能处理预充电到预充电限制的方法、系统和存储器控制器技术方案

技术编号:3082801 阅读:133 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
公开了一种能够处理预充电到预充电的限制的存储器控制器。在开始写操作之时,从计时的角度出发跟踪相应的写预充电命令的位置。接着做出关于随后的读预充电命令是否将与任何正在进行的写预充电命令相冲突的确定。在确定出随后的读预充电命令将与任何正在进行的写预充电命令相冲突时,此读预充电命令的发布将被延迟,以便避免任何冲突;而且,维持在此读预充电命令和随后的读预充电命令之间的特定时间间隔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及存储器控制器。更具体而言,本专利技术涉及极限数据速率(XDR)存储器控制器。再具体而言,本专利技术涉及能够处理预充电到预充电的限制的XDR存储器控制器。
技术介绍
存储器控制器典型地被用来调整来自各种请求设备的对存储器设备的访问请求。在从请求设备接收到访问请求及地址和控制信息之后,存储器控制器把地址信息解码为体、行和列地址。接着存储器控制器将地址和控制信号发送到适当的存储器设备用于执行所请求的存储器操作,诸如读或写操作。对于读操作,存储器控制器发送读命令,并接着将从存储器设备检索到的读数据返回请求设备。对于写操作,存储器控制器将写数据连同写命令发送到存储器设备。当执行读和写操作时,存储器控制器负责生成适当的控制信号序列,用于访问存储器设备内所想要的地址。用于操作的控制信号序列典型地包括激活(activate)(或打开)存储器设备内的体的行,接着写入所激活的行中所选择的列或从其读出,并最后预充电(或关闭)所激活的行。关联于写操作的预充电被称为写预充电,而关联于读操作的预充电被称为读预充电。为了使带宽最大化,存储器控制器典型地以流形式来发布读操作和写操作。根据由加本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于存储器控制器当发布预充电命令时处理预充电到预充电的限制的方法,所述方法包括:在开始写操作时,从计时角度出发确定用于所述写操作的写预充电命令的位置;确定是否将预期到在所述写预充电命令和随后的读预充电命令之间的计时参数违反;以及响应确定出预期到在所述写预充电命令和随后的读预充电命令之间的计时参数违反,延迟执行所述随后的读预充电命令,以避免可能的计时参数违反。

【技术特征摘要】
US 2005-11-29 11/289,0531.一种用于存储器控制器当发布预充电命令时处理预充电到预充电的限制的方法,所述方法包括在开始写操作时,从计时角度出发确定用于所述写操作的写预充电命令的位置;确定是否将预期到在所述写预充电命令和随后的读预充电命令之间的计时参数违反;以及响应确定出预期到在所述写预充电命令和随后的读预充电命令之间的计时参数违反,延迟执行所述随后的读预充电命令,以避免可能的计时参数违反。2.如权利要求1所述的方法,其中所述确定使用写预充电记录板。3.如权利要求1所述的方法,其中所述延迟还包括维持在所述随后的读预充电命令和下一读预充电命令之间的特定时间距离。4.如权利要求3所述的方法,其中所述延迟是通过将适当的时间延迟tRASAdd值加到有效tRAS计时参数而实现的。5.如权利要求4所述的方法,其中所述延迟包括增加用于与所述随后的读预充电命令相关的读操作的行断言时间,其取决于所述时间延迟tRASAdd值将所述随后的读预充电命令延迟一、二或三个循环。6.如权利要求4所述的方法,其中所述时间延迟tRASAdd值通过比较所述写预充电记录板的三个最高比特和当前的tPPcnt值来确定。7.如权利要求4所述的方法,其中,如果开始读操作将使随后的读预充电命令与写预充电命令相冲突,则将时间延迟tRASAdd值1添加到随后的读预充电命令。8.如权利要求7所述的方法,其中,如果开始第二读操作将使得相关联的第二读预充电命令与所述写预充电命令相冲突,则所述时间延迟tRASAdd值变为2。9.如权利要求8所述的方法,其中,如果开始第三读操作将使得相关联的第三读预充电命令与所述写预充电命令相冲突,则所述时间延迟tRASAdd值变为3。10.如权利要求1所述的方法,其中所述存储器控制器是极限数据速率存储器控制器。11.一种能够当发布预充电命令时处理预充电到预充电的限制的存储器控制器,所述存储器控制器包括用于在开始写操作时从计时角度出发确定用于所述写操作的写预充电命令的位置的装置;用于确定是否将预期到在所述写预充电命令和随后的读预充电命令之间的计时参数违反的装置;以及响应于确定出将预期到在所述写预充电命令和随后的读预充电命令之间的计时...

【专利技术属性】
技术研发人员:马克戴维贝罗斯利安阿贝尔赫肯道夫保罗艾伦甘菲尔德
申请(专利权)人:国际商业机器公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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