一种钒掺杂氧化钛纳米稀磁半导体及其制备方法技术

一种钒掺杂氧化钛纳米稀磁半导体及其制备方法，其制备方法包括：Ａ．制备钒离子的前驱体溶液和钛离子的前驱体溶液；Ｂ．将两种溶液混合，形成溶胶；Ｃ．将溶胶在在室温下陈化，形成湿凝胶，在烘箱中干燥，直至形成干凝胶；Ｄ．将干凝胶研磨，得到干凝胶粉，在空气中热处理，排除有机物；Ｅ．在惰性气氛中退火，制成钒掺杂氧化钛稀磁半导体纳米粉。本发明专利技术方法制得的钒掺杂氧化钛纳米稀磁半导体为粉状，并可以表现出室温铁磁性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于新型半导体自旋电子学材料领域，具体涉及一种过渡金属 掺杂氧化钛纳米稀磁半导体及制备方法。
技术介绍
信息技术的发展离不开先进的电子、光电子和磁存储器件。传统的半 导体器件利用了电子的电荷属性，磁存储器件利用了电子的自旋属性，开 发同时利用电子的电荷和自旋属性的自旋电子器件已开始成为该领域的研 究热点。稀磁半导体能同时利用电子的电荷和自旋属性，具备优异的磁、 磁光和磁电性能，可用于研制新一代的自旋电子和纳米电子器件，拓展了 微电子领域的发展空间，为微电子器件的微型化和多功能化提供了方案。 因此，氧化物稀磁半导体具有十分重要的研究价值和广阔的应用前景。从应用的角度看，制备居里温度高于室温的稀磁半导体材料是非常必要的。目前，对n-vi族以及ni-v族化合物半导体的稀磁半导体研究比较广泛，如(Zn， Mn) Se和(Ga， Mn) As等，但是这些材料的居里温度多低于150K， 限制了它们的实际应用。自Matsumoto等在《Science》(2001年第29期， P854-857)首次报道，在钴掺杂的Ti02薄膜中观察到室温铁磁性以来，陆 续在过渡金属掺杂的氧化物半导体中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种钒掺杂氧化钛纳米稀磁半导体的制备方法，其特征在于包括以下步骤：Ａ．室温下，采用分析纯的偏钒酸氨和钛酸四丁脂作为Ｔｉ和Ｖ的离子源；将偏钒酸氨放入烧杯中，加入冰醋酸和无水乙醇中，在超声波分散下溶解，同时用无水乙醇不断洗涤烧杯，配置成 钒离子的前驱体溶液，置于容量瓶中，加入无水乙醇调节该溶液浓度到０．０５－０．１ｍｏｌ／Ｌ；将钛酸四丁脂溶于无水乙醇中，配置成钛离子的前驱体溶液，置于容量瓶中；Ｂ．用刻度吸管取钛离子的前驱体溶液置于烧杯中，然后再用刻度吸管取钒离子的前 驱体溶液，按化学计量比，快速滴入到钛离子的前驱体溶液中，同时不断搅拌，其中钒和钛离子摩尔比在１∶９９～１...

【技术特征摘要】
1.一种钒掺杂氧化钛纳米稀磁半导体的制备方法，其特征在于包括以下步骤A.室温下，采用分析纯的偏钒酸氨和钛酸四丁脂作为Ti和V的离子源；将偏钒酸氨放入烧杯中，加入冰醋酸和无水乙醇中，在超声波分散下溶解，同时用无水乙醇不断洗涤烧杯，配置成钒离子的前驱体溶液，置于容量瓶中，加入无水乙醇调节该溶液浓度到0.05-0.1mol/L；将钛酸四丁脂溶于无水乙醇中，配置成钛离子的前驱体溶液，置于容量瓶中；B.用刻度吸管取钛离子的前驱体溶液置于烧杯中，然后再用刻度吸管取钒离子的前驱体溶液，按化学计量比，快速滴入到钛离子的前驱体溶液中，同时不断搅拌，其中钒和钛离子摩尔比在1∶99～12∶88之间；在此过程中，加入无水乙醇调节混...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁松柳，田召明，王永强，何惊华，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]