【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
计算机已经成为社会的不可缺少的组成部分。计算机复杂且可包括微处理器，存储介质(例如，CD-ROM、硬盘驱动器、软盘驱动器)、存储器和输入/输出装置。通常，微处理器执行来自可在计算机上运行的多种软件程序的指令。当运行程序时，微处理器可需要从存储器读出和写入信息。存储器的最新趋势是包括固态磁存储器阵列。磁存储器阵列比非磁存储器阵列(例如，DRAM)占优势，因为在其它情况下，它们不需要被刷新。磁存储器可包含各个存储元件，其中各个存储元件的电阻可以表示包含在存储元件中的数字信息。包含在存储元件中的数字信息可以通过在一个或多个存储器写入线中传递电流而改变，其中写入线可以被磁耦合到磁存储元件。存储器写入线中的电流产生的结果是，在存储元件中可以感应磁场，这就可以改变存储元件的数字状态。从高值到低值(或反之亦然)改变存储器状态所必需的电流量可以是指定的量。为了将指定量的电流提供给存储器写入线，则需要控制电流，这样就出现难题。控制施加到存储器写入线的电流量可能存在问题，因为当产生新一代的集成电路时，会使用更低的电源电压。但是，用于控制施加到存储器写入线的电流量的电路可消耗一...
【技术保护点】
一种增加存储元件（３４）可用的电压的方法，包含：提供多个存储器写入线（３２）中的电流，其中写入线（３２）磁耦合到至少一个存储元件（３４）；将第一多个晶体管和第二多个晶体管（３６，３８）耦合到存储器写入线（３２）的任一端；以及 改变所述第一多个晶体管和第二多个晶体管（３６，３８）内各个晶体管的导通状态。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-8-27 10/649,0781.一种增加存储元件(34)可用的电压的方法，包含提供多个存储器写入线(32)中的电流，其中写入线(32)磁耦合到至少一个存储元件(34)；将第一多个晶体管和第二多个晶体管(36，38)耦合到存储器写入线(32)的任一端；以及改变所述第一多个晶体管和第二多个晶体管(36，38)内各个晶体管的导通状态。2.一种存储器(104)，包含多个存储器写入线(32)，其磁耦合到至少一个磁存储元件(34)；写电路(30)，其包括多个耦合到存储器写入线(32)的晶体管(36，38)；其中在所述多个晶体管(36，38)内的各个晶体管是并联的，且可将它们的导通状态彼此独立地进行更改；以及由此增加所述磁存储元件(34)可用的电压的量。3.如权利要求2所述的存储器(104)，进一步包含耦合到所述多个晶体管(36，38)的逻辑(106)，其中所述逻辑更改各个晶体管的导通状态。4.如权利要求1所述的方法或权利要求3所述的存储器(104)，其中在所述第一多个晶体管和第二多个晶体管(36，38)内的各个晶体管并联地耦合，且被二进制加权。5.如权利要求1所述的方法或权利要求2所述的存储器(104)，其中所述存储元件(34)可用的电压的量和写入线(32)中的电流的量可通过更改所述多个晶体管(36，38)内的各个晶体管的导通状态来控制。6.一种存储器(104)，包含至少一个存储器写入线(42)，其磁耦合到至少一个磁存储元件(44)；写电路(40)，其包括耦合到存储器写入线(42)的任一端的第一晶体管和第二晶体管(46，48)；其中所述第一晶体管(46)的导通状态由反相器电路(53)控制；其中所述反相器电路(53)将写信号...
【专利技术属性】
技术研发人员：FA佩尔纳，KK史密斯，
申请(专利权)人：惠普开发有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。