检测伪编程单元的方法和使用其对伪编程单元编程的方法技术

一种检测伪编程单元的方法包括检测被编程的第一存储单元中的第二存储单元。第二存储单元的阈值电压高于第一校验电压。在第二存储单元中检测第三存储单元。第三存储单元的阈值电压小于第二校验电压。一种对非易失存储器件中的单元进行编程的方法包括对选择的存储单元执行编程操作。在执行编程操作的存储单元中检测第一存储单元。第一存储单元的阈值电压高于第一校验电压。在第一存储单元中检测伪编程单元。伪编程单元的阈值电压小于第二校验电压。进而，对伪编程单元进行编程。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种检测非易失存储器件中伪编程单元(under program cell)的方法和使用该方法对单元进行编程的方法。
技术介绍
近来，对电编程和擦除数据以及不要求周期重写数据的刷新功能的非 易失存储器件的要求增加了。非易失存储器件通常包括存储单元阵列，其中将用于存储数据的存 储单元布置成矩阵；以及页面緩沖器，其用于将数据编程到存储单元阵列 的特定存储单元并从存储单元中读取数据。对连接到具有 一定数目存储单元的单元串的位线的电压电平进行测 量，从而确定包括在存储单元阵列中的特定存储单元是否被编程。为了准确地确定特定单元是否被编程，要求充分的读取容限。特别地， 由于与通过单层单元(SLC )编程方法编程的存储单元的每一个相比，通 过多层单元(MLC)编程方法编程的存储单元的每一个具有多种阈值电 压分配，所以，在阈值电压分配之间要求充分的读出容限，尽管使用大于校验基准电压的电压不能对编程缺陷单元进行编程，但 可以校验出通过根据存储单元阵列的特性所产生的源极线跳动 (bouncing)现象而对所述单元进行了编程。换句话说，产生了伪编程单 元。结果，由于这个伪编程单元而减少了读出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检测伪编程单元的方法，该方法包括：　　　　检测被编程的第一存储单元中的第二存储单元，其中，所述第二存储单元的阈值电压高于第一校验电压；以及　　　　在所述第二存储单元中检测第三存储单元，其中，所述第三存储单元的阈值电压小于第二校验电压。

【技术特征摘要】
KR 2007-3-14 10-2007-00250981. 一种检测伪编程单元的方法，该方法包括检测被编程的第一存储单元中的第二存储单元，其中，所述第二存储单元的阈值电压高于第一校验电压；以及在所述第二存储单元中检测第三存储单元，其中，所述第三存储单元的阈值电压小于第二校验电压。2. 如权利要求l所述的方法，其中，检测所述第二存储单元包括 对耦合到将被读取的特定单元的字线施加所述第 一校验电压； 将耦合到所述单元的位线预充电到高电平；根据所述位线的电压电平的变化来测量将被读取的所述单元的编程； 根据所述位线的所述电压电平来读出在所述单元中存储的数据；以及 将所述读出的数据存储在寄存器中。3. 如权利要求2所述的方法，其中，对所述位线进行预充电包括通过页面緩冲器的预充电电路将读出结点预充电到所述高电平；以及将第一电压施加到位线读出电路的位线读出晶体管，从而将预充电到 所述高电平的所述读出结点耦合到给定的位线。4. 如权利要求2所述的方法，其中，对所述位线进行预充电包括 通过页面緩冲器的预充电电路将读出结点预充电到所述高电平；以及将第一电压施加到位线选择电路的位线选择晶体管，从而将预充电到 所述高电平的所述读出结点耦合到特定位线。5. 如权利要求2所述的方法，其中，对所述读出的数据进行存储包括将小于所述第一电压的第二电压施加到位线读出电路的位线读出晶 体管；根据所述位线的电压电平来确定所述位线读出晶体管的激活；当所述位线读出晶体管被激活时，将预充电到所述高电平的所述读出 结点放电到低电平；当所述位线读出晶体管被去活时，使所述预充电的读出结点维持在所述高电平；以及根据所述读出结点的电压电平来确定在所述寄存器的给定结点中存 储的数据电平。6. 如权利要求2所述的方法，其中，对所述读出的数据进行存储包括将小于第一电压的第二电压施加到位线选择电路的位线选择晶体管；根据所述位线的电压电平来确定所述位线选择晶体管的激活；当所述位线选择晶体管被激活时，将预充电到所述高电平的所述读出 结点放电到低电平；当所述位线选择晶体管被激活时，使所述预充电的读出结点维持在所 述高电平；以及根据所述读出结点的所述电压电平来确定在所述寄存器的给定结点 中存储的数据电平。7. 如权利要求l所述的方法，其中，检测所述第二存储单元中的所 述第三存储单元包括对耦合到将被读取的特定单元的字线施加高于所述第 一校验电压的 所述第二校验电压；将读出结点预充电到高电平；根据所述位线的电压电平来测量所述单元的编程；根据所述位线的所述电压电平来读出在所述单元中存储的数据；以及将所述读出的数据存储在寄存器中。8. 如权利要求7所述的方法，其中，在所述寄存器中存储所述读出 的数据包括将小于第一电压的第二电压施加到位线读出电路的位线读出晶体管；根据所述位线的所述电压电平来确定所述位线读出晶体管的激活；当所述位线读出晶体管被激活时，将预充电到所述高电平的所述读出 结点放电到l氐电平；当所述位线读出晶体管被去活时，使所述预充电的读出结点维持在所 述高电平；以及根据所述读出结点的所述电压电平来确定在所述寄存器的给定结点 中存储的数据电平。9. 如权利要求8所述的方法，其中，当所述单元是伪编考呈单元时， 将所述读出结点放电到所述低电平；而当所述单元是编程禁止单元或被编 程到大于所述第二校验电压的电压时，使所述读出结点维持在所述高电 平。10. 如权利要求7所述的方法，其中，在所述寄存器中存储所述读出 的数据包括将小于第一电压的第二电压施加到位线选择电路的位线选择晶体管；根据所述位线的所述电压电平来确定所述位线选择晶体管的激活；当所述位线选择晶体管被激活时，将预充电到所述高电平的所述读出 结点放电到低电平；当所述位线选择晶体管被去活时，使所述预充电的读出结点维持在所 述高电平；以及根据所述读出结点的所述电压电平来确定在所述寄存器的特定结点 中存储的数据电平。11. 如权利要求10所述的方法，其中，当所述单元是伪编程单元时， 将所述读出结点放电到所述低电平；而当所述单元是编程禁止单元或被编 程到大于所述第二校验电压的电压时，使所述读出结点维持在所述高电 平。12. —种对非易失存储器件中的单元进行编程的方法，所述方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴镇寿，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]