闪存介质中的数据多状态管理方法技术

本发明专利技术涉及一种闪存介质中的数据多状态管理方法，所述闪存介质中的数据块设置有状态标记，该状态标记由字节变量来表示，该状态标记的位数根据数据的状态多少来确定，将数据块的起始状态标记设置为位１最多的数字，以后每次状态改变，则减少标记中的位“１”。本发明专利技术的闪存介质中的数据多状态管理方法使得闪存数据在多状态变换时，可以在原地改写标记，不需要搬动数据块，从而提高了闪存数据的存储效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体存储领域，尤其涉及一种。
技术介绍
闪存(Flash Memory)，就其本质而言，属于EEPROM(电擦除可编程只读存储器)类型。常用的闪存介质有nand flash和nor flash两种，他们都将存储空间划分为多个特定大小的擦除块，如16KB、64KB等；执行擦除操作时一次性将一个擦除块的位全部置为“1”，执行写操作时可以将单个位的“1”写为“0”，但不可以将“0”写成“1”；所以通常的写闪存动作要先擦除整个擦除块原来的内容，再写入新的数据；闪存介质的擦除次数是有限的，同一个块的最大擦除次数在10万次到100万次左右。在写数据操作上，nand flash与nor flash有所不同的是，nand flash将擦除块划分为多个固定大小的页，一个典型的例子是将大小为16KB的擦除块划分为32个页，每页有512BYTE的数据存储区，而且每页附加一个16字节的冗余区，由于nandflash在读写过程中存在“位翻转”的情况，所以nand flash每次在写一整页数据的时候同时生成ECC校验码存放在冗余区，读取数据时同时利用这个校验码进行校验。系统在使用闪存介质存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪存介质中的数据多状态管理方法，所述闪存介质中的数据块设置有状态标记，其特征在于：该状态标记由字节变量来表示，该状态标记的位数根据数据的状态多少来确定，将数据块的起始状态标记设置为位１最多的数字，以后每次状态改变，则减少标记中的位“１”。

【技术特征摘要】
1.一种闪存介质中的数据多状态管理方法，所述闪存介质中的数据块设置有状态标记，其特征在于该状态标记由字节变量来表示，该状态标记的位数根据数据的状态多少来确定，将数据块的起始状态标记设置为位1最多的数字，以后每次状态改变，则减少标记中的位“1”。2.如权利要求1所述的闪存介质中的数据多状态管理方法，其特征在于对于nand flash，数据块状态标记放在冗余区上。3.如权利要求2所述的闪存介质中的数据多状态管理方法，其特征在于该冗余区大小为16字节，前8字节用作ECC校验、坏块标记，后8字节用作数据块的状态标记。4.如权利要求1所述的闪存介质中的数据多状态管理方法，其特征在于对于nor flash，数据块状态标记可以放在任意位置。5.如权利要求4所述的闪存介质...

【专利技术属性】
技术研发人员：李德华，
申请(专利权)人：康佳集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]