【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于非易失存储元件的读出电路，尤其涉及用于熔丝存储单元的读出电路。
技术介绍
所谓的熔丝存储单元在集成电路中的使用日益增加，尤其在半导体存储器中的使用，例如DRAM中。熔丝存储单元实质上包括具有低接触电阻的金属-金属连接，其在实际制造过程之后能被中断，因此增加了熔丝存储单元的接触电阻。这样熔丝存储单元可以呈现出编程状态“导电”和“非导电”，即表示逻辑1或者逻辑0。熔丝存储单元的金属-金属连接根据需要由电流的应用或者激光束的动作来中断。根据通过哪种方法来中断金属-金属连接，熔丝存储单元被称为电熔丝存储单元或激光熔丝存储单元。此外，还存在所谓的反熔丝存储单元，在这样的情况下，电连接没有被中断，而是为了编程的目的在实际制造过程之后提供这样的连接。在下文中不对熔丝和反熔丝存储单元进行区分。相反，术语“熔丝存储单元”理解为是指两种类型的存储单元。在德语的专业文献中术语“Schmelzbrücken”[“可熔连接”]，“auftrennbare Schmelzbrücken”[“可中断的可熔连接”]或者“Sicherungen”[“熔丝”]有时被用作熔丝存储...
【技术保护点】
用于读出存储在存储器（Ｆ２，Ｆ３）中的一项存储信息的读出电路（２；３），存储器（Ｆ２，Ｆ３）包括两个具有不同编程状态的非易失存储单元（Ｆ２，Ｆ３），以及由两个存储单元（Ｆ２，Ｆ３）的编程状态给出存储器（Ｆ２，Ｆ３）的存储信息 ，以及读出电路（２；３）包括具有两个输入和至少一个输出（ＦＯＵＴＯ，ＦＯＵＴ１）的易失信号存储器（ＩＮＶ４，ＩＮＶ５），在读出存储器（Ｆ２，Ｆ３）的存储信息期间，所述输入连接到两个存储单元（Ｆ２，Ｆ３）的读输出，并且存储器（Ｆ２，Ｆ ３）的存储信息能够在至少一个输出（ＦＯＵＴＯ，ＦＯＵＴ１）上被读出。
【技术特征摘要】
DE 2005-2-28 102005009050.81.用于读出存储在存储器(F2，F3)中的一项存储信息的读出电路(2；3)，存储器(F2，F3)包括两个具有不同编程状态的非易失存储单元(F2，F3)，以及由两个存储单元(F2，F3)的编程状态给出存储器(F2，F3)的存储信息，以及读出电路(2；3)包括具有两个输入和至少一个输出(FOUT0，FOUT1)的易失信号存储器(INV4，INV5)，在读出存储器(F2，F3)的存储信息期间，所述输入连接到两个存储单元(F2，F3)的读输出，并且存储器(F2，F3)的存储信息能够在至少一个输出(FOUT0，FOUT1)上被读出。2.根据权利要求1的读出电路(2；3)，其特征在于两个非易失存储单元(F2，F3)具有彼此互补的编程状态，以及通过可选地分配编程状态给两个存储单元(F2，F3)来给出存储器(F2，F3)的存储信息。3.根据权利要求1的读出电路(2；3)，其特征在于两个非易失存储单元(F2，F3)的第一存储单元(F2)具有固定的参考编程状态，两个非易失存储单元(F2，F3)的第二存储单元(F3)可选地具有第一编程状态或者第二编程状态，以及通过选择第二存储单元(F3)的编程状态来给出存储器(F2，F3)的存储信息。4.根据权利要求2的读出电路(2；3)，其特征在于所述非易失存储单元是1位存储单元(F2，F3)。5.根据前述的一项或多项权利要求的读出电路(2；3)，其特征在于所述非易失存储单元是熔丝存储单元(F2，F3)。6.根据所述的一项或多项权利要求的读出电路(2；3)，其特征在于所述信号存储器是闭锁信号存储器(INV4，INV5)。7.根据权利要求6的读出电路(2；3)，其特征在于所述闭锁信号存储器具有两个反相器(INV4，INV5)，在每种情况下，一个反相器(INV4，INV5)的输出都连接到另一个反相器(INV4，INV5)的输入。8.根据权利要求7的读出电路(2；3)，其特征在于在每种情况下，反相器(INV4，INV5)都具有两个串连晶体管(N7，P2，N8，P3)，以及在读出存储器(F2，F3)的存储信息期间，在每种情况下，存储单元(F2，F3)的读输出都连接到由各自反相器(INV4，INV5)的两个晶体管(N7，P2，N8，P3)所形成的串联电路。9.根据权利要求8的读出电路(2；3)，其特征在于NMOS晶体管(N7，N8)和PMOS晶体管(P2，P3)在每种情况下...
【专利技术属性】
技术研发人员：G勒曼，V科塞洛特，JY拉奎尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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