本实用新型专利技术公开一种具有欠压保护的高效MOSFET互补驱动电路，属于MOSFET领域，包括延时电路、推挽输出电路和欠压电路；所述延时电路增加死区时间，避免上下MOSFET管同时导通；所述推挽输出电路提高驱动能力和快速放电路径；所述欠压电路在驱动电压低于设计值时截止，防止驱动电压低造成MOSFET管炸管。本实用新型专利技术采用延时导通，提高导通阈值，从而提高死区时间，避免上下管窜红短路；通过推挽输出，提高驱动能力，同时提供快速放电电路；采用驱动电压欠压检测电路，避免驱动电压降低后，造成MOSFET内阻增大，损耗增大，出现炸管现象。出现炸管现象。出现炸管现象。
【技术实现步骤摘要】
一种具有欠压保护的高效MOSFET互补驱动电路
[0001]本技术涉及MOSFET
，特别涉及一种具有欠压保护的高效MOSFET互补驱动电路。
技术介绍
[0002]MOSFET因其导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于各控制电路中。在控制电路中MOSFET开关速度不匹配容易造成MOSFET短路损坏，MOSFET的特性决定了其驱动电压不同，内阻不同，损耗不同。损耗过大，发热严重，容易造成炸机现象。
[0003]本电路增加延迟电路，驱动电压欠压保护电路，响应速度极快，可靠性高，从而避免炸机现象发生。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种具有欠压保护的高效MOSFET互补驱动电路，以解决技术背景中的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本技术提供了一种具有欠压保护的高效MOSFET互补驱动电路，包括：
[0006]延时电路，增加死区时间，避免上下MOSFET管同时导通；
[0007]推挽输出电路，提高驱动能力和快速放电路径；
[0008]欠压电路，在驱动电压低于设计值时截止，防止驱动电压低造成MOSFET管炸管。
[0009]可选的，所述延时电路包括电阻R15、三极管Q9、电容C2和稳压管ZD3；
[0010]所述三极管Q9的集电极接稳压管ZD3的负极和电阻R15的一端，发射极接地，基极通过电阻R17接PWM信号；
[0011]所述电阻R15的另一端接15V电压；
[0012]所述电容C2并联在所述三极管Q9的集电极和发射极；
[0013]所述三极管Q9的基极和发射极还并联有电阻R16。
[0014]可选的，所述推挽输出电路包括三极管Q1和三极管Q2；所述三极管Q1的发射极与所述三极管Q2的发射极相连，所述三极管Q1的基极与所述三极管Q2的基极相连。
[0015]可选的，所述欠压电路包括电阻R7~R9、R20~R22，三极管Q4、Q5、Q10、Q11，二极管D2，D4和稳压管ZD1、ZD2、ZD4、ZD5；
[0016]电阻R7的一端接三极管Q5的集电极，另一端接稳压管ZD1的负极；稳压管ZD1的正极接三极管Q4的基极和电阻R8的一端；
[0017]三极管Q5的基极接电阻R9的一端，电阻R9的另一端接三极管Q4的集电极和稳压管ZD2的负极，三极管Q5的发射极接二极管D2的负极；二极管D2的正极接15V电压；
[0018]三极管Q4的发射极、电阻R8的另一端和稳压管ZD2的正极相连；
[0019]电阻R20的一端接三极管Q10的集电极，另一端接稳压管ZD4的负极；稳压管ZD4的正极接三极管Q11的基极和电阻R21的一端；
[0020]三极管Q10的基极接电阻R22的一端，电阻R22的另一端接三极管Q11的集电极和稳压管ZD5的负极，三极管Q10的发射极接二极管D4的负极；二极管D4的正极接15V电压；
[0021]三极管Q11的发射极、电阻R21的另一端和稳压管ZD5的正极均接地。
[0022]可选的，所述稳压管ZD3的正极连接三极管Q8的基极，三极管Q8的发射极接地，集电极连接电阻R13的一端和三极管Q7的基极；
[0023]三极管Q7的发射极接地，集电极连接电阻R12的一端和三极管Q6的基极；三极管Q6的集电极连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端连接电阻R6的一端和三极管Q3的基极，电阻R6的另一端接三极管Q3的发射极；
[0024]三极管Q6的发射极通过电阻R11接地，三极管Q7的集电极和发射极还并联有电阻R10；电阻R13的另一端接15V电压；三极管Q8的基极和发射极还并联有电阻R14。
[0025]可选的，所述稳压管ZD2的正极通过电阻R3接二极管D1的正极，二极管D1的负极接电阻R2的一端，电阻R2的另一端和二极管D1的正极间连接有电阻R1。
[0026]可选的，三极管Q10的集电极连接三极管Q12的集电极，三极管Q12的发射极接三极管Q13的发射极，三极管Q13的集电极接地，三极管Q12的基极和三极管Q13的基极共同连接至三极管Q14的集电极，
[0027]三极管Q14的发射极接地，集电极通过电阻R23接15V电压，基极连接三极管Q15的集电极；
[0028]三极管Q15的发射极接地，集电极通过电阻R24接15V电压，基极连接稳压管ZD6的正极；三极管Q15的基极和发射极之间连接有电阻R25，稳压管ZD6的负极接三极管Q16的集电极；
[0029]三极管Q16的集电极通过电阻R26接15V电压，发射极接地，基极接三极管Q17的集电极；三极管Q16的集电极和发射极之间还连接有电容C3；
[0030]三极管Q17的集电极通过电阻R27接15V电压，发射极接地，基极接电阻R29，三极管Q17的基极和发射极之间还连接有电阻R28。
[0031]可选的，三极管Q12的发射极和三极管Q13的发射极还共同连接电阻R31的一端，电阻R31的另一端连接二极管D3的负极，三极管D3的正极和电阻R31的一端之间还连接电阻R18。
[0032]在本技术提供的具有欠压保护的高效MOSFET互补驱动电路中，包括延时电路、推挽输出电路和欠压电路；所述延时电路增加死区时间，避免上下MOSFET管同时导通；所述推挽输出电路提高驱动能力和快速放电路径；所述欠压电路在驱动电压低于设计值时截止，防止驱动电压低造成MOSFET管炸管。
[0033]本技术具有以下有益效果：
[0034]（1）采用延时导通，提高导通阈值，从而提高死区时间，避免上下管窜红短路；
[0035]（2）采用推挽输出，提高驱动能力，同时提供快速放电电路；
[0036]（3）采用驱动电压欠压检测电路，避免驱动电压降低后，造成MOSFET内阻增大，损耗增大，出现炸管现象。
附图说明
[0037]图1是本技术提供的具有欠压保护的高效MOSFET互补驱动电路结构示意图。
具体实施方式
[0038]以下结合附图和具体实施例对本技术提出的一种具有欠压保护的高效MOSFET互补驱动电路作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。
[0039]实施例一
[0040]本技术提供了一种具有欠压保护的高效MOSFET互补驱动电路，包括延时电路1、推挽输出电路2和欠压电路3；所述延时电路增加死区时间，避免上下MOSFET管同时导通；所述推挽输出电路提高驱动能力和快速放电路径；所述欠压电路在驱动电压低于设计值时截止，防止驱动电压低造成MOSFET管炸管。
[0041]所述延时电路包括电阻R15、三极管Q9、电容C2和稳压管ZD3；所述三极管Q9的集电极接稳压管ZD3的负极和电阻R15的一端，发射极接地，基极通过本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有欠压保护的高效MOSFET互补驱动电路，其特征在于，包括：延时电路，增加死区时间，避免上下MOSFET管同时导通；推挽输出电路，提高驱动能力和快速放电路径；欠压电路，在驱动电压低于设计值时截止，防止驱动电压低造成MOSFET管炸管。2.如权利要求1所述的具有欠压保护的高效MOSFET互补驱动电路，其特征在于，所述延时电路包括电阻R15、三极管Q9、电容C2和稳压管ZD3；所述三极管Q9的集电极接稳压管ZD3的负极和电阻R15的一端，发射极接地，基极通过电阻R17接PWM信号；所述电阻R15的另一端接15V电压；所述电容C2并联在所述三极管Q9的集电极和发射极；所述三极管Q9的基极和发射极还并联有电阻R16。3.如权利要求2所述的具有欠压保护的高效MOSFET互补驱动电路，其特征在于，所述推挽输出电路包括三极管Q1和三极管Q2；所述三极管Q1的发射极与所述三极管Q2的发射极相连，所述三极管Q1的基极与所述三极管Q2的基极相连。4.如权利要求3所述的具有欠压保护的高效MOSFET互补驱动电路，其特征在于，所述欠压电路包括电阻R7~R9、R20~R22，三极管Q4、Q5、Q10、Q11，二极管D2，D4和稳压管ZD1、ZD2、ZD4、ZD5；电阻R7的一端接三极管Q5的集电极，另一端接稳压管ZD1的负极；稳压管ZD1的正极接三极管Q4的基极和电阻R8的一端；三极管Q5的基极接电阻R9的一端，电阻R9的另一端接三极管Q4的集电极和稳压管ZD2的负极，三极管Q5的发射极接二极管D2的负极；二极管D2的正极接15V电压；三极管Q4的发射极、电阻R8的另一端和稳压管ZD2的正极相连；电阻R20的一端接三极管Q10的集电极，另一端接稳压管ZD4的负极；稳压管ZD4的正极接三极管Q11的基极和电阻R21的一端；三极管Q10的基极接电阻R22的一端，电阻R22的另一端接三极管Q11的集电极和稳压管ZD5的负极，三极管Q10的发射极接二极管D4的负极；二极管D4的正极接15V电压；三极管Q11的发射极、电阻R21的另一端和稳压管ZD5的正极均接地。5.如权利要求4所述的具有欠压保护的...
【专利技术属性】
技术研发人员：耿永，杨广春，
申请(专利权)人：中科芯集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：
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