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本发明公开一种硅衬底GaN的加工工艺，具体包括以下步骤：S1、通过MOCVD在硅衬底上外延得到GaN，机械研磨使GaN表面平坦化；S2、在硅衬底表面沉积氧化层；S3、将硅衬底键合在大尺寸Si基载板上；S4、完成GaN的正面晶圆制程；S5、将...
该专利属于浙江同芯祺科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江同芯祺科技有限公司授权不得商用。

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