垂直式等离子体增强化学气相沉积结构制造技术

本实用新型专利技术公开了的垂直式等离子体增强化学气相沉积结构包括箱体以及设于箱体之腔体内的气盒机构、电极机构、旋转驱动机构和载具，气盒机构包括呈中空结构的气盒体，气盒体的顶面中心处开设有与气腔连通且穿置于箱体之顶部的进气口，气盒体的底面呈平行的等间距设置有隔板，相邻两隔板之间的气盒体的底面贯穿开设有与气腔连通的呈条状的出气口，电极机构包括承载体，载具具有用于卡紧工件之一侧的卡槽，载具安装于旋转驱动机构的输出端，载具在旋转驱动机构的驱动下转动，以带动工件翻转，载具与电离腔之间形成沉积室，箱体开设有与沉积室连接的抽气口。故本实用新型专利技术的垂直式等离子体增强化学气相沉积结构具有沉积效果优良和效率高的优点。优良和效率高的优点。优良和效率高的优点。

【技术实现步骤摘要】
垂直式等离子体增强化学气相沉积结构


[0001]本技术涉及垂直式等离子体增强化学气相沉积结构，尤其涉及一种可同时对多种不同气体进行电离的垂直式等离子体增强化学气相沉积结构。

技术介绍

[0002]随着经济建设的快速发展，微电子技术得到了迅猛的发展，等离子体增强化学气相沉积(英文全称：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；简称：PECVD)设备的开发和使用也日益广泛。PECVD设备是利用高频电源辉光放电，产生等离子体化学沉积的设备，由于等离子体的存在，从而降低沉积温度。目前，PECVD设备广泛的用于液晶显示行业、太阳能电池行业、半导体器件及大规模集成电路的制造行业等。
[0003]等离子体增强化学气相沉积(PECVD)通常被用来在基板(例如用于平面面板显示器的透明基板或半导体晶片)上沉积材料层。PECVD通常是通过导引前驱物气体或气体混合物进入含有基板的真空腔室来完成，通过施加射频给前驱物气体或者气体混合物使其被能量化(例如激发)成等离子体，这些等离子体可以相互反应或者与基底表面物质反应以便沉积成材料层。
[0004]目前现有的电离装置通常只能同时对工件的一面进行沉积多层沉积层，当需要对工件的另一面进行沉积时，就就要取出再对另一面进行沉积，沉积效率低且操作繁琐。
[0005]因此，亟需一种垂直式等离子体增强化学气相沉积结构。

