半导体器件及其制造方法技术

本文提出了半导体器件及其制造方法，其中制造了用于纳米结构的内部间隔件。在实施方式中，将电介质材料沉积用于内部间隔件，然后进行处理。所述处理可添加材料并导致体积膨胀，以闭合可能干扰后续工艺的任何缝隙。以闭合可能干扰后续工艺的任何缝隙。以闭合可能干扰后续工艺的任何缝隙。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
[0001]优先权
[0002]本申请要求于2020年5月20日提交的美国临时申请号 63/027,618的权益，该美国临时申请通过引用并入本文。

技术介绍

[0003]半导体器件用于各种电子应用中，例如个人计算机、蜂窝电话、 数码相机和其他电子设备。通常通过以下方式制造半导体器件：顺 序地在半导体基板上沉积绝缘层或电介质层、导电层和半导体层， 以及使用光刻图案化各种材料层以在它们上形成电路部件和元件。
[0004]半导体工业通过不断减小最小特征尺寸来不断提高各种电子部 件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这 允许将更多的部件集成到给定区域中。然而，随着最小特征尺寸的 减小，出现了应解决的其他问题。

技术实现思路

[0005]根据本公开的一个实施方式，提供了一种制造半导体器件的方 法，所述方法包括：
[0006]提供半导体结构，所述半导体结构包括交替堆叠的第一半导体 层和第二半导体层；
[0007]使所述第一半导体层水平地凹陷；
[0008]在所述第一半导体层的凹本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层；使所述第一半导体层水平地凹陷；在所述第一半导体层的凹陷表面和所述第二半导体层的侧壁上形成第一内部间隔件；以及对所述第一内部间隔件执行退火工艺以形成第二内部间隔件，所述第二内部间隔件具有比所述第一内部间隔件更大的氧含量。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二内部间隔件的氧含量在10％至50％的范围内，并且所述第二内部间隔件的氮化物含量在5％至50％的范围内。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二内部间隔件的氧含量在30％至50％的范围内。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二内部间隔件的氮化物含量在20％至50％的范围内。5.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述退火工艺使所述第一内部间隔件内的缝隙闭合。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：高琬贻，林洪正，张哲豪，卢永诚，徐志安，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：