晶圆测试方法及晶圆测试装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆测试方法及晶圆测试装置。所述晶圆测试方法包括如下步骤：提供探针卡上探针的针尖直径和测试针压之间的映射关系；获取一目标探针卡上探针的针尖直径；根据所述映射关系以及所述目标探针卡上探针的针尖直径得到测试针压，作为目标测试针压；采用所述目标测试针压和所述目标探针卡对一待测晶圆进行测试。本发明专利技术一方面，避免了因为测试针压设置不准确而导致的测试结果准确度较低的问题，提高了测试的稳定性以及测试结果的准确性；另一方面，降低了探针的损耗速度，从而延长了探针卡的使用寿命。命。命。

【技术实现步骤摘要】
晶圆测试方法及晶圆测试装置


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶圆测试方法及晶圆测试装置。

技术介绍

[0002]随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3D NOR(3D或非)闪存和3D NAND(3D与非)闪存。
[0003]其中，3D NAND存储器以其小体积、大容量为出发点，将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念，生产出高单位面积存储密度，高效存储单元性能的存储器，已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。
[0004]晶圆测试时晶圆产品制造过程中至关重要的步骤。所述晶圆测试，是通过测量晶圆产品上的元件结构的电性参数，来了解晶圆的物理特性，从而为确保晶圆产品的质量、改进晶圆产品的设计以及制程工艺提供参考。但是，由于测试方法以及测试装置本身结构的限制，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆测试方法，其特征在于，包括如下步骤：提供探针卡上探针的针尖直径和测试针压之间的映射关系；获取一目标探针卡上探针的针尖直径；根据所述映射关系以及所述目标探针卡上探针的针尖直径得到测试针压，作为目标测试针压；采用所述目标测试针压和所述目标探针卡对一待测晶圆进行测试。2.根据权利要求1所述的晶圆测试方法，其特征在于，还包括步骤：建立探针卡上探针的针尖直径和测试针压之间的映射关系，具体包括：设置多个探针卡，且多个所述探针卡上探针的针尖直径互不相同；获取每个所述探针卡能够稳定对晶圆进行测试的测试针压，得到所述探针卡上的探针的针尖直径和所述测试针压之间的映射关系。3.根据权利要求1所述的晶圆测试方法，其特征在于，获取一目标探针卡上探针的针尖直径的具体步骤包括：提供一目标探针卡，所述目标探针卡上包括多个所述目标探针；分别获取每个所述目标探针的针尖直径，得到多个目标针尖直径；根据多个所述目标针尖直径得到所述目标探针卡上所有所述目标探针的平均针尖直径，并以所述平均针尖直径作为所述目标探针卡上探针的针尖直径。4.根据权利要求3所述的晶圆测试方法，其特征在于，所述映射关系包括每一个所述测试针压对应的一个数值范围的针尖直径；根据多个所述目标针尖直径得到所述探针卡上所有所述目标探针的平均针尖直径之后，还包括如下步骤：根据所述映射关系获取所述平均针尖直径所属的所述数值范围，并以所述数值范围对应的所述测试针压作为所述目标测试针压。5.根据权利要求4所述的晶圆测试方法，其特征在于，所述映射关系中多个所述数值范围的针尖直径按数值的大小顺序排列，且相邻的两个所述数值范围具有一重合的端点值；根据所述映射关系获取所述平均针尖直径所属的所述数值范围的具体步骤还包括：判断所述平均针尖直径是否与相邻的两个所述数值范围重合的端点值相同，若是，则选择两个所述数值范围中较小的一个作为所述平均针尖直径所属的数值范围。6.根据权利要求1所述的晶圆测试方法，其特征在于，根据所述映射关系以及所述目标探针卡上探针的针尖直径得到测试针压之前，还包括如下步骤：判断所述目标探针卡上探针的针尖直径是否超过预设值，若是，则更换所述目标探针卡。7.根据权利要求1所述的晶圆测试方法，其特征在于，采用所述目标测试针压和所述目标探针对一待测晶圆进行测试之后，还包括如下步骤：重新获取所述目标探针卡上探针的针尖直径；根据所述映射关系以及重新获取的所述目标探针卡上探针的针尖直径重新得到测试针压，并将所述目标测试针压更新为重新得到的所述测试针压；采用更新后的所述目标测试针压和所述目标探针卡对一待...

【专利技术属性】
技术研发人员：石恒志，刘刚，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：