半导体器件的高电压发生器件制造技术

半导体器件的高电压发生器包括第一高电压泵单元、第二高电压泵单元和时钟信号发生单元。第一高电压泵单元比较第一高电压和第一基准电压以生成第一使能信号，并且响应第一使能信号和第一时钟信号而执行抽运操作以生成第一高电压。第二高电压泵单元比较第二高电压和第二基准电压以生成第二使能信号，并且响应第二使能信号和第二时钟信号而执行抽运操作以生成第二高电压。当第一使能信号和第二使能信号中的至少一个被使能时，时钟信号发生单元响应第一使能信号和第二使能信号而生成第一时钟信号或第二时钟信号。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，并且更加具体地，涉及半导体器件中的高 电压发生器，其能够在活动操作(active operation)期间减少操作电流。
技术介绍
通常，半导体存储器件的电源可以分为外部电源或内部电源。外部电源将包括Vext (外部电压)、Vss (接地电压)、Vref (输入 基准电压)、VextQ (静噪外部电压)等等。内部电源将包括Vpp (字线 使能电压)、Vbb (单元阵列本体(bulk)偏压)、Vint(内部搮作电压) 等等。与此同时，大多数DRAM之内的单元块被设计以具有相互耦合的 一个晶体管和一个单元电容器。单元晶体管通常使用NMOS晶体管， 这归因于它们在面积和电流驱动能力方面的优点。为了从单元读取逻辑 高数据和将其写入到单元中，比数据电压高的电压被施加到单元晶体管 的栅极。用于驱动单元晶体管的电压通常被称作高电压Vpp。图l是半导体器件中的传统高电压发生器的电路图。参考图1，半导体器件的高电压发生器10包括第一高电压泵单元 20、笫二高电压泵单元30和振荡器40。通过在下面的例子中显示第一高电压Vppl的生成来描迷半导体器 件的高电压发生器10的操作。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的高电压发生器，包括第一高电压泵单元，其比较第一高电压和第一基准电压并生成第一使能信号，并且响应所述第一使能信号和第一时钟信号而执行抽运操作以生成所述第一高电压；第二高电压泵单元，其比较第二高电压和第二基准电压并生成第二使能信号，并且响应所述第二使能信号和第二时钟信号而执行抽运操作以生成所述第二高电压；以及时钟信号发生单元，其当所述第一使能信号和所述第二使能信号中的至少一个被使能时，响应所述第一使能信号和所述第二使能信号而生成所述第一时钟信号或所述第二时钟信号。

【技术特征摘要】
KR 2006-9-29 10-2006-00961751.一种半导体器件的高电压发生器，包括第一高电压泵单元，其比较第一高电压和第一基准电压并生成第一使能信号，并且响应所述第一使能信号和第一时钟信号而执行抽运操作以生成所述第一高电压；第二高电压泵单元，其比较第二高电压和第二基准电压并生成第二使能信号，并且响应所述第二使能信号和第二时钟信号而执行抽运操作以生成所述第二高电压；以及时钟信号发生单元，其当所述第一使能信号和所述第二使能信号中的至少一个被使能时，响应所述第一使能信号和所述第二使能信号而生成所述第一时钟信号或所述第二时钟信号。2. 如权利要求l所述的高电压发生器，其中，所述第一高电压泵 单元包括高电压泵，其执行所述抽运操作以生成所述第一高电压； 电阻器单元，其分担所述第一高电压以生成分压； 比较器，其比较所述分压和所述基准电压以生成所述第一使能信 号；以及緩冲器，其响应所述第一使能信号和所述第一时钟信号而生成泵使3.如权利要求2所述的高电压发生器，其中，所述第二高电压泵单元包括高电压泵，其生成所述第二高电压；电阻器单元，其分担所述第二高电压以生成分压；比较器，其比较所述分压和所述基准电压以生成所述第二使能信号；以及緩沖器，其响应所述第二使能信号和所述第二时钟信号而生成泵使4.如权利要求l所述的高电压发生器，其中，所述时钟信号发生 单元包括时钟编码器，其响应所述第一使能信号和所述第二使能信号而生成 振荡器使能信号；以及能信号。能信号。振荡器，其响应所述振荡器使能信号而生成所述笫一时钟信号或所 述第二时钟信号。5. 如权利要求4所述的高电压发生器，其中，当所述第一使能信 号和所述第二使能信号中的至少一个被使能时，所述时钟编码器输出高 电平的所述振荡器使能...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜溁洙，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]