【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有带磁致电阻存储效应的存储器单元的，具有矩阵形存储器单元阵列的一种集成存储器，此存储器单元阵列具有列线和行线，在此存储器上存储器单元是分别连接在列线之一和行线之一之间的，在此存储器上为了读出相应存储器单元的数据信号列线是分别与读出放大器连接的，此读出放大器具有反馈的运算放大器，在此运算放大器上读出信号是可采集的，并且在此存储器上运算放大器的一个第一控制输入端是与列线之一连接的。具有磁致电阻存储效应的存储器单元为了存储数据信号一般具有在其状态方面可改变的铁磁层。这种存储效应一般是作为所谓的GMR效应(巨型磁致电阻)或TMR效应(隧道磁致电阻)已知的。这种类型存储器单元的电阻在此是取决于铁磁层中的磁化的。在DE19740942.3中说明了一种存储器单元装置及其作为磁性RAM(所谓的MRAM)的用途。存储器单元装置具有相互间主要地平行分布的行线和列线，在此行线垂直于列线分布。安排了具有磁致电阻存储效应的存储器单元，这些存储器单元是分别连接在行线之一和列线之一之间的，并且这些存储器单元比行线和列线有较高欧姆。为了读出存储器单元之一的数据信号列线分别与...
【技术保护点】
集成存储器 －具有带磁致电阻存储效应的存储器单元（ＭＣ） －具有矩阵形存储器单元阵列（１），此存储器单元阵列具有列线（ＢＬ）和行线（ＷＬ）， －在此存储器上存储器单元（ＭＣ）是分别连接到列线（ＢＬ）之一和行线（ＷＬ）之一之间的， －在此存储器上为了读出相应存储器单元（ＭＣ）的数据信号列线（ＢＬ）是分别与读出放大器（２）连接的， －在此存储器上读出放大器（２）具有在其上可采集读出信号（ＯＵＴ）的一个反馈运算放大器（３）， －在此存储器上运算放大器（３）的一个第一控制输入端（３１）是与列线（ＢＬ）之一连接的，其特征在于， 一个电容器（５...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2000-3-3 10010457.61．集成存储器-具有带磁致电阻存储效应的存储器单元(MC)-具有矩阵形存储器单元阵列(1)，此存储器单元阵列具有列线(BL)和行线(WL)，-在此存储器上存储器单元(MC)是分别连接到列线(BL)之一和行线(WL)之一之间的，-在此存储器上为了读出相应存储器单元(MC)的数据信号列线(BL)是分别与读出放大器(2)连接的，-在此存储器上读出放大器(2)具有在其上可采集读出信号(OUT)的一个反馈运算放大器(3)，-在此存储器上运算放大器(3)的一个第一控制输入端(31)是与列线(BL)之一连接的，其特征在于，一个电容器(5)是连接到运算放大器(3)的一个第二控制输入端(32)和供电电位(GND)的接头之间的。2．按权利要求1的集成存储器，其特征在于，-一个第一开关...
【专利技术属性】
技术研发人员：T施勒塞尔，R特维斯，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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