半导体存储电路制造技术

一种半导体存储电路，该电路中，比较器（３１－１－１３－Ｎ）将读出放大器（１２－１－１２－Ｎ）的读出数据与输入数据比较，确定此二数据是否一致；闩锁电路（２０－１－２０－Ｎ）在控制信号（ＣＴＬ３）所定期间比较器输出一次表示不一致的数据，则保持并输出该数据；比较器常输出表示一致的数据，才输出表示一致的数据；判定电路（１６）在控制信号（ＣＴＬ４）所定期间，根据闩锁电路输出数据判定写入是否结束，再写入信号生成电路（３０）在判定电路输出写入未结束信号时，发送再写入信号到写入电路（１７）。具有能充分进行数据写入或擦除的优点。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术专门涉及对数据可电写入和擦除的半导体存储电路改善其自动写入和自动擦除功能。历来的数据可电写入和擦除半导体存储器，例如快速EEPROM，具有写入、擦除和读出等三种基本工作方式。附图说明图18为说明写入工作方式中的“自动写入”的流程图。现简单说明该自动写入方式。首先，将地址数据和输入数据输入到存储电路(步骤ST1)后，输入数据写入到该地址数据所指定的存储单元(步骤ST2)。经历存储单元所加高电压进行放电的恢复时间(步骤ST3)后，变成通过读出放大器验证存储单元阈值状态的验证工作方式(步骤ST4)。由比较器对读出放大器输出数据和存储电路输入数据进行比较，若两种数据一致，则输入数据的写入结束，若不一致，则输入数据再写入(步骤ST5—7)。这种再写入最多重复25次，两种数据经常不一致时，判断为该存储电路失效。因此，将所需数据写入存储单元后，通过读出放大器读取该存储单元的阈值状态，自动判断所需数据是否已准确写入该存储单元，这种工作方式就是自动写入。而且，所需数据未写入存储单元时，反复进行数据写入，直到所需数据准确写入该存储单元。除自动写入外，还有自动擦除的工作方式。擦除存储单元的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储电路，其特征在于具有：根据输入数据，对存储单元进行写入或擦除的第１手段；读出上述存储单元所存数据的读出放大器；将上述读出放大器的读出数据与上述输入数据比较，确定此二数据是否一致的比较器；输入第１控制信号，并当在上述第１控制信号所确定的一定期间，上述比较器即使输出一次表示不一致的数据，就保持且持续输出该数据，只在上述比较器常输出表示一致的数据时，才输出该表示一致的数据的闩锁电路；输入第２控制信号，并在上述第２控制信号所确定的一定期间，根据上述闩锁电路的输出数据，判定对上述存储单元的写入或擦除是否结束的判定电路；在上述判定电路输出写入或擦除未结束信号时，使上述第１手段根据上述输入数据...

【技术特征摘要】
JP 1994-3-30 P06-0605211.一种半导体存储电路，其特征在于具有根据输入数据，对存储单元进行写入或擦除的第1手段；读出上述存储单元所存数据的读出放大器；将上述读出放大器的读出数据与上述输入数据比较，确定此二数据是否一致的比较器；输入第1控制信号，并当在上述第1控制信号所确定的一定期间，上述比较器即使输出一次表示不一致的数据，就保持且持续输出该数据，只在上述比较器常输出表示一致的数据时，才输出该表示一致的数据的闩锁电路；输入第2控制信号，并在上述第2控制信号所确定的一定期间，根据上述闩锁电路的输出数据，判定对上述存储单元的写入或擦除是否结束的判定电路；在上述判定电路输出写入或擦除未结束信号时，使上述第1手段根据上述输入数据，进行对上述存储单元的再写入或再擦除的第2手段。2.如权利要求1所述的半导体存储电路，其特征在于上述读出放大器具有将主存储单元阈值与基准存储单元阈值比较，根据上述主存储单元所流过单元电流与上述基准存储单元所流过单元电流的大小关系，确定读出数据的系统。3.如权利要求1所述的半导体存储电路，其特征在于还具有用来利...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤荣俊，宫川正，
申请(专利权)人：东芝株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]