过电流保护元件结构制造技术

技术编号:10921395 阅读:106 留言:0更新日期:2015-01-17 11:33
一种过电流保护元件结构包含PPTC芯片、至少一基板以及至少一高分子导电黏着片。高分子导电黏着片用于结合该PPTC芯片和基板,其具有位于相对侧的第一表面和第二表面,该第一表面物理接触该基板,该第二表面物理接触该PPTC芯片。该基板可为金属片或电路板。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种过电流保护元件结构包含PPTC芯片、至少一基板以及至少一高分子导电黏着片。高分子导电黏着片用于结合该PPTC芯片和基板,其具有位于相对侧的第一表面和第二表面,该第一表面物理接触该基板,该第二表面物理接触该PPTC芯片。该基板可为金属片或电路板。【专利说明】过电流保护元件结构
本技术涉及一种过电流保护元件结构。该过电流保护元件结构特别是具有正温度系数(Positive Temperature Coefficient ;PTC)的特性。
技术介绍
熟知的PTC元件的电阻值对温度变化的反应相当敏锐。当PTC元件于正常使用状况时,其电阻可维持极低值而使电路得以正常运作。但是当发生过电流或过高温的现象而使温度上升至一临界温度时,其电阻值会瞬间跳至一高电阻状态(例如12 Ω以上)而将过量的电流反向抵消,以达到保护电池或电路元件的目的。 PTC元件中可采用高分子聚合物作为基底,并掺入导电填料形成高分子正温度系数(Polymeric Positive Temperature Coefficient ;PPTC)兀件。然而,传统PPTC兀件组装或与印刷电路板(PCB)结合时,因使用锡焊料进行焊接,而锡料涂布常造成厚度不均,因而导致PPTC成品厚度不易控制,难以应用于手持式电子产品等薄型化产品。或者,因锡焊料熔点高,后续组装制程必须采用高温回焊(>240°C ),造成PPTC元件电阻值异常,甚至PPTC材料因高温裂解、变型,进而降低产品良率。 因此,如何改善PPTC电阻值异常、良率不佳,以及降低组装后的PPTC厚度,实为薄型化产品应用上亟需克服的问题,而待有效提出相关解决方案。
技术实现思路
本技术揭示一种过电流保护元件结构,其利用高分子导电黏着片结合PPTC元件及基板,可避免组装后PPTC元件因高温制程导致电阻值异常以及PPTC材料裂解、变形等问题。另外,由于高分子导电黏着片可提供均匀的厚度,形成微米级的薄层(例如20-200 μ m),可进一步降低PPTC组装后的整体厚度。 根据本技术一实施例的过电流保护元件结构,其包含PPTC芯片、至少一基板以及至少一高分子导电黏着片。高分子导电黏着片用于结合该PPTC芯片和基板,其具有位于相对侧的第一表面和第二表面,该第一表面物理接触该基板,该第二表面物理接触该PPTC芯片。 —实施例中,PPTC芯片包含第一电极箔、第二电极箔和叠设于该第一和第二电极箔之间的PPTC材料层。该第一电极箔物理接触该高分子导电黏着片的第二表面。 一实施例中,该基板为金属片(例如镍片)或电路板(例如手机的保护电路模块(Protect1n Circuit Module ;PCM))。若基板为电路板,该高分子导电黏着片可结合于该电路板中的焊垫。 —实施例中,高分子导电黏着片和金属片或电路板的黏着力大于0.6kg/cm。 一实施例中,高分子导电黏着片为高分子聚合物和导电粉末的复合材料板。 一实施例中,高分子导电黏着片具有等方性或异方性的导电特性。 一实施例中,该高分子导电黏着片的厚度为20-200 μ m。 本技术的过电流保护元件结构使用高分子导电黏着片取代传统的锡焊料作为与PPTC芯片或基板的结合介面,无须经过后续传统的高温回焊制程,因此可有效控制PPTC芯片的电阻值不致异常增加,以及避免材料裂解和变形的问题。另外,高分子导电黏着片可制作出微米级的均匀厚度,也可进一步降低PPTC组装后的整体厚度。 【专利附图】【附图说明】 图1显示本技术第一实施例的过电流保护元件结构; 图2显示本技术第二实施例的过电流保护元件结构;以及 图3显示本技术第三实施例的过电流保护元件结构。 其中,附图标记说明如下: 10、20、30过电流保护元件结构 11 PPTC 芯片 12 PPTC 材料层 13第一电极箔 14第二电极箔 15、17闻分子导电黏着片 16、18、36 基板 151、171 第一表面 152、172 第二表面 361 焊垫 【具体实施方式】 为让本技术的上述和其他
