一种硅衬底GaN的加工工艺制造技术

本发明专利技术公开一种硅衬底GaN的加工工艺，具体包括以下步骤：S1、通过MOCVD在硅衬底上外延得到GaN，机械研磨使GaN表面平坦化；S2、在硅衬底表面沉积氧化层；S3、将硅衬底键合在大尺寸Si基载板上；S4、完成GaN的正面晶圆制程；S5、将GaN正面键合玻璃载板；S6、蚀刻除去硅衬底表面氧化层使硅衬底与Si基载板解键合；S7、再通过机械研磨减薄除去硅衬底；S8、完成GaN的背面晶圆制程。本发明专利技术在硅衬底表面沉积SiO2层，利用SiO2层与Si能够形成永久键结将硅衬底键合在大尺寸Si基载板上，从而实现利用现行的硅片加工设备进行小尺寸的GaN加工，同时还解决了硅衬底外延GaN的应力问题。衬底外延GaN的应力问题。衬底外延GaN的应力问题。

【技术实现步骤摘要】
一种硅衬底GaN的加工工艺


[0001]本专利技术涉及化合物半导体领域，具体的是一种硅衬底GaN的加工工艺。

技术介绍

[0002]随着社会的发展和科技的进步，半导体材料在现代科技革命中扮演着极其重要的角色，半导体材料可分为单质半导体及化合物半导体两类，前者如硅(Si)、锗(Ge)等所形成的半导体，后者为砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等化合物形成。作为第三代半导体材料的代表，氮化镓(GaN)和其它氮化物材料是近年来光电子材料领域和高温大功率器件方面的研究热点之一。GaN基半导体材料具有禁带宽度大、电子漂移速度快、导热性好和耐高温高压等突出优点，在制作大功率、高频和高温电子器件以及光电器件方面具备得天独厚的优势。
[0003]目前，GaN材料主要是采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在SiC、蓝宝石、Si和GaAs等衬底上异质外延获得，三条技术路线所用的衬底与GaN之间都存在晶格失配和热失配，导致不管哪种技术路线外延生长的GaN薄膜都存在应力。其中蓝宝石衬底GaN薄膜受到压应力；碳化硅衬底GaN薄膜受到较小本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅衬底GaN的加工工艺，其特征在于，具体包括以下步骤：S1、通过MOCVD在硅衬底上外延得到GaN，机械研磨使GaN表面平坦化；S2、在硅衬底表面沉积氧化层；S3、将硅衬底键合在大尺寸Si基载板上；S4、完成GaN的正面晶圆制程；S5、将GaN正面键合玻璃载板；S6、蚀刻除去硅衬底表面氧化层使硅衬底与Si基载板解键合；S7、再通过机械研磨减薄除去硅衬底；S8、完成GaN的背面晶圆制程；S9、将做好背面金属的晶圆放置在切割模框上，激光穿透玻璃载板使释放剂分解玻璃载板与黏着剂之间的粘性，移除玻璃载板，清洗除去黏着层，以进行后续的晶圆切割。2.根据权利要求1所述的硅衬底GaN的加工工艺，其特征在于，所述硅衬底为Si衬底或SiC衬底。3.根据权利要求1所述的硅衬底GaN的加工工...

【专利技术属性】
技术研发人员：严立巍，符德荣，陈政勋，文锺，
申请(专利权)人：浙江同芯祺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：