供给无噪声电压的装置及其操作方法制造方法及图纸

技术编号:3082158 阅读:128 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种电压供给装置,包括电源噪声感测单元、电压选择单元、第一电源电压供给单元、以及第二电源电压供给单元。该电源噪声感测单元从第一与第二电源中感测噪声并输出电源噪声感测信号。该电压选择单元响应电压供给使能信号与电源噪声感测信号而输出第一与第二驱动信号。第一电源电压供给单元响应第一与第二驱动信号而施加第一电源的电压。第二电源电压供给单元响应第一与第二驱动信号而施加第二电源的电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电压供给装置与方法,更具体而言,涉及一种用于供给电压至半导体存储器装置的操作电路的电压供给装置和方法。
技术介绍
一般而言,随着半导体存储器的高度集成,存储器电路的每个元件也变小。用于具有半导体存储器的系统中的CPU(中央处理单元)被设计成工作在高频率。因此,半导体存储器也被设计成工作在高频率。为了设计工作在高频率的存储器,半导体存储器的电源电压需要处于低电平。然而,随着电源电压的降低,噪声会造成关键的问题。目前,在半导体存储器装置中,使用了处于相同电平的从外部施加的多个电源电压。此外,还使用了由电源电压在芯片中所产生的多个电压并且其焊盘是分开的。图1是示出常规的电压供给装置的电路图。常规的电压供给装置包括第一反向器IV1、第二反向器IV2、PMOS晶体管P1、以及NMOS晶体管N1。第一反向器IV1接收电压供给使能信号EN-SIG,将所接收的电压供给使能信号EN-SIG反向,并输出反向的电压供给使能信号作为输出信号EN-SIGb。第二反向器IV2将第一反向器IV1的输出信号EN-SIGb反向并输出反向的输出信号作为输出信号EN-SIG。PMOS晶体管P1具有栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于供给电压的装置,包括:    电源噪声感测单元,其配置成感测第一与第二电源的电压的噪声并输出基于所述噪声的电源噪声感测信号;    电压选择单元,其耦合至所述电源噪声感测单元,且配置成接收所述电源噪声感测信号与电压供给使能信号,并响应所述电压供给使能信号与所述电源噪声感测信号而输出第一与第二驱动信号;    第一电源电压供给单元,其耦合至所述电压选择单元,并配置成接收所述第一与第二驱动信号作为输入并响应所述第一与第二驱动信号而供给所述第一电源的电压;以及    第二电源电压供给单元,其耦合至所述电压选择单元,并配置成接收所述第一与第二驱动信号作为输入以及响应所述第一与第二驱动信号而供给...

【技术特征摘要】
KR 2006-6-9 10-2006-00517721.一种用于供给电压的装置,包括电源噪声感测单元,其配置成感测第一与第二电源的电压的噪声并输出基于所述噪声的电源噪声感测信号;电压选择单元,其耦合至所述电源噪声感测单元,且配置成接收所述电源噪声感测信号与电压供给使能信号,并响应所述电压供给使能信号与所述电源噪声感测信号而输出第一与第二驱动信号;第一电源电压供给单元,其耦合至所述电压选择单元,并配置成接收所述第一与第二驱动信号作为输入并响应所述第一与第二驱动信号而供给所述第一电源的电压;以及第二电源电压供给单元,其耦合至所述电压选择单元,并配置成接收所述第一与第二驱动信号作为输入以及响应所述第一与第二驱动信号而供给所述第二电源的电压。2.如权利要求1的装置,其中所述第一电源的电压包括第一电源电压与第一接地电压。3.如权利要求2的装置,其中所述第二电源的电压包括第二电源电压与第二接地电压。4.如权利要求3的装置,进一步包括操作电路,其配置成接收所述第一电源或第二电源的电压并基于所接收的电压来执行预定操作,以产生输出信号。5.如权利要求3的装置,其中所述电源噪声感测单元包括第一电压分配单元,其配置成接收所述第一电源电压与所述第二接地电压并响应所述第一电源电压与所述第二接地电压而输出第一电压分配信号;第二电压分配单元,其配置成接收所述第二电源电压与所述第一接地电压并响应所述第二电源电压与所述第一接地电压而输出第二电压分配信号;以及比较单元,其配置成接收所述第一电压分配信号与所述第二电压分配信号并通过比较所述第一电压分配信号与所述第二电压分配信号来输出比较信号。