【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体存储器，更具体地，涉及一种采用一种芯片内数据模式发生器以测试存储器器件的装置。电路的迅速发展增加了对存储器进行测试的难度和成本。高密度存储器的开发为测试复杂性引入了新的尺度，例如，较高速的同步DRAM的需求包括着更为复杂和更为费时的模式测试。采用用于存储器测试的测试系统会需要额外的设备以保持现有的产量水平。为了保持用于较复杂的高速存储器器件所需的产量而增加的测试设备是高成本的典型。与现行的和未来若干代的高密度存储器相关的另一课题是与测试设备的速度与精度相关的芯片频率。能够与被测试芯片保持同样高速的高速测试系统愈来愈难找到。一般地，器件频率的提高快过测试设备精度的提高。同时，测试设备变得愈来愈复杂。芯片引脚的数量愈来愈多，因而需要通过触及更多的引脚来保持精度。再有，对于生产厂家和测试设备来说，保持成本在一个合理的水平并且在一个合理的时间范围内进行测试，也是一个课题。在半导体存储器的测试中，外部的测试设备向存储器矩阵中的一个单元写入一个已知的数据模式以进行测试。该数据模式再被读回测试设备并与已知的数据模式相比较。数据模式例如可包括一个物理模式...
【技术保护点】
一种半导体存储器芯片，包括： 一个被测试的第一存储器矩阵，它包括多个按行和列方式排列的存储器单元，所述存储器单元可以通过利用位线和字线向其进行读和写数据而被存取，在输入／输出引脚提供所述数据；和 一个模式发生器，它形成在所述存储器芯片之内，所述模式发生器还包括： 一个具有多个存储器体的可编程存储器矩阵，所述存储器体具有多个按行和列方式排列的存储器单元，所述存储器体可以存储按照被产生来用于所述第一存储器矩阵的各输入／输出引脚的模式的数据；和 用于对存储在所述可编程存储器矩阵中的数据进行寻址的装置，以便按地址寻找到要传输至或来自所述第一存储器矩阵的单个数据。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 1999-5-17 09/3129741．一种半导体存储器芯片，包括一个被测试的第一存储器矩阵，它包括多个按行和列方式排列的存储器单元，所述存储器单元可以通过利用位线和字线向其进行读和写数据而被存取，在输入/输出引脚提供所述数据；和一个模式发生器，它形成在所述存储器芯片之内，所述模式发生器还包括一个具有多个存储器体的可编程存储器矩阵，所述存储器体具有多个按行和列方式排列的存储器单元，所述存储器体可以存储按照被产生来用于所述第一存储器矩阵的各输入/输出引脚的模式的数据；和用于对存储在所述可编程存储器矩阵中的数据进行寻址的装置，以便按地址寻找到要传输至或来自所述第一存储器矩阵的单个数据。2．根据权利要求1所述的半导体存储器芯片，其特征在于，所述用于寻址的装置包括在所述半导体芯片之内。3．根据权利要求1所述的半导体存储器芯片，其特征在于，所述用于寻址的装置由一个外部测试装置提供。4．根据权利要求1所述的半导体存储器芯片，其特征在于，所述模式发生器包括一个模式地址输入，以选择一个存储于所述可编程存储器矩阵中的模式。5．根据权利要求1所述的半导体存储器芯片，其特征在于，所述可编程存储器矩阵包括其中存储有模式数据的只读存储器。6．根据权利要求1所述的半导体存储器芯片，其特征在于，所述存储器芯片是一个动态随机存取存储器芯片。7．根据权利要求1所述的半导体存储器芯片，其特征在于，所述寻址装置包括字线和传感放大器，以激活所述可编成存储器矩阵的所述存储器单元。8．根据权利要求1所述的半导体存储器芯片，其特征在于，所述多个数据模式中的每一个存储于若干个存储器体中。9．根据权利要求1所述的半导体存储器芯片，其特征在于，所述被产生的模式是一个物理模式、一个逻辑模式和一个检查模式的其中之一。10．一种半导体存储器芯片，包括一个被测试的第一存储器矩阵，它包括多个按行和列方式排列的存储器单元，所述存储器单元可以通过利用位线和字线向其进行读和写数据而被存取，在输入/输出引脚提供所述数据；和一个模式发生器，它形成在所述存储器芯片之内，所述模式发生器还包括一个具有多个存储器体的可编程存储器矩阵，所述存储器体具有多个按行和列方式排列的存储器单元，所述存储器体可以存储按照被产生来用于所述第一存储器矩阵的各输入/输出引脚的模式的数据；用于对存储在所述可编程存储器矩阵中的数据进行寻址的装置，以便按地址寻找到要传输至或来自所述第一存储器矩阵的单个数据；一个模式解码器，用于根据一个输入信号...
【专利技术属性】
技术研发人员：G弗兰科夫斯基，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术北美公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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