大板扇出型封装芯片的漂移定位测量方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及大板扇出型封装芯片的漂移定位测量方法，包括以下：构建误差补偿模型，包括，获取激光干涉仪采集的第一数据，根据第一数据得到运动平台的直线度以及垂直度相关信息，根据第一数据计算进而建立所述误差补偿模型；漂移定位测量，包括，获取机器视觉系统采集的第二数据，第二数据包括芯片的图像信息，获取所述运动平台的X、Y、Z轴搭载的光栅尺采集的第三数据，第三数据用于反馈所述运动平台的实时位置信息，根据所述图像信息结合所述第三数据得到所述芯片的误差信息，根据所述误差信息，结合建立的所述误差补偿模型，对所述芯片进行误差补偿。本发明专利技术能够使大板扇出型封装芯片的定位精度能达到微米级，能满足芯片封装定位的要求。位的要求。位的要求。

【技术实现步骤摘要】
大板扇出型封装芯片的漂移定位测量方法及装置


[0001]本专利技术涉及瓷砖智能检测领域，尤其涉及大板扇出型封装芯片的漂移定位测量方法及装置。

技术介绍

[0002]芯片在封装过程中一般需要经过临时键合、重构晶圆、塑封到再布线及凸点制作这几个步骤。由于芯片漂移的问题，芯片封装的后续打孔，布线等需要芯片精确位置信息的工序都受到影响，最后会影响到芯片封装的成品率。
[0003]如今的先进封装技术主要分为扇入型封装和扇出型封装，近几年随着扇出型封装的进一步发展出现了大尺寸面板级扇出型封装。大板扇出型封装基板一般大小为600mm x 600mm，基板上放置的待封装的芯片数量非常多，同时定位精度要求在微米级。大板扇出封装芯片在封装过程中由于塑封框架和环氧树脂之间的热膨胀系数的差异，异质材料之间的失配等因素会导致芯片出现漂移等问题。
[0004]对漂移问题的理解，如图1所示，实线为图纸芯片理论位置，虚线为芯片发生漂移后的实际位置，其中偏转角度为θ，x坐标偏移d1距离，y轴偏移d2距离。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.大板扇出型封装芯片的漂移定位测量方法，其特征在于，包括以下：构建误差补偿模型，包括，获取激光干涉仪采集的第一数据，根据所述第一数据得到运动平台的直线度以及垂直度相关信息，根据所述第一数据计算进而建立所述误差补偿模型；漂移定位测量，包括，获取机器视觉系统采集的第二数据，所述第二数据包括大板扇出型封装芯片的图像信息，获取所述运动平台的X、Y、Z轴搭载的光栅尺采集的第三数据，所述第三数据用于反馈所述运动平台的实时位置信息，根据所述图像信息结合所述第三数据得到所述芯片的误差信息，所述误差信息包括芯片在实际位置与在理论位置时的中心位置的偏移量以及芯片的偏转角度，根据所述误差信息，结合建立的所述误差补偿模型，对所述芯片进行误差补偿。2.根据权利要求l所述的大板扇出型封装芯片的漂移定位测量方法，其特征在于，所述运动平台的直线度以及垂直度相关信息具体通过如下方式进行获取，保持运动平台的Y，Z轴保持不动，通过移动运动平台的X轴，每隔第一阈值距离记录一次激光干涉仪测量的数据，通过控制运动平台在有效行程内进行多次重复测量，记录激光干涉仪测量到的运动平台X轴的定位精度和直线度，同理，测量出Y轴的定位精度和直线度，而激光干涉仪测量运动平台的垂直度是通过测量运动平台第一轴的直线度并拟合直线作为垂直度测量的基准轴，保持第一轴测量基准不变的条件下测量第二轴的直线度，通过拟合直线求出运动平台的X、Y轴的水平垂直度为θ。3.根据权利要求2所述的大板扇出型封装芯片的漂移定位测量方法，其特征在于，所述根据所述第一数据计算进而建立所述误差补偿模型，具体包括以下，由运动平台产生的定位误差建立的定位误差模型如下，通过激光干涉仪进行11个测量目标点等间隔测量，由运动平台的定位误差建立定位误差模型如下式，δ
x
＝a1x+b1ꢀꢀꢀꢀ
(13)δ
y
＝a2y2+b2y+c2ꢀꢀꢀꢀ
(14)式中δ
x
为X轴定位误差，δ
y
为Y轴定位误差，x为运动平台的位移，a1、a2、b1、b2、c2均为常数；获得第二轴由第一轴的直线度导致的误差产生的误差模型，利用五阶多项式拟合X、Y轴的直线度误差曲线，ε＝a3x5+b3x4+c3x3+d3x2+e3x+f3ꢀꢀꢀꢀ
(15)由运动平台直线度和定位精度建立运动平台定位误差模型为：Δ
x
＝δ
x
+ε
x
ꢀꢀꢀꢀ
(16)Δ
y
＝δ
y
+ε
y
ꢀꢀꢀꢀ
(17)其中Δ
x
为x轴的定位误差、Δ
y
为y轴的定位误差；则运动平台的实际坐标为：x
actual
＝(x
idea...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈康清，陈新度，陈新，吴磊，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：