【技术实现步骤摘要】
一种晶圆清洗装置
[0001]本专利技术涉及半导体材料制造领域,尤其涉及一种晶圆清洗装置。
技术介绍
[0002]晶圆是指制作硅半导体电路中所用的硅晶片,其原始材料是硅。在高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,便可形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,即所谓的晶圆。晶圆因自身优秀的结晶特性以及纯度,被广泛应用于半导体行业。
[0003]随着集成电路的不断发展,芯片的尺寸被设计的越来越小,互联层数也逐渐增加,因此晶圆的尺寸也不断增大,若要在集成电路中实现多层布线,则要求晶圆的表面必须平整,因此可将晶圆表面平坦化处理的化学机械抛光技术成为了晶圆制造行业的主要技术,但晶圆经过化学机械抛光后,其表面会残留大量颗粒、有机物及金属离子,因此需要对晶圆表面进行刷洗。
[0004]现有的晶圆清洗装置多种多样,其中以传送带作为运输通道,通过翻面装置将晶圆翻面从而进行双面清洗的形式比较常见。晶圆清洗的方式有传统的机械式清洗,即用清洁刷直接对晶圆表面进行清洗,此类方式易使晶圆片表面的大量颗粒、有机物和金属离子进入到清洁刷的刷套中,对后续晶圆的清洗质量产生影响,且清洁刷与晶圆表面直接接触,易对晶圆表面产生损害,降低产品表面性能;此外,也有晶圆清洗装置采用喷嘴式设计的喷淋头,用清洗液反复冲刷晶圆,实现对晶圆片表面的清洁和润湿,此种方式仅凭借喷淋头的冲刷作用对晶圆表面冲洗,虽然减小了对晶圆表面的损伤,但清洗效果不佳,晶圆表面的强力吸附杂质难以清除,且平面式的晶圆放置方法单次只能清洗晶圆一面 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗装置,其特征在于,包括隧道(1),隧道(1)的顶面固设顶板(2)、底面固设滑板气缸(3),顶板(2)与滑板气缸(3)的缸体左、右两端分别转设橡胶对辊(4),橡胶对辊(4)之间的间隙小于等于晶圆(100)的厚度,橡胶对辊(4)的辊轴(5)上分别固设相互啮合的齿轮(6),其中一个辊轴(5)上固设第一从动带轮(7),与顶板(2)或滑板气缸(3)的缸体固接的第一电机(8)的电机轴上固设第一主动带轮(11),第一从动带轮(7)和第一主动带轮(11)上绕设第一皮带(10);滑板气缸(3)的滑板(31)中部固设两个立板(9),两个立板(9)的顶端固设板刷(16),两个板刷(16)的刷毛能够分别抵接晶圆(100)的两侧端面;顶板(2)中部固设上轮架(12)、第二电机(18),上轮架(12)的下端转设驱动轮(21),驱动轮(21)的驱动轴的一端固设第二主动带轮(13),第二电机(18)的电机轴上固设第二从动带轮(14),第二主动带轮(13)和第二从动带轮(14)上绕设第二皮带(17);滑板(31)的两端分别转设撑杆(15),撑杆(15)的上端转设支撑轮(20),撑杆(15)的下端固设不完全齿轮(19),撑杆(15)的中部内侧连接拉簧(27)的一端,拉簧(27)的另一端与滑板(31)的中部连接,滑板气缸(3)的两端缸体(32)的内端面分别固设一根插条(28),插条上固设一段齿数与不完全齿轮(19)齿数相应的齿条(29),插条(28)的下表面与滑板(31)的上表面滑动配合,齿条(29)与不完全齿轮(19)啮合;清洗管(22)的穿过隧道(1)与顶板(2)固接,清洗管(22)的下端连接两个清洗支管(33),清洗支管(33)的下端连接喷液头(23),两个喷液头(23)分别朝向晶圆(100)的一侧端面;顶板(2)的右侧固设喷气头(26),喷气头(26)连接穿过隧道(1)的高压气管(30)。2.一种晶圆清洗装置,其特征在于,包括隧道(1),隧道(1)的顶面固设顶板(2)、底面固设滑板气缸(3),顶板(2)与滑板气缸(3)的缸体左、右两端分别转设橡胶对辊(4),橡胶对辊(4)之间的间隙小于等于晶圆(100)的厚度,橡胶对辊(4)的辊轴(5)上分别固设相互啮合的齿轮(6),其中一个辊轴(5)上固设第一从动带轮(7),与顶板(2)或滑板气缸(3)的缸体固接的第一电机(8)的电机轴上固设第一主动带轮(11),第一从动带轮(7)和第一主动带轮(11)上绕设第一皮带(10);滑板气缸(3)的滑板(31)中部固设两个立板(9),两个立板(9)的顶端固设板刷(16),两个板刷(16)的刷毛能够分别抵接晶圆(100)的两侧端面;顶板(2)中部固设上轮架(12)、第二电机(18),上轮架(12)的下端转设驱动轮(21),驱动轮(21)的驱动轴的一端固设第二主动带轮(13),第二电机(18)的电机轴上固设第二从动带轮(14),第二主动带轮(13)和第二从动带轮(14)上绕设第二皮带(17);滑板(31)的两端分别固设旋转电磁铁(38),旋转电磁铁(38)的输出轴(39)上固设摆板(40),摆板(40)的上端固接弹簧(41),弹簧(41)的上端固接U形架(44),U形架(44)上转设支撑轮(20),在旋转电磁铁(38)的输出轴(39)的带动下...
【专利技术属性】
技术研发人员:李晨阳,管飞,邓宏远,邓二平,黄永章,
申请(专利权)人:华电烟台功率半导体技术研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:
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