一种优化沉积腔的线式PECVD设备制造技术

本实用新型专利技术涉及一种优化沉积腔的线式PECVD设备，它包括第一沉积装置、第二沉积装置以及第三沉积装置；所述第一沉积装置包括两端分设有密封隔断组件的第一反应室；所述第一反应室主要由依次连接的二个以上第一反应腔构成；所述第二沉积装置包括两端分设有密封隔断组件的第二反应室；所述第二反应室主要由依次连接的三个以上第二反应腔构成；所述第三沉积装置包括两端分设有密封隔断组件的第三反应室；所述第三反应室主要由依次连接的一个以上第三反应腔构成。本实用新型专利技术的目的在于提供一种优化沉积腔的线式PECVD设备，对各沉积反应进行分段，以调整各沉积反应间的工作节拍，提高整线的产能。高整线的产能。高整线的产能。

【技术实现步骤摘要】
一种优化沉积腔的线式PECVD设备


[0001]本技术涉及一种优化沉积腔的线式PECVD设备。

技术介绍

[0002]太阳能电池片的生产中，通常采用PECVD设备在硅片的正反面进行非晶硅本征层(I层)和N型薄膜硅层(N层)或P型薄膜硅层(P层)的沉积，目前存在以下问题：1、因I层、N层、P层各层所需的沉积工艺时间长短不一，特别是进行I层沉积所需时间较长，后续工序等待时间长，影响沉积效率，严重影响整线的产能节拍；2、相邻反应室沉积不同膜层时，容易出现残留气体相互之间交叉污染，影响产品的质量及电性转换效率。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种优化沉积腔的线式PECVD设备，对各沉积反应进行分段，以调整各沉积反应间的工作节拍，提高整线的产能。
[0004]本技术的目的通过如下技术方案实现：
[0005]一种优化沉积腔的线式PECVD设备，它包括第一沉积装置、第二沉积装置以及第三沉积装置；所述第一沉积装置包括两端分设有密封隔断组件的第一反应室；所述第一反应室主要由依次连接的二个以上第一反应腔构成；所述第二沉积装置包括两端分设有密封隔断组件的第二反应室；所述第二反应室主要由依次连接的三个以上第二反应腔构成；所述第三沉积装置包括两端分设有密封隔断组件的第三反应室；所述第三反应室主要由依次连接的一个以上第三反应腔构成。
[0006]较之现有技术而言，本技术的优点在于：对各沉积反应进行分段，在满足工艺需求的前提下，提升整线运行节拍，即节约沉积时间，又保证了工艺的可灵活调整性。<br/>附图说明
[0007]图1是本技术一种优化沉积腔的线式PECVD设备的实施例的结构简图。
[0008]图2是图1中的第一沉积装置及关联设备的局部放大图。
[0009]图3是图1中的第二沉积装置及关联设备的局部放大图。
[0010]图4是图1中的第三沉积装置及关联设备的局部放大图。
[0011]图5是图1的侧视简图。
[0012]图6是反应腔一种实施例的剖视简图，图中反映加热板与载板相分离的状态。
[0013]图7是图6的另一状态简图，图中反映加热板与载板相接触的状态。
[0014]图8是图6中载板一种实施例的俯视结构简图。
[0015]图9是本技术一种优化沉积腔的线式PECVD设备的另一实施例的结构简图。
[0016]图10是图9中的第一沉积装置及关联设备的局部放大图。
[0017]图11是图9中的第二沉积装置及关联设备的局部放大图。
[0018]图12是本技术一种优化沉积腔的线式PECVD设备的另一实施例的结构简图。
[0019]图13是图12中的第一沉积装置及关联设备的局部放大图。
[0020]图14是图12中的第二沉积装置及关联设备的局部放大图。
[0021]图15是图12中的第三沉积装置及关联设备的局部放大图。
[0022]标号说明：
[0023]A101
‑
第一载板升降机构
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
A102
‑
第一装载组件
[0024]A104
‑
第一花篮传输机构
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
A105
‑
第一花篮出片机构
[0025]A106
‑
第一基片上料机构
[0026]B101
‑
第一预热腔I
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
B110
‑
第一预热腔II
[0027]B102
‑
第一反应腔I
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
B103
‑
第一反应腔II
[0028]B114
‑
第一反应腔III
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
B104
‑
第一冷却腔I
[0029]B111
‑
第一冷却腔II
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
B105
‑
第一预热室第一密封隔断组件
[0030]B112
‑
第一预热室第二密封隔断组件 B106
‑
第一反应室第一密封隔断组件
[0031]B107、B115
‑
第一反应室第二密封隔断组件
