一种倒装LED发光器件制造技术

一种倒装LED发光器件，包括塑胶结构、金属件、倒装LED芯片、齐纳二极管；塑胶结构包括塑胶支架和围坝圈；金属件包括第一金属件和第二金属件；第一金属件、第二金属件与塑胶支架连接，围坝圈设于所述第一金属件、第二金属件上端面；围坝圈包括围坝圈内部区域和围坝圈外部区域，倒装LED芯片设置于围坝圈内部区域并与所述第一金属件、第二金属件连接。芯片通过焊锡焊接在支架内，芯片本身无金线连接，器件可靠性更好，塑胶支架内设有围坝圈，将塑胶支架的碗杯内部部分分为内外两部分，围坝圈内用于放置倒装LED芯片，围坝圈外填充高反射硅胶，提高发光效率；且由于围坝圈的存在，避免了高反射硅胶覆盖倒装LED芯片的风险，保证了器件的高亮度。高亮度。高亮度。

【技术实现步骤摘要】
一种倒装LED发光器件


[0001]本技术属于LED
，具体涉及一种倒装LED发光器件。

技术介绍

[0002]现有的发光器件包括塑胶碗杯、金属件、LED芯片、LED芯片、齐纳二极管和导线。该 LED芯片固定于金属件上，通过导线与金属件相连形成通路；齐纳二极管固定于金属件上，反向并联于LED芯片的两端，以对LED芯片进行静电保护。但是，这种方法仍然会存在以下不足：
[0003]1、正装LED需要通过导线将LED芯片的正负极引出，在使用过程中，发热或遇冷容易使得金属线脱落或断裂，造成LED发光器件死灯的情况。
[0004]2、由于为了增强LED的发光光强，往往需要将金属层表面镀银，以增强光线反射，而银层易被空气氧化和硫化等特点，使得发光器件存在导电性能差、发光效率低。

