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本文提出了半导体器件及其制造方法，其中制造了用于纳米结构的内部间隔件。在实施方式中，将电介质材料沉积用于内部间隔件，然后进行处理。所述处理可添加材料并导致体积膨胀，以闭合可能干扰后续工艺的任何缝隙。以闭合可能干扰后续工艺的任何缝隙。以闭合可...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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