[0032]B108
‑
第一冷却室第一密封隔断组件 B109
‑
第一冷却室第二密封隔断组件
[0033]B113
‑
第一冷却室第三密封隔断组件
[0034]C101
‑
第一出片组件
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
C103
‑
第一载板回转机构
[0035]C106
‑
第一基片收集机构
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
C107
‑
第一装片机构
[0036]C108
‑
第一花篮输送机构
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
C109
‑
第一卸片机构
[0037]C110
‑
第一基片分装机构
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
C104
‑
第二装载组件
[0038]D101
‑
第二预热腔I
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
D102
‑
第二反应腔I
[0039]D112
‑
第二缓冲室
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
D103
‑
第二反应腔II
[0040]D104
‑
第二反应腔III
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
D115
‑
第二反应腔IV
[0041]D105
‑
第二冷却腔I
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
D106
‑
第二预热室第一密封隔断组件
[0042]D107
‑
第二反应室第一密封隔断组件 D108、D109、D116
‑
第二反应室第二密封隔断组件
[0043]D110
‑
第二冷却室第一密封隔断组件 D111
‑
第二冷却室第二密封隔断组件
[0044]D113
‑
第二缓冲室第一密封隔断组件 D114
‑
第二缓冲室第二密封隔断组件
[0045]E101
‑
第二出片组件
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
E103
‑
第二载板回转机构
[0046]E106
‑
第二基片收集机构
ꢀꢀ本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种优化沉积腔的线式PECVD设备，其特征在于：它包括第一沉积装置、第二沉积装置以及第三沉积装置；所述第一沉积装置包括两端分设有密封隔断组件的第一反应室；所述第一反应室主要由依次连接的二个以上第一反应腔构成；所述第二沉积装置包括两端分设有密封隔断组件的第二反应室；所述第二反应室主要由依次连接的三个以上第二反应腔构成；所述第三沉积装置包括两端分设有密封隔断组件的第三反应室；所述第三反应室主要由依次连接的一个以上第三反应腔构成。2.根据权利要求1所述的一种优化沉积腔的线式PECVD设备，其特征在于：所述第一反应室由完成第一沉积层分次沉积的两个以上第一反应腔构成；所述第二反应室，由完成第二沉积层一次性或分次沉积的一个以上第二反应腔以及完成第三沉积层分次沉积的二个以上第二反应腔构成，或者由完成第二沉积层分次沉积的两个以上第二反应腔以及完成第三沉积层一次性或分次沉积的一个以上第二反应腔构成；所述第三反应室由完成第四沉积层一次性或分次沉积的一个以上第三反应腔。3.根据权利要求2所述的一种优化沉积腔的线式PECVD设备，其特征在于：当相邻两第二反应腔进行不同的沉积反应时，该两个第二反应腔之间设有第二缓冲室；所述第二缓冲室进料端设有第二缓冲室第一密封隔断组件；所述第二缓冲室出料端设有第二缓冲室第二密封隔断组件。4.根据权利要求3所述的一种优化沉积腔的线式PECVD设备，其特征在于：所述第一沉积装置还包括出料端与第一反应室进料端相连的第一预热室以及进料端与第一反应室出料端相连的第一冷却室；所述第一预热室由依次连接的一个以上预热腔构成；所述第二沉积装置还包括出料端与第二反应室进料端相连的第二预热室以及进料端与第二反应室出料端相连的第二冷却室；所述第三沉积装置还包括出料端与第三反应室进料端相连的第三预热室以及进料端与第三反应室出料端相连的第三冷却室；所述第二预热室由依次连接的一个以上预热腔构成。5.根据权利要求2
‑
4任意一项所述的一种优化沉积腔的线式PECVD设备，其特征在于：所述第一反应室由依次连接的第一反应腔I、第一反应腔II构成；所述第一反应腔I为沉积硅片一面的非晶硅本征层部分厚度的非晶硅本征层反应腔室A；所述第一反应腔II为沉积硅片一面非晶硅本征层余下厚度的非晶硅本征层反应腔室II；所述第二反应室由依次连接的第二反应腔I、第二反应腔II、第二反应腔II...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨与胜，倪鹏玉，庄辉虎，练小洪，
申请(专利权)人：福建金石能源有限公司，
类型：新型
国别省市：