高密度掩模式只读存贮体制造技术

一种高密度掩模式只读存贮体（ＭＡＳＫ ＲＯＭ）的解码线路与布局改良，其中使用并联式的架构（ＮＯＲ ＴＹＰＥ），包括许多存储区间，利用区间选择线路（ＢＬＯＣＫ ＳＥＬＥＣＴ）先选择一个区间，再以字线（ＷＯＲＤ ＬＩＮＥ）选定数据，由位线（ＢＩＴ ＬＩＮＥ）将数据送出，而构成区间选择开关的金属氧化物场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）共用栅极（ＧＡＴＥ），因此大大提高了集成密度及读取速度。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种高密度掩模式只读存贮体。包括许多记忆区间，再利用区间选择技术选择特定区间，故降低了位线负载，因而减少消耗功率、提高读取速度，另外，构成区间选择开关的金属氧化物场效应晶体管共用栅极，因此大大提高集成密度。对于只读存贮体的发展，最要紧的是高读取速度、低消耗功率以及高容量，其中尤以高速与高容量最受重视，成为追求改进的主要发展方向。然而，因为线路与布局有密切的关系，通常线路的设计会影响到布局，亦即影响到集成化密度，故如能创新线路改善存贮体的性能，同时又能节省元件装置面积，提高密度，则为设计者所追求的目的。在现有高密度的只读存贮体中，由于有时迁就布局，导致存贮体的性能变差，例如集成电路上的金属连线必须弯曲绕行，或为了改进性能而加入其它附加线路使得整体趋于复杂且集成密度降低，形成浪费，在实践中，这两种问题都限难解决。本专利技术的主要目的即在改善上述现有技术的缺失，提供一种高速、高密度及低消耗功率只读存贮体，特别是利用区间选择技术，并且优良布局节省线路面积的掩模只读存贮体。本专利技术高密度掩模式只读存贮体包括存贮区间，每一区间由许多存贮单元晶体管组成；区间选择线路，是由许本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高密度掩模式只读存贮体，包括： 存贮区间，每一区间由许多存贮单元晶体管组成； 区间选择线路，是由许多金属氧化物场效应晶体管构成，每三个金属氧化物场效应晶体管形成一选择开关单元； 位线金属连线，藉由接触窗及开关用的晶体管连接各区间； 虚拟地线金属连线，藉由接触窗及开关用的晶体管连接各区间； 字线多晶硅导体，控制存贮单元晶体管的栅极； 局部连线Ｎ埋层，作为存贮单元晶体管的源极或栅极及连线； 区间选择多晶硅导体，控制区间与位线、虚拟地线之间的导通与否。

【技术特征摘要】
1.一种高密度掩模式只读存贮体，包括存贮区间，每一区间由许多存贮单元晶体管组成；区间选择线路，是由许多金属氧化物场效应晶体管构成，每三个金属氧化物场效应晶体管形成一选择开关单元；位线金属连线，藉由接触窗及开关用的晶体管连接各区间；虚拟地线金属连线，藉由接触窗及开关用的晶体管连接各区间；字线多晶硅导体，控制存贮单元晶体管的栅极；局部连线N埋层，作为存贮单...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚执豪，
申请(专利权)人：凌阳科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]