执行第一次常压化学气相沉积；在将所述硅片以正面与所述托盘相邻的方式承载在所述托盘上的情况下针对所述硅片执行第二次常压化学气相沉积；将在所述第一次常压化学气相沉积期间以及所述第二次常压化学气相沉积期间沉积在所述硅片的正面和侧面上的沉积膜去除。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在将沉积膜沉积至所述硅片上之前对所述硅片进行抛光。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一次常压化学气相沉积在350℃至400℃的温度下执行。4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二次常压化学气相沉积在400℃至450℃的温度下执行。5.一种用于背封硅片的设备，所述设备用于执行根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述设备包括：具有托盘的沉积装置，所述沉积装置用于在所述硅片承载在所述托盘中的情况下针对所述硅片执行常压化学气相沉积；翻转装置，所述翻转装置用于对所述硅片进行翻转，使得所述硅片能够以背面与所述托盘相邻的方式承载在所述托盘上...
【专利技术属性】
技术研发人员：衡鹏，邹亚辉，徐鹏，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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