技术实现思路

[0005]为了克服现有技术的上述缺点，本技术的目的在于提供一种倒装LED发光器件，旨在解决现有存在的发光器件导电性能差、发光效率低的问题。
[0006]本技术为达到其目的，所采用的技术方案如下：
[0007]一种倒装LED发光器件，包括塑胶结构、金属件、倒装LED芯片、齐纳二极管；
[0008]所述塑胶结构包括塑胶支架和围坝圈；
[0009]所述金属件包括第一金属件和第二金属件；
[0010]所述第一金属件、第二金属件与所述塑胶支架连接，且所述第一金属件与所述第二金属件分离式设置，所述围坝圈设于所述第一金属件、第二金属件上端面；
[0011]所述围坝圈包括围坝圈内部区域和围坝圈外部区域，所述倒装LED芯片设置于所述围坝圈内部区域并与所述第一金属件、第二金属件连接；
[0012]所述齐纳二极管设置于第一金属件，所述第二金属件设有导线，所述导线与所述齐纳二极管连接。
[0013]优选的，所述第一金属件且处于所述围坝圈内部区域位置设有正极固晶区，所述第二金属件且处于所述围坝圈内部区域位置设有负极固晶区，所述倒装LED芯片正负极通过焊锡分别固定在所述正极固晶区和所述负极固晶区上。
[0014]优选的，所述围坝圈的侧边截面形状为阶梯形结构，所述围坝圈的侧边包含围坝圈内件部和围坝圈外件部，所述围坝圈内件部的厚度小于所述围坝圈外件部的厚度，所述围坝圈内件部环绕形成围坝圈内部区域。
[0015]优选的，在第一金属件上设置有齐纳放置区，所述齐纳放置区位于所述围坝圈与所述塑胶支架之间，所述齐纳放置区与所述塑胶支架交接处为圆弧过渡结构，所述齐纳二极管设置于所述齐纳放置区。
[0016]优选的，所述第一金属件和所述第二金属件上设有两对凹槽，所述第一金属件的
凹槽的槽口与所述第二金属件的凹槽的槽口相对设置，所述凹槽处填充绝缘件，所述围坝圈与所述凹槽相配合。
[0017]优选的，所述第一金属件和所述第二金属件设有通孔，所述通孔内填充有填充件，所述填充件上表面与所述围坝圈相连。
[0018]优选的，所述围坝圈内部区域的面积大于所述倒装LED芯片的面积，所述倒装LED芯片与所述围坝圈内件部的接触面相重叠。
[0019]优选的，所述塑胶支架与所述围坝圈之间填充高反射硅胶，所述齐纳二极管被所述高反射硅胶覆盖。
[0020]与现有技术了相比，本技术的方案具体的有益效果：
[0021]采用倒装LED芯片，芯片通过焊锡焊接在支架内，芯片本身无金线连接，器件可靠性更好，塑胶支架内设有围坝圈，将塑胶支架的碗杯内部部分分为内外两部分，围坝圈内用于放置倒装LED芯片，围坝圈外填充高反射硅胶，提高发光效率；且由于围坝圈的存在，避免了高反射硅胶覆盖倒装LED芯片的风险，保证了器件的高亮度。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本技术实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1是本技术实施例的倒装LED发光器件的结构图；
[0024]图2是本技术实施例的倒装LED发光器件除去倒装LED芯片的结构图；
[0025]图3是本技术实施例的金属件的示意图；
[0026]图4是本技术实施例的倒装LED发光器件除去高反射硅胶和荧光层的横截面示意图；
[0027]图5是本技术实施例的倒装LED发光器件的横截面示意图；
[0028]附图标记说明：
[0029]10
‑
负极标识区、101
‑
标识凸起、11
‑
塑胶支架、12
‑
围坝圈、121
‑
围坝圈外件部、122
‑ꢀ
围坝圈内件部、13
‑
填充件、14
‑
绝缘件、21
‑
第一金属件、22
‑
第二金属件、211
‑
正极固晶区、 221
‑
负极固晶区、3
‑
倒装LED芯片、31
‑
焊锡、4
‑
齐纳二极管、5
‑
导线、6
‑
通孔、71
‑
第一凹槽、72
‑
第二凹槽、8
‑
高反射硅胶、9
‑
荧光层。
具体实施方式
[0030]为了能够更清楚地理解本技术的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本技术进行详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，所描述的实施方式仅仅是本技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。
[0031]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领
域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本技术。
[0032]由图1至图5所示，本实施例包括一种倒装LED发光器件，包括塑胶结构、金属件、倒装LED芯片3、齐纳二极管4；
[0033]所述塑胶结构包括塑胶支架11和围坝圈12；
[0034]所述金属件包括第一金属件21和第二金属件22；
[0035]所述第一金属件21、第二金属件22与所述塑胶支架11连接，且所述第一金属件21与所述第二金属件22分离式设置，所述围坝圈12设于所述第一金属件21、第二金属件22上端面；
[0036]所述围坝圈12包括围坝圈12内部区域和围坝圈12外部区域，所述第一金属件21且处于所述围坝本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种倒装LED发光器件，其特征在于，包括塑胶结构、金属件、倒装LED芯片、齐纳二极管；所述塑胶结构包括塑胶支架和围坝圈；所述金属件包括第一金属件和第二金属件；所述第一金属件、第二金属件与所述塑胶支架连接，且所述第一金属件与所述第二金属件分离式设置，所述围坝圈设于所述第一金属件、第二金属件上端面；所述围坝圈包括围坝圈内部区域和围坝圈外部区域，所述倒装LED芯片设置于所述围坝圈内部区域并与所述第一金属件、第二金属件连接；所述齐纳二极管设置于第一金属件，所述第二金属件设有导线，所述导线与所述齐纳二极管连接。2.根据权利要求1所述的倒装LED发光器件，其特征在于，所述第一金属件且处于所述围坝圈内部区域位置设有正极固晶区，所述第二金属件且处于所述围坝圈内部区域位置设有负极固晶区，所述倒装LED芯片正负极通过焊锡分别固定在所述正极固晶区和所述负极固晶区上。3.根据权利要求1所述的倒装LED发光器件，其特征在于，所述围坝圈的侧边截面形状为阶梯形结构，所述围坝圈的侧边包含围坝圈内件部和围坝圈外件部，所述围坝圈内件部的厚度小于所述围坝圈外件部的厚度，所述围坝圈内件部环绕形成围坝圈内部区域。4.根据权利要求1所述的倒装LED发光器件，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐波，万垂铭，朱文敏，蓝义安，吴金其，曾照明，肖国伟，
申请(专利权)人：广东晶科电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：