6.如权利要求5的装置,其中所述电源噪声感测单元进一步包括输出单元,所述输出单元配置成接收所述比较信号并输出基于所述比较信号的所述电源噪声感测信号。7.如权利要求6的装置,其中所述第一电压分配单元包括输入端子,用于所述第一电源电压与第二接地电压;第一电阻器,其耦合在用于所述第一电源电压的所述输入端子与第一节点之间;以及第二电阻器,其耦合在用于所述第二接地电压的所述输入端子与所述第一节点之间。8.如权利要求7的装置,其中所述第一电压分配单元从所述第一节点输出所述第一电压分配信号。9.如权利要求8的装置,其中所述第二电压分配单元包括输入端子,用于所述第二电源电压与所述第一接地电压;第三电阻器,其耦合在用于所述第二电源电压的所述输入端子与第二节点之间;以及第四电阻器,其耦合在用于所述第一接地电压的所述输入端子与所述第二节点之间。10.如权利要求9的装置,其中所述第二电压分配单元从所述第二节点输出所述第二电压分配信号。11.如权利要求10的装置,其中所述第一与第二电源电压具有相同的电压电平。12.如权利要求11的装置,其中所述第一与第二接地电压具有相同的电压电平。13.如权利要求12的装置,其中所述第二电阻器与所述第一电阻器和所述第二电阻器的组合电阻的电阻比与所述第四电阻器与所述第三电阻器和所述第四电阻器的组合电阻的电阻比相同。14.如权利要求5的装置,其中所述比较单元包括差动放大器,所述差动放大器配置成响应所述第一与第二电压分配信号的输入而输出所述比较信号。15.如权利要求3的装置,其中所述第一驱动信号与所述第二驱动信号具有彼此相反的电平。16.如权利要求15的装置,其中所述电压选择单元包括NAND门,其配置成接收所述电压供给使能信号与所述电源噪声感测信号作为输入并输出所述第一驱动信号;以及反向器,其配置成接收所述第一驱动信号作为输入并产生所述第二驱动信号。17.如权利要求4的装置,其中所述第一电源电压供给单元响应所述第一与第二驱动信号而施加所述第一电源电压与所述第一接地电压至所述操作电路。18.如权利要求4的装置,其中所述第二电源电压供给单元响应所述第一与第二驱动信号而施加所述第二电源电压与所述第二接地电压至所述操作电路。19.如权利要求17的装置,其中所述第一电源电压供给单元包括PMOS晶体管,其具有配置成接收所述第一驱动信号的栅极端子,配置成接收所述第一电源电压的源极端子,以及耦合至所述操作电路的漏极端子;以及NMOS晶体管,其具有配置成接收所述第二驱动信号的栅极端子,配置成接收所述第一接地电压的源极端子,以及耦合至所述操作电路的漏极端子。20.如权利要求18的装置,其中所述第二电源电压供给单元包括PMOS晶体管,其具有配置成接收所述第二驱动信号的栅极端子,配置成接收所述第二电源电压的源极端子,以及耦合至所述操作电路的漏极端子;以及NMOS晶体管,其具有配置成接收所述第一驱动信号的栅极端子,配置成接收所述第二接地电压的源极端子,以及耦合至所述操作电路的漏极端子。21.一种用于供给电压的装置,包括电源噪声感测单元,其配置成感测第一电源与第二电源的电压的噪声并输出电源噪声感测信号;以及电源电压供给单元,其配置成响应所述电源噪声感测信号而选择性地供给所述第一电源或所述第二电源的电压。22.如权利要求21的装置,其中所述第一电源的电压包括第一电源电压与第一接地电压。23.如权利要求22的装置,其中所述第二电源的电压包括第二电源电压与第二接地电压。24.如权利要求23的装置,进一步包括操作电路,其配置成接收所述第一电源或第二电源的电压并基于所接收的电压执行预定操作以产生输出信号。25.如权利要求23的装置,其中所述电源噪声感测单元包括第一电压分配单元,其配置成接收所述第一电源电压与所述第二接地电压并响应所述第一电源电压与所述第二接地电压而输出第一电压分配信号;第二电压分配单元,其配置成接收所述第二电源电压与所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员:慎允宰崔俊基
申请(专利权)人:海力士半导体有限公司
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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