包含栅极氧化层以及对准标记的装置及其形成方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种包含栅极氧化层以及对准标记的装置及其形成方法，其中形成栅极氧化层以及对准标记的方法包含下述步骤。首先，依序沉积一垫氧化层以及一垫氮化层于一基底上。接着，以单一光掩模，形成一图案化光致抗蚀剂层于垫氮化层上，其中图案化光致抗蚀剂层包含一栅极氧化图案以及一对准标记图案。之后，以图案化光致抗蚀剂层，蚀刻垫氮化层以及垫氧化层，以暴露出基底的部分。而后，形成一栅极氧化层以及一对准标记于基底的部分。层以及一对准标记于基底的部分。层以及一对准标记于基底的部分。

【技术实现步骤摘要】
包含栅极氧化层以及对准标记的装置及其形成方法


[0001]本专利技术涉及一种包含栅极氧化层以及对准标记的装置及其形成方法，且特别是涉及一种同时形成栅极氧化层以及对准标记的装置及其形成方法。

技术介绍

[0002]光刻设备为经建构以将所要图案施加至基板上的机器。光刻设备可用于例如集成电路(IC)制造中，其可例如将图案化装置(例如，光掩模)的图案(常常也被称作「设计布局」或「设计」)投影至提供于基板(例如，晶片)上的一层辐射敏感材料(光致抗蚀剂)上。通常，对准标记则形成于基板上的各层以允许基板正确地定位于光刻设备中。对准标记的位置的准确判定对各层可在基板上曝光的准确度具有直接影响。

技术实现思路

[0003]本专利技术提出一种包含栅极氧化层以及对准标记的装置及其形成方法，其以同一光掩模形成栅极氧化层以及对准标记，以节省光掩模并简化制作工艺。
[0004]本专利技术提供一种形成栅极氧化层以及对准标记的方法，包含下述步骤。首先，依序沉积一垫氧化层以及一垫氮化层于一基底上。接着，以单一光掩模，形成一图案化光致抗蚀剂层于垫氮化层上，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成栅极氧化层以及对准标记的方法，包含：依序沉积垫氧化层以及垫氮化层于基底上；以单一光掩模，形成图案化光致抗蚀剂层于该垫氮化层上，其中该图案化光致抗蚀剂层包含栅极氧化图案以及对准标记图案；以该图案化光致抗蚀剂层，蚀刻该垫氮化层以及该垫氧化层，以暴露出该基底的部分；以及形成栅极氧化层以及对准标记于该基底的该些部分。2.如权利要求1所述的形成栅极氧化层以及对准标记的方法，其中该对准标记图案设置在该基底的切割道。3.如权利要求2所述的形成栅极氧化层以及对准标记的方法，其中该基底包含该切割道、中电压区以及高电压区。4.如权利要求3所述的形成栅极氧化层以及对准标记的方法，其中该栅极氧化图案设置在该中电压区以及该高电压区中。5.如权利要求1所述的形成栅极氧化层以及对准标记的方法，其中该栅极氧化层以及该对准标记具有相同厚度。6.如权利要求5所述的形成栅极氧化层以及对准标记的方法，其中该栅极氧化层的底部以及该对准标记的底部设置在该基底中，且该栅极氧化层的顶部以及该对准标记的顶部突出该基底。7.如权利要求1所述的形成栅极氧化层以及对准标记的方法，其中该栅极氧化层以及该对准标记以热氧化制作工艺形成。8.如权利要求6所述的形成栅极氧化层以及对准标记的方法，其中该栅极氧化层的该底部以及该对准标记的该底部具有相同厚度。9.如权利要求3所述的形成栅极氧化层以及对准标记的方法，在形成该栅极氧化层以及该对准...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢朋辉，顾海龙，孙自军，黄清俊，谈文毅，
申请(专利权)人：联芯集成电路制造厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：