一种功率器件覆铜陶瓷衬板结构及其封装方法技术

本发明专利技术公开了一种功率器件覆铜陶瓷衬板结构及其封装方法，包括两块覆铜陶瓷衬板，所述覆铜陶瓷衬板包括：氧化铝陶瓷层，所述氧化铝陶瓷层的边缘位置沿线型设置有多个邮票孔，正面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层通过刻蚀形成电路图形，背面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层及背面覆铜金属层与氧化铝陶瓷层通过直接结合的方式连接；两块覆铜陶瓷衬板中的氧化铝陶瓷层通过邮票孔连接在一起，组成第一覆铜陶瓷衬板封装体；本发明专利技术提高了功率器件的封装效率，减少生产过程中的半成品，实现在半成品阶段多种覆铜陶瓷衬板的同时封装。品阶段多种覆铜陶瓷衬板的同时封装。品阶段多种覆铜陶瓷衬板的同时封装。

【技术实现步骤摘要】
一种功率器件覆铜陶瓷衬板结构及其封装方法


[0001]本专利技术涉及一种功率器件覆铜陶瓷衬板结构及其封装方法，属于功率器件封装


技术介绍

[0002]功率半导体器件是柔性交直流输电、新能源发电、电能质量治理等领域的核心器件，目前已在相关行业得到广泛应用。大功率半导体器件通常是由芯片、覆铜陶瓷衬板、铜或者复合材料基板、壳体等主要部分组成。一方面，为了满足对功率器件大功率容量的需求，其封装结构通常是在一个基板上并联多个相同覆铜陶瓷衬板的方式，实现大电流容量的输出。另一方面，为了实现功率器件的某种特定电路拓扑结构，需要在一个基板上并联多个尺寸相同但覆铜层图形不同的覆铜陶瓷衬板。
[0003]目前关于功率器件的封装工艺中，常用封装工序流程主要包括：先在半成品封装阶段将芯片分别焊接到不同覆铜陶瓷衬板表面，完成一次焊接；在产成品封装阶段再将多个相同或者不同的覆铜陶瓷衬板焊接到一个基板上，完成二次焊接。
[0004]目前的封装工艺流程中，半成品封装阶段两种及以上类型的覆铜陶瓷衬板分批加工，待所有覆铜陶瓷衬板都完成加工并配套齐全后再进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率器件覆铜陶瓷衬板结构，其特征是，包括：两块覆铜陶瓷衬板(1)，所述覆铜陶瓷衬板(1)包括：氧化铝陶瓷层(11)，所述氧化铝陶瓷层(11)的边缘位置沿线型设置有多个邮票孔(12)，正面覆铜金属层(13)，所述正面覆铜金属层(13)通过刻蚀形成电路图形，背面覆铜金属层(14)，所述正面覆铜金属层(13)及背面覆铜金属层(14)与氧化铝陶瓷层(11)通过直接结合的方式连接；两块覆铜陶瓷衬板(1)中的氧化铝陶瓷层(11)通过邮票孔(12)连接在一起，组成第一覆铜陶瓷衬板封装体(6)。2.根据权利要求1所述的功率器件覆铜陶瓷衬板结构，其特征是，所述氧化铝陶瓷层(11)为高导热氧化铝，厚度范围0.25mm～0.45mm。3.根据权利要求1所述的功率器件覆铜陶瓷衬板结构，其特征是，所述正面覆铜金属层(13)的厚度为0.25mm～0.35mm。4.根据权利要求1所述的功率器件覆铜陶瓷衬板结构，其特征是，所述背面覆铜金属层(14)厚度为0.25～0.35mm，且所述背面金属覆铜金属层的厚度小于等于正面覆铜金属层(13)的厚度。5.根据权利要求1所述的功率器件覆铜陶瓷衬板结构，其特征是，多个所述邮票孔(12)的直径均为0.5mm～1.0mm，邮票孔(12)之间的间距为2.0mm～2.5mm。6.根据权利要求1所述的功率器件覆铜陶瓷衬板结构，其特征是，两块所述覆铜陶瓷衬板(1)的尺寸相同，正面覆铜金属层(13)的图形不同或者...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨金龙，姚晨阳，王豹子，柴駪，黄全全，杨腾飞，谢龙飞，王立，藏传龙，姚二现，
申请(专利权)人：国网山西省电力公司检修分公司，
类型：发明
国别省市：