温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种包含栅极氧化层以及对准标记的装置及其形成方法，其中形成栅极氧化层以及对准标记的方法包含下述步骤。首先，依序沉积一垫氧化层以及一垫氮化层于一基底上。接着，以单一光掩模，形成一图案化光致抗蚀剂层于垫氮化层上，其中图案化光致抗蚀剂层...
该专利属于联芯集成电路制造(厦门)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联芯集成电路制造(厦门)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。