过电流保护元件制造技术

本发明专利技术提供一种具有正温度系数特性的过电流保护元件及其制造方法。所述的具有正温度系数特性的过电流保护元件，在导电性聚合物层的两边复合金属箔电极形成复合芯片，其中，所述的导电性聚合物有三层结构，中间一层由导电金属颗粒填充聚合物基体组成，其上下两层由碳黑填充聚合物基体组成，由碳黑填充聚合物与金属箔电极密切相接。本发明专利技术中，两边的碳黑填充聚合物基体层可以显著提高导电性聚合物与金属箔电极的界面结合力，从而提高该过电流保护元件的电气性能稳定性。本发明专利技术所述的过电流保护元件不仅具有十分低的室温电阻，并且具有高的电气性能稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种过电流保护元件，具体地说，本专利技术涉及一种具有正温度系数(PTC)特性的过电流保护元件。
技术介绍
聚合物和分散在聚合物中的导电填充材料组成的导电性聚合物以及由此导电性聚合物制备的具有正温度系数(PTC)特性的过电流保护元件技术已是大家所熟知的。通常，PTC导电性聚合物是由一种或一种以上的结晶聚合物及一导电填充材料组成，该导电填充材料均匀分散于该聚合物中。导电填充材料可以为聚乙烯、乙烯类共聚物、氟聚合物中的一种或其中几种的混合物；导电填充材料可以为碳黑、金属颗粒或无机陶瓷粉末。此类导电性聚合物的PTC特性(电阻值随温度上升而增加)被认为是由于熔融时结晶聚合物的膨胀导致导电粒子所形成的导电通道断开造成的。在现有已公开的技术中，最普遍的是将碳黑作为导电填充材料，但是将碳黑作为导电填充材料制备的导电性聚合物难以得到很低的室温电阻率，特别是将该聚合物用来制备电池(组)的过电流保护元件时，将不能满足器件小型化、低室温电阻的要求。虽然，将金属颗粒作为导电填充材料可以制得较低室温电阻率的导电性聚合物，但是用此类导电性聚合物制备的过电流保护元件，其室温电阻的重现性差，具体地说本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有正温度系数特性的过电流保护元件，在导电性聚合物层的两边复合金属箔电极形成复合芯片，其特征在于：所述的导电性聚合物有三层结构，中间一层由导电金属颗粒填充聚合物基体组成，其上下两层由碳黑填充聚合物基体组成，所述的碳黑填充聚合物与金属箔电极紧密相接。

【技术特征摘要】
1.一种具有正温度系数特性的过电流保护元件，在导电性聚合物层的两边复合金属箔电极形成复合芯片，其特征在于所述的导电性聚合物有三层结构，中间一层由导电金属颗粒填充聚合物基体组成，其上下两层由碳黑填充聚合物基体组成，所述的碳黑填充聚合物与金属箔电极紧密相接。2.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于所述的碳黑填充聚合物基体层的厚度不大于50um。3.根据权利要求2所述的过电流保护元件，其特征在于所述的碳黑填充聚合物基体层的厚度不大于30um。4.根据权利要求3所述的过电流保护元件，其特征在于所述的碳黑填充聚合物基体层的厚度不大于10um。5.一种制造权利要求1所述的过电流...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯李明，王军，杨兆国，
申请(专利权)人：上海维安热电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31[]