技术实现思路
、特征和优点能更明显易懂,下文特举出相关实施例,并配合所附图式,作详细说明如下。 图1显示本技术第一实施例的过电流保护元件结构。过电流保护元件结构10包含PPTC芯片11、高分子导电黏着片15及基板16。PPTC芯片11包含第一电极箔13、第二电极箔14和叠设于该第一和第二电极箔13、14之间的PPTC材料层12。高分子导电黏着片15具有位于相对侧的第一表面151和第二表面152,该第一表面151物理接触该基板16,该第二表面152物理接触该PPTC芯片11。更确切而言,该第二表面152是物理接触该PPTC芯片11的第一电极箔13。该基板16可为金属片,例如镍片,以作为连接至电池的外接电极片。 图2显示本技术第二实施例的过电流保护元件结构。过电流保护元件结构20包含PPTC芯片11、高分子导电黏着片15和17及基板16和18。PPTC芯片11包含第一电极箔13、第二电极箔14和叠设于该第一和第二电极箔13、14之间的PPTC材料层12。高分子导电黏着片15具有位于相对侧的第一表面151和第二表面152,该第一表面151物理接触该基板16,该第二表面152物理接触该PPTC芯片11。更确切而言,该第二表面152是物理接触该PPTC芯片11的第一电极箔13。该基板16可为金属片,例如镍片,以作为连接至电池的外接电极片。PPTC芯片11的另一侧有类似的结构设计。高分子导电黏着片17具有位于相对侧的第一表面171和第二表面172,该第一表面171物理接触该基板18,该第二表面172物理接触该PPTC芯片11。更确切而言,该第二表面172是物理接触该PPTC芯片11的第二电极箔14。该基板18也可为金属片,其延伸方向可如同图2所示的与基板16的延伸方向相反,而形成轴型(axial-leaded type)过电流保护元件结构20。然而,基板18的延伸方向也可和基板16相同,可作为如插件式(radial-leaded type)过电流保护元件结构。 图3显示本技术第三实施例的过电流保护元件结构。过电流保护元件结构30包含PPTC芯片11、高分子导电黏着片15及基板36。PPTC芯片11包含第一电极箔13、第二电极箔14和叠设于该第一和第二电极箔13、14之间的PPTC材料层12。高分子导电黏着片15具有位于相对侧的第一表面151和第二表面152,该第一表面151物理接触该基板36,该第二表面152物理接触该PPTC芯片11,或更确切而言,该第二表面152是物理接触该PPTC芯片11的第一电极箔13。本实施例中,该基板36可为电路板,例如手机中的保护电路模块(Protect1n Circuit Module ;PCM),而PPTC芯片11通过高分子导电黏着片15连接固定于基板36上的焊垫(Pad) 361,形成保护电路。 本技术利用高分子导电黏着片15或17将PPTC芯片11和金属片或电路板等基板16、18或36进行结合,其中高分子导电黏着片15或17和金属片或电路板的黏着力大于0.本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种过电流保护元件结构,包含: PPTC芯片; 至少一基板;以及 至少一高分子导电黏着片,用于结合该PPTC芯片和基板,其具有位于相对侧的第一表面和第二表面,该第一表面物理接触该基板,该第二表面物理接触该PPTC芯片。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:利文峯沙益安张耀德
申请(专利权)人:聚鼎科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:中国台湾;71

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