技术实现思路

[0006]本技术的目的在于提供一种能够对工件的两面进行沉积且沉积效果优良、效率高和适用性强的垂直式等离子体增强化学气相沉积结构。
[0007]为实现上述目的，本技术的垂直式等离子体增强化学气相沉积结构包括箱体以及设于所述箱体之腔体内的气盒机构、电极机构、旋转驱动机构和载具，所述气盒机构包括呈中空结构的气盒体，所述中空结构形成气腔，所述气盒体的顶面中心处开设有与所述气腔连通且穿置于所述箱体之顶部的进气口，所述气盒体的底面呈平行的等间距设置有隔板，相邻两所述隔板之间的所述气盒体的底面贯穿开设有与所述气腔连通的呈条状的出气口，所述出气口之间呈平行的等间距设置，相邻两所述隔板之间形成电离腔，所述电极机构包括承载体，所述承载体上呈平行且等间距的延伸出与所述电离腔对应的电极条，所述电极条对应悬置于所述电离腔中，所述载具位于所述电离腔的下方，所述载具具有用于卡紧工件之一侧的卡槽，所述载具安装于所述旋转驱动机构的输出端，所述载具在所述旋转驱动机构的驱动下转动，以带动工件翻转，所述载具与所述电离腔之间形成沉积室，所述箱体开设有与所述沉积室连接的抽气口。
[0008]较佳地，所述箱体呈真空设置。
[0009]较佳地，所述旋转驱动机构包括连接板和旋转装置，所述连接板呈镂空设置，所述连接板安装于所述电离腔的下方，所述旋转装置安装于所述连接板上，所述载具安装于所
述旋转装置的输出端，所述载具在所述旋转装置的驱动下旋转。
[0010]具体地，所述连接板与所述箱体的底端面之间具有间隔。
[0011]具体地，所述载具和所述旋转装置靠近所述箱体的侧壁。
[0012]较佳地，悬置于所述电离腔中的所述电极条位于所述出气口的正下方。
[0013]较佳地，所述进气口还连接一进气管。
[0014]较佳地，所述抽气口还连接一抽气管。
[0015]与现有技术相比，本技术的垂直式等离子体增强化学气相沉积结构通过将箱体、气盒机构、电极机构、旋转驱动机构和载具等结合在一起，气盒机构包括呈中空结构的气盒体，中空结构形成气腔，气盒体的顶面中心处开设有与气腔连通且穿置于箱体之顶部的进气口，气盒体的底面呈平行的等间距设置有隔板，相邻两隔板之间的气盒体的底面贯穿开设有与气腔连通的呈条状的出气口，该出气口之间呈平行的等间距设置，相邻两隔板之间形成电离腔，借由出气口与气腔连通，电极机构包括承载体，承载体上呈平行且等间距的延伸出与电离腔对应的电极条，电极条对应悬置于电离腔中，载具位于电离腔的下方，载具具有用于卡紧工件之一侧的卡槽，从而卡紧工件的一侧也不会遮挡工件和影响工件的整体沉积效果，载具安装于旋转驱动机构的输出端，载具在旋转驱动机构的驱动下转动，以带动工件翻转，载具与电离腔之间形成沉积室，箱体开设有与沉积室连接的抽气口，从而带动沉积的气体沉积于载具的工件上。换句话说，工作时，隔板与电极条分别接通不同的电极，从而使隔板与电极条之间形成电场，由于电离腔借由呈条状的出气口与气腔连通，形成电离腔的隔板及出气口又呈等间距的分布，因此，随着抽气口的抽气使得从气腔内进入电离腔内的气体呈均匀的分散在电离腔中，均匀分散于电离腔的气体在在隔板及电极条所形成的立体电场中发生等效的电离，由于气体得到均匀的电离，并经过沉积室的使得在载具上工件形成一层均匀的沉积层，有效提高了沉积层均匀性；另外，由于载具可翻转从而带动工件翻转，这样就可以自动化地完成工件两面的沉积，沉积效果优良、效率高和适用性强。
附图说明
[0016]图1是本技术的垂直式等离子体增强化学气相沉积结构的结构示意图。
[0017]图2是本技术的垂直式等离子体增强化学气相沉积结构种的旋转驱动机构、载具和工件的结构示意图。
[0018]图3是本技术的垂直式等离子体增强化学气相沉积结构中气盒机构和电极机构组合时的立体结构示意图。
[0019]图4是图3中的垂直式等离子体增强化学气相沉积结构的另一角度的结构示意图。
[0020]图5是图3中垂直式等离子体增强化学气相沉积结构中气盒机构和电极机构处于分离时的立体结构示意图。
具体实施方式
[0021]为了详细说明本技术的
技术实现思路
、构造特征，以下结合实施方式并配合附图作进一步说明。
[0022]请参阅图1至图5，本技术的垂直式等离子体增强化学气相沉积结构100包括箱体1、气盒机构2、电极机构3、旋转驱动机构4和载具5，箱体1呈真空设置，气盒机构2、电极
机构3、旋转驱动机构4和载具5设于箱体1之腔体内，箱体1呈真空设置，从而有效避免电离受到影响，气盒机构2、电极机构3、载具5和旋转驱动机构4沿箱体1的高度方向由上往下依次设置，气盒机构2包括呈中空结构的气盒体21，中空结构形成气腔22，气盒体21的顶面中心处开设有与气腔22连通且穿置于箱体1之顶部的进气口23，气体从进气口23进入，气盒体21呈矩形设置，气盒体21的底面呈平行的等间距设置有隔板24，相邻两隔板24之间的气盒体21的底面贯穿开设有与气腔22连通的呈条状的出气口25，该出气口25之间呈平行的等间距设置，相邻两隔板24之间形成电离腔26，通过出气口25与气腔22连通，电极机构3包括承载体31，承载体31与箱体1连接，承载体31上呈平行且等间距的延伸出与电离腔26对应的电极条32，电极条32对应悬置于电离腔26中，载具5位于电离腔26的下方，载具5具有用于卡紧工件200之一侧的卡槽51，从而卡紧工件200的一侧也不会遮挡工件200和影响工件200的整体沉积效果，也可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直式等离子体增强化学气相沉积结构，其特征在于，包括箱体以及设于所述箱体之腔体内的气盒机构、电极机构、旋转驱动机构和载具，所述气盒机构包括呈中空结构的气盒体，所述中空结构形成气腔，所述气盒体的顶面中心处开设有与所述气腔连通且穿置于所述箱体之顶部的进气口，所述气盒体的底面呈平行的等间距设置有隔板，相邻两所述隔板之间的所述气盒体的底面贯穿开设有与所述气腔连通的呈条状的出气口，所述出气口之间呈平行的等间距设置，相邻两所述隔板之间形成电离腔，所述电极机构包括承载体，所述承载体上呈平行且等间距的延伸出与所述电离腔对应的电极条，所述电极条对应悬置于所述电离腔中，所述载具位于所述电离腔的下方，所述载具具有用于卡紧工件之一侧的卡槽，所述载具安装于所述旋转驱动机构的输出端，所述载具在所述旋转驱动机构的驱动下转动，以带动工件翻转，所述载具与所述电离腔之间形成沉积室，所述箱体开设有与所述沉积室连接的抽气口。2.如权利要求1所述的垂直式等离子体增强化学气相沉积结...

【专利技术属性】
技术研发人员：范继良，
申请(专利权)人：黄剑鸣，
类型：新型
国别省市：