半导体存储器件制造技术

为了降低电源电路的电路规模和电源电路在半导体衬底上方占用的面积，为存储电路的各个部分提供电源电压的电源电路包括字驱动器电源（第一电源电路）、读出放大器电源（第二电源电路）、位线预充电电源、单元板电源、衬底偏置电源和字线偏置电源。字驱动器电源为字驱动器提供通过直接升高外部电源电压产生的电压，而其它电源（例如，读出放大器电源）为读出放大器等提供通过降低外部电源电压产生的电压。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及称作DRAM(动态随机访问存储器)等的半导体存储器件，更具体地，涉及与电源电路相关的半导体存储器件的结构。
技术介绍
在半导体存储器件中，例如，DRAM等，预定电压加到字线上，用读出放大器放大通过施加预定电压在位线上产生的电位差，从而读出存储的信息。加到驱动字线的字驱动器的电源电压设置为高于加到读出放大器等的电源电压的电平，从而使位线上的电位差尽可能大。同时，在最近几年，随着半导体工艺变得更加精细或者随着工作电压变得更低，从半导体存储器件的外部的器件提供电源电压的变化容限不断降低。为了克服这种问题，在半导体存储器的内部提供稳压电源电路，从而通过降压和稳压一个外部电源电压产生的内部电源电压加到读出放大器等。经过降压和稳压的内部电源电压由升压电路(pump-up circuit)升压，并加到字驱动器(例如，参看日本待审专利公开No.6-140889)。但是，在上述常规半导体存储器件中，由于在经过降压的内部电源电压在加到字驱动器之前升压，所以由升压电路进行电压转换的程度较大。因此，电压的转换效率较低，并且包括升压电路的电源电路的电路规模和电源电路占用的面积相对较大。这些问本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器件，包括：通过存储电荷来存储信息的多个存储单元；具有一个连接到所述存储单元的源极／漏极端和连接到位线的另一个源极／漏极端的访问晶体管；连接到访问晶体管的栅极端的字线；用于放大位线电压的读出放大 器；用于产生用来驱动所述字线的第一电源电压的第一电源电路；以及用于产生用来驱动所述读出放大器的第二电源电压的第二电源电路，其中所述第一电源电路升高外部电源提供的电源电压，以及所述第二电源电路降低所述外部电源提 供的所述电源电压。

【技术特征摘要】
JP 2003-12-10 411308/20031.一种半导体存储器件，包括通过存储电荷来存储信息的多个存储单元；具有一个连接到所述存储单元的源极/漏极端和连接到位线的另一个源极/漏极端的访问晶体管；连接到访问晶体管的栅极端的字线；用于放大位线电压的读出放大器；用于产生用来驱动所述字线的第一电源电压的第一电源电路；以及用于产生用来驱动所述读出放大器的第二电源电压的第二电源电路，其中所述第一电源电路升高外部电源提供的电源电压，以及所述第二电源电路降低所述外部电源提供的所述电源电压。2.根据权利要求1的半导体存储器件，还包括用于控制所述半导体存储器件的操作的操作控制电路，其中所述第二电源电路也为所述操作控制电路提供所述第二电源电压。3.根据权利要求1的半导体存储器件，其中所述第一电源电路包括电荷泵电路；为所述电荷泵电路提供时钟信号的振荡电路；以及控制所述电荷泵电路的输出电压保持恒定而与所述外部电源提供的所述电源电压的变化无关的电压控制电路。4.根据权利要求1的半导体存储器件，其中所述读出放大器包括读出放大器晶体管；所述访问晶体管和所述读出放大器晶体管由具有不同厚度的栅极绝缘膜的晶体管形成；以及所述访问晶体管的所述栅极绝缘膜比所述读出放大器晶体管的栅极绝缘膜厚。5.根据权利要求1的半导体存储器件，其中所述第一电源电路具有所述第一电源电压随温度的降低而增加的温度特性。6.根据权利要求1的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：大塚英文，大田清人，藤本知则，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]