半导体装置制造方法及图纸

根据电压电平设定信号（ＺＣＭＰＥ）切换高电压、中间电压及内部电源电压等内部电压的发生形态。即具体地说，在外部电源电压（ＥＸＶＤＤ）的电压电平低的情况下，将接收比较电路的输出的电流驱动晶体管（２４）和辅助驱动晶体管（３１）强制地设定为导通状态，在内部电源线（１０ｐ）上生成外部电源电压。这时停止比较电路（２３）的比较工作。在外部电源电压的电平高的情况下，将比较电路激活，降低外部电源电压，生成外围电源电压（ＶＤＤＰ）。因此，能根据外部电源电压电平生成最佳电压电平的外围电源电压。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及内部装有发生内部电压的内部电压发生电路的半导体装置，特别是涉及对应于多个外部电源电压及多种阻抗规格，也能根据外部电源电压稳定地生成内部电压的内部电压发生电路。
技术介绍
图36是简略地表示现有的动态随机存取存储器(DRAM)的阵列部的结构图。在图36中，对应于位线BL及ZBL和字线WL的交叉部，配置着存储单元MC。在图36中，具有代表性地示出了对应于位线BL和字线WL的交叉部配置的存储单元MC。一般说来，在存储器阵列中，呈行列状配置存储单元MC，对应于各存储单元行配置着字线WL。另外，对应于各存储单元列配置着位线BL及ZBL对。对应于位线对中的一条位线和字线的交叉部配置着存储单元。相辅数据被传输给位线BL及ZBL。存储单元MC包括以电荷状态存储信息的存储电容器MQ；以及根据字线WL上的信号电压，将存储单元电容器MQ耦合在对应的位线BL(或ZBL)上的存取晶体管MT。存取晶体管MT通常由N沟道MOS晶体管(绝缘栅型场效应晶体管)构成，负偏压Vbb被供给其反向栅极。通过将负偏压Vbb供给存取晶体管MT的反向栅极，谋求存取晶体管MT的阈值电压的稳定化、降低信号线和基板区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于备有：连接在接收第一控制信号的第一控制信号输入结点和第一内部结点之间的第一电容元件；根据上述第一内部结点的电压电平，将第二及第三内部结点分别预充电到外部电源电压电平的第二及第三晶体管；连接在接收第二 控制信号的第二控制信号输入结点和上述第二内部结点之间的第二电容元件；根据上述第二内部结点的电压电平有选择地呈导通状态，导通时在上述第三内部结点和输出结点之间传递电荷的输出晶体管；接收外部电源结点及第一内部电压结点的电压作为工 作电源电压，根据第三控制信号驱动第四内部结点的驱动电路；连接在上述第四内部结点和上述第三...

【技术特征摘要】
JP 2002-5-20 144869/20021.一种半导体装置，其特征在于备有连接在接收第一控制信号的第一控制信号输入结点和第一内部结点之间的第一电容元件；根据上述第一内部结点的电压电平，将第二及第三内部结点分别预充电到外部电源电压电平的第二及第三晶体管；连接在接收第二控制信号的第二控制信号输入结点和上述第二内部结点之间的第二电容元件；根据上述第二内部结点的电压电平有选择地呈导通状态，导通时在上述第三内部结点和输出结点之间传递电荷的输出晶体管；接收外部电源结点及第一内部电压结点的电压作为工作电源电压，根据第三控制信号驱动第四内部结点的驱动电路；连接在上述第四内部结点和上述第三内部结点之间的第三电容元件、第四电容元件；以及在接收第五控制信...

【专利技术属性】
技术研发人员：山内忠昭，松本淳子，冈本武郎，诹访真人，市口哲一郎，米谷英树，长泽勉，田增成，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]