IGBT驱动电路与电子设备制造技术

本申请提供了一种IGBT驱动电路与电子设备。该电路包括：光耦单元；推挽单元，与光耦单元电连接；电阻可调单元，分别与光耦单元和推挽单元电连接，通过调节电阻可调单元的阻值，实时调节推挽单元的输出电流的大小，推挽单元的输出电流为IGBT的栅极驱动电流。通过调节电阻可调单元的阻值，以实现对推挽单元的输出电流的大小进行调节，以保证对不同的IGBT的驱动。解决了现有技术中的推挽单元输出的驱动电流不可调的问题，以保证对IGBT可靠的驱动。使得驱动电路可以适配不同额定电流的IGBT。节省硬件资源。硬件资源。硬件资源。

【技术实现步骤摘要】
IGBT驱动电路与电子设备


[0001]本申请涉及IGBT驱动领域，具体而言，涉及一种IGBT驱动电路与电子设备。

技术介绍

[0002]现有技术中，多数IGBT驱动电路是用高速光耦来实现隔离的，优点是传输延迟较小且能够很好的抑制共模干扰，但目前市场上的光耦的输出电流普遍较小(基本都不超过4A)，不适用于大电流IGBT(150A以上的IGBT)的驱动，部分厂家有最大输出电流能达到6A、8A、10A的光耦，但普遍价格较高，因此现如今驱动大电流IGBT时都会选择在光耦的输出级加两个三极管组成互补射级输出电路(推挽电路)，用来放大光耦的输出电流以满足大电流IGBT的驱动。
[0003]如图1所示，该推挽电路能将光耦输出级的电流放大，但是三极管在IGBT导通关断过程中工作在放大区，三极管的功耗较大；且该电路的栅极驱动电流不可调，在电阻Ron和Roff参数选择不合理的情况下就可能会导致IGBT没法可靠的导通关断。
[0004]现在大多数的推挽电路存在的问题是在IGBT导通关断过程中三极管工作在放大区，损耗较大；且实际设计的推挽驱动电路的驱动电流不一定能保证IGBT可靠的驱动。

