【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种薄膜板生产方法，尤其涉及一种光伏电池用晶硅薄膜板生产方法。
技术介绍
1、晶硅和非晶硅都是一种半导体材料，它们的特性是电导率介于金属和绝缘体之间，是太阳能电池制造的重要材料。
2、晶硅是晶体硅的简称，是最早用于太阳能电池制造的材料之一。晶硅的结晶形态与石英、石墨等物质类似，由于结晶度高，因此具有较高的导电性和光电转换效率。然而，制造成本较高且易碎，体积较大。
3、非晶硅是指没有明显晶体结构的硅材料，也被称为a－si，是一种无序的非晶体材料。非晶硅的制造成本低、柔韧性强、颜色透明，所以非晶硅太阳能电池的体积相对较小。但是非晶硅的光电转换效率较低。
4、生产工艺方面，晶硅生产工艺较为复杂，需要使用高温熔炼、晶体生长等工艺。而非晶硅生产工艺相对简单，只需要在真空或气氛中将硅薄膜制成非晶态。
5、能量转换效率方面，晶硅光伏板的转换效率高，最高可达到20％以上，而非晶硅光伏板的转换效率较低，一般在7％－9％之间。
6、价格和容量方面，晶硅光伏板的制造成本较高，但具有高的功率产出和长期的性能稳定性。相比之下，非晶硅光伏板的制造成本较低，但其体积相对较小且容量较小。
7、通常我们应该根据自己的实际需求选择合适的光伏板。一般情况下，如果我们需要长期大量的电能供应，那么应该选择晶硅光伏板，因为其具有高的功率产出和长期的性能稳定性；而如果我们只是需要小规模的电能供应，那么可以选择非晶硅光伏板，因为其体积小巧、制造成本低、柔韧性强。
8、因此，亟需提
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种将非晶硅薄膜板转化成晶硅薄膜板的晶硅薄膜板生产方法，以使得最终形成的晶硅薄膜板既具有其自身的高光电转化率和高稳定性，又具有制造非晶硅薄膜板的成本低和工艺简单的特性。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种晶硅薄膜板生产方法，其包括如下步骤：
3、(1)提供玻璃基板；
4、(2)于玻璃基板上沉积一层非晶硅薄膜层，形成非晶硅薄膜板；所述非晶硅薄膜层的长度为l，宽度为d；
5、(3)提供第一点状热源和第二点状热源，所述第一点状热源和第二点状热源作用于非晶硅薄膜板的尺寸均为a×b，a为沿x轴方向的长度，b为沿y轴方向的宽度；所述非晶硅薄膜沿y轴方向被分为m列，m＝d/b，每列被分为n个晶化单元，n＝l/a，m、n为四舍五入后的整数值；
6、(3)利用第一点状热源对非晶硅薄膜板的表面加热t时间至晶化温度，使非晶硅晶化转化成液态的晶体硅；
7、(4)t时间后，第一点状热源沿x轴方向前进a距离对非晶硅薄膜板的表面加热t时间至晶化温度；
8、(5)第二点状热源对刚被晶化成液态的晶体硅补充能量t时间，使得刚被晶化的晶体硅逐渐冷却形成固态的晶体硅，防止刚被晶化的晶体硅骤冷而又回复到非晶硅的状态；
9、(6)重复上述步骤(3)－(5)n次，完成沿x轴方向的一列非晶硅转化为晶体硅的处理；
10、(7)沿y轴方向同时移动第一点状热源和第二点状热源b距离；
11、(8)重复上述步骤(6)－(7)m次，完成第一点状热源和第二点状热源呈扫描式加热晶化处理完整个非晶硅薄膜层，完成非晶硅薄膜层转化成晶硅薄膜层，实现晶硅薄膜板的生产。
12、与现有技术相比，本专利技术将非晶硅薄膜层沉积在玻璃基板上形成非晶硅薄膜板，通过第一点状热源按照扫描式的方式对非晶硅薄膜板上的非晶硅薄膜层进行加热晶化处理成液态的晶硅体，同时通过第一二点状热源按照扫描式的方式对刚被晶化的液态的晶硅体提供能量，使得刚被晶化的晶体硅逐渐冷却形成固态的晶体硅，大大提高非晶硅薄膜层转化成晶硅薄膜层的比例；有效的防止了刚被晶化的晶体硅骤冷而又回复到非晶硅的状态发生；使得非晶硅薄膜板能大比例的转化成晶硅薄膜板；实现按照本专利技术的生产方法所生产出的晶硅薄膜板中晶硅体占据主要主导地位。由此可见，本专利技术对成本低、工艺简单的非晶硅薄膜层进行扫描式加热晶化处理及热量补充防骤冷的措施的配合，使得最终大比例的形成晶硅薄膜层的晶硅薄膜板，既具有其自身的高光电转化率和高稳定性，又具有制造非晶硅薄膜的成本低和工艺简单的特性，实用性强，非常适于广泛推广使用。
13、较佳地，本专利技术晶硅薄膜板生产方法的所述第一点状热源为激光。采用激光作为第一点状热源对非晶硅进行加热晶化处理成晶体硅，加热效率快且定位精准，非常利于第一点状热源对非晶硅膜层进行无遗漏的扫描式加热晶化处理；大大的提高了非晶硅膜层转化成晶硅膜层的转化比例，进一步提高了本专利技术生产出的晶硅薄膜板的质。
14、较佳地，本专利技术晶硅薄膜板生产方法的所述第二点状热源为激光。采用激光作为第二点状热源对刚被晶化的液态晶体硅补充能量，能量补充及时快捷，有效的防止了刚被晶化的晶体硅骤冷而又回复到非晶硅的状态发生，确保了刚被晶化的晶体硅逐渐冷却形成固态的晶体硅；大大提高非晶硅薄膜层转化成晶硅薄膜层的比例；进一步提高了本专利技术生产出的晶硅薄膜板的质；使得非晶硅薄膜板能大比例的转化成晶硅薄膜板。
15、较佳地，本专利技术晶硅薄膜板生产方法的所述第一点状热源的激光功率为所述第二点状热源的激光功率的两倍。有效的防止了刚被晶化的晶体硅骤冷而又回复到非晶硅的状态发生，确保了刚被晶化的晶体硅逐渐冷却形成固态的晶体硅；大大提高非晶硅薄膜层转化成晶硅薄膜层的比例
16、较佳地，本专利技术晶硅薄膜板生产方法的所述步骤(2)进一步包括：于玻璃基板上通过pecvd设备沉积一层非晶硅薄膜层之步骤。通过pecvd设备沉积形成非晶硅膜层，工艺简单，成本低。
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1.一种晶硅薄膜板生产方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的晶硅薄膜板生产方法，其特征在于，所述第一点状热源为激光。
3.如权利要求2所述的晶硅薄膜板生产方法，其特征在于，所述第二点状热源为激光。
4.如权利要求3所述的晶硅薄膜板生产方法，其特征在于，所述第一点状热源的激光功率为所述第二点状热源的激光功率的两倍。
5.如权利要求1所述的晶硅薄膜板生产方法，其特征在于，所述步骤(2)进一步包括：于玻璃基板上通过PECVD设备沉积一层非晶硅薄膜层之步骤。
【技术特征摘要】
1.一种晶硅薄膜板生产方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的晶硅薄膜板生产方法，其特征在于，所述第一点状热源为激光。
3.如权利要求2所述的晶硅薄膜板生产方法，其特征在于，所述第二点状热源为激光。
4.如权...
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