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用于熔丝存储单元的微分读出电路制造技术
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下载用于熔丝存储单元的微分读出电路的技术资料
文档序号:3083615
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用于读出存储器(F2,F3)的存储信息的读出电路(2),包括两个具有不同编程状态的非易失存储单元(F2,F3),存储器(F2,F3)的存储信息由两个存储单元(F2,F3)的编程状态给出,并且读出电路(2)具有易失性信号存储器(INV4,IN...
该专利属于英飞凌科技股份公司所有,仅供学习研究参考,未经过英飞凌科技股份公司授权不得商用。
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