一种背光型MiniLED芯片及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种背光型Mini LED芯片及其制造方法，根据Mini LED芯片的预设排列方式在每一个芯片的背光反射层上光刻与预设排列方式形状对应的光栅，能够控制Mini LED芯片的光型，并且芯片的光栅形状与芯片预设排列方式对应，能够增加芯片分区，相当于增加芯片的排列密度，保证目视分辨率体验增大，增加人眼感知分辨度，从而提高芯片显示效果；通过调整光栅的宽度改变芯片垂直出光与侧出光的比例，从而调整芯片的出光角度和出光强度，进一步提高Mini LED芯片的控制效果和显示效果。LED芯片的控制效果和显示效果。LED芯片的控制效果和显示效果。

【技术实现步骤摘要】
一种背光型Mini LED芯片及其制造方法


[0001]本专利技术涉及LED制造领域，特别涉及一种背光型Mini LED芯片及其制造方法。

技术介绍

[0002]目前，直下式Mini LED背光可以有效提升LCD的色彩和对比度表现，成为未来LCD背光的主要形式。
[0003]但是这种直下式的LED背光形式，对LED芯片的要求也有所不同。现有的背光Mini LED，一般为完全背面出光或者是完全侧面出光，若将其作为直下式Mini LED背光，存在光型控制困难、模组匹配调试繁琐且显示效果较差等问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是：提供了一种背光型Mini LED芯片及其制造方法，能够提高背光型Mini LED芯片的控制效果和显示效果。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：
[0006]一种背光型Mini LED芯片制造方法，包括步骤：
[0007]根据Mini LED芯片的预设排列方式在每一个所述芯片的背光反射膜层上光刻与所述预设排列方式形状对应的光栅；
[0008]通过调整光栅的宽度改变所述芯片垂直出光与侧出光的比例，得到具有光栅的Mini LED芯片。
[0009]为了解决上述技术问题，本专利技术采用另一种的技术方案为：
[0010]一种背光型Mini LED芯片，包括背面遮光反射层、衬底层、倒装芯片；
[0011]所述背面遮光反射层位于所述衬底层一端；
[0012]所述倒装芯片位于所述衬底层远离所述背面遮光反射层的一端；
[0013]所述背面遮光反射层中包含与Mini LED芯片预设排列方式形状对应的光栅。
[0014]本专利技术的有益效果在于：根据Mini LED芯片的预设排列方式在每一个芯片的背光反射层上光刻与预设排列方式形状对应的光栅，能够控制Mini LED芯片的光型，并且芯片的光栅形状与芯片预设排列方式对应，能够增加芯片分区，相当于增加芯片的排列密度，保证目视分辨率体验增大，增加人眼感知分辨度，从而提高芯片显示效果；通过调整光栅的宽度改变芯片垂直出光与侧出光的比例，从而调整芯片的出光角度和出光强度，进一步提高Mini LED芯片的控制效果和显示效果。
附图说明
[0015]图1为本专利技术实施例的一种背光型Mini LED芯片制造方法的流程图；
[0016]图2为本专利技术实施例的一种背光型Mini LED芯片的结构示意图；
[0017]图3为本专利技术实施例的一种背光型Mini LED芯片矩阵排列且光栅为十字型的示意图；
[0018]图4为本专利技术实施例的一种背光型Mini LED芯片矩阵排列且光栅为口字型的示意图；
[0019]图5为本专利技术实施例的一种背光型Mini LED芯片菱形排列且光栅为X型的示意图；
[0020]标号说明：
[0021]1、背面反射膜层；2、衬底层；3、倒装芯片；4、芯片焊接结合电极；5、光栅；6、芯片间隙侧出光区域。
具体实施方式
[0022]为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0023]请参照图1、图3至图5，本专利技术实施例提供了一种背光型Mini LED芯片制造方法，包括步骤：
[0024]根据Mini LED芯片的预设排列方式在每一个所述芯片的背光反射膜层上光刻与所述预设排列方式形状对应的光栅；
[0025]通过调整光栅的宽度改变所述芯片垂直出光与侧出光的比例，得到具有光栅的Mini LED芯片。
[0026]从上述描述可知，本专利技术的有益效果在于：根据Mini LED芯片的预设排列方式在每一个芯片的背光反射层上光刻与预设排列方式形状对应的光栅，能够控制Mini LED芯片的光型，并且芯片的光栅形状与芯片预设排列方式对应，能够增加芯片分区，相当于增加芯片的排列密度，保证目视分辨率体验增大，增加人眼感知分辨度，从而提高芯片显示效果；通过调整光栅的宽度改变芯片垂直出光与侧出光的比例，从而调整芯片的出光角度和出光强度，进一步提高Mini LED芯片的控制效果和显示效果。
[0027]进一步地，所述预设排列方式形状对应的光栅包括：
[0028]若所述预设排列方式为矩形矩阵排列，则光栅为垂直于