技术实现思路

[0005]本申请的主要目的在于提供一种IGBT驱动电路与电子设备，以解决现有技术中推挽驱动电路的驱动电流不一定保证IGBT可靠的驱动的问题。
[0006]为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种IGBT驱动电路，包括：光耦单元；推挽单元，与所述光耦单元电连接；电阻可调单元，分别与所述光耦单元和所述推挽单元电连接，通过调节所述电阻可调单元的阻值，实时调节所述推挽单元的输出电流的大小，所述推挽单元的输出电流为IGBT的栅极驱动电流。
[0007]可选地，所述光耦单元具有输出端、正电源端和负电源端，所述推挽单元包括第一三极管和第二三极管，所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极分别与所述光耦单元的输出端电连接，所述电阻可调单元包括第一电阻可调模块和第二电阻可调模块，所述第一电阻可调模块的第一端与所述光耦单元的正电源端电连接，所述第一电阻可调模块的第二端与所述第一三极管的集电极电连接，所述第二电阻可调模块的第一端与所述光耦单元的负电源端电连接，所述第二电阻可调模块的第二端与所述第二三极管的集电极电连接，所述第一三极管的发射极和所述第二三极管的发射极电连接，且所述第一三极管的发射极和所述第二三极管的发射极用于连接所述IGBT的栅极。
[0008]可选地，所述电路还包括：第一定值电阻单元，具有第一端和第二端，所述第一定值电阻单元的第一端与所述第一三极管的集电极电连接，所述第一定值电阻单元的第二端接地；第二定值电阻单元，具有第一端和第二端，所述第二定值电阻单元的第一端与所述第二三极管的集电极电连接，所述第二定值电阻单元的第二端接地。
[0009]可选地，所述驱动电路还包括电流检测单元，所述电流检测单元的第一端与所述
推挽单元电连接，所述电流检测单元的第二端用于连接所述IGBT的栅极。
[0010]可选地，所述驱动电路还包括：电流控制单元，分别与所述电流检测单元和所述电阻可调单元电连接，用于根据所述电流检测单元检测到的实际电流和IGBT的理论驱动电流，调整所述电阻可调单元的阻值。
[0011]可选地，所述电路还包括：第一电容单元，具有第一端和第二端，所述第一电容单元的第一端与所述光耦单元的负电源端电连接，所述第一电容单元的第二端接地；第二电容单元，具有第一端和第二端，所述第二电容单元的第一端与所述光耦单元的正电源端电连接，所述第二电容单元的第二端接地。
[0012]可选地，所述第一三极管为NPN型三极管，所述第二三极管为PNP型三极管。
[0013]可选地，所述电阻可调单元为数字电位计。
[0014]可选地，所述光耦单元的输入信号为PWM信号。
[0015]根据本申请的另一个方面，提供了一种电子设备，包括任意一种所述的IGBT驱动电路和IGBT，所述IGBT驱动电路与所述IGBT电连接。
[0016]应用本申请的技术方案，IGBT驱动电路通过调节电阻可调单元的阻值，以实现对推挽单元的输出电流的大小进行调节，以保证对不同的IGBT的驱动。解决了现有技术中的推挽单元输出的驱动电流不可调的问题，以保证对IGBT可靠的驱动。使得驱动电路可以适配不同额定电流的IGBT。节省硬件资源。
附图说明
[0017]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
[0018]图1示出了现有技术中的IGBT推挽驱动电路图；
[0019]图2示出了根据本申请的实施例的IGBT驱动电路图；
[0020]图3示出了根据本申请的实施例的栅极驱动电流调节流程图。
[0021]其中，上述附图包括以下附图标记：
[0022]10、光耦单元；11、输出端；12、正电源端；13、负电源端；20、推挽单元；21、第一三极管；22、第二三极管；30、电阻可调单元；31、第一电阻可调模块；32、第二电阻可调模块；40、第一定值电阻单元；50、第二定值电阻单元；60、电流检测单元；70、电流控制单元；80、第一电容单元；90、第二电容单元。
具体实施方式
[0023]应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属
的普通技术人员通常理解的相同含义。
[0024]需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
[0025]应该理解的是，当元件(诸如层、膜、区域、或衬底)描述为在另一元件“上”时，该元
件可直接在该另一元件上，或者也可存在中间元件。而且，在说明书以及权利要求书中，当描述有元件“连接”至另一元件时，该元件可“直接连接”至该另一元件，或者通过第三元件“连接”至该另一元件。
[0026]为了便于描述，以下对本申请实施例涉及的部分名词或术语进行说明：
[0027]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transisitor)：绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GRT的低导通压降两方面的优点。
[0028]正如
技术介绍
所介绍的，现有技术中的推挽驱动电路的驱动电流不一定保证IGBT可靠的驱动，为了解决如上推挽驱动电路的驱动电流不一定保证IGBT可靠的驱动的问题，本申请的实施例提供了一种IGBT驱动电路与电子设备。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT驱动电路，其特征在于，包括：光耦单元；推挽单元，与所述光耦单元电连接；电阻可调单元，分别与所述光耦单元和所述推挽单元电连接，通过调节所述电阻可调单元的阻值，实时调节所述推挽单元的输出电流的大小，所述推挽单元的输出电流为IGBT的栅极驱动电流。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述光耦单元具有输出端、正电源端和负电源端，所述推挽单元包括第一三极管和第二三极管，所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极分别与所述光耦单元的输出端电连接，所述电阻可调单元包括第一电阻可调模块和第二电阻可调模块，所述第一电阻可调模块的第一端与所述光耦单元的正电源端电连接，所述第一电阻可调模块的第二端与所述第一三极管的集电极电连接，所述第二电阻可调模块的第一端与所述光耦单元的负电源端电连接，所述第二电阻可调模块的第二端与所述第二三极管的集电极电连接，所述第一三极管的发射极和所述第二三极管的发射极电连接，且所述第一三极管的发射极和所述第二三极管的发射极用于连接所述IGBT的栅极。3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述电路还包括：第一定值电阻单元，具有第一端和第二端，所述第一定值电阻单元的第一端与所述第一三极管的集电极电连接，所述第一定值电阻单元的第二端接地；第二定值电阻单元，具有第一端和第二端，所述第二定值电阻单元的第一端与所述第二三极管的集电...

【专利技术属性】
技术研发人员：张家梁，谭章德，刘旭龙，郑培杰，李通，张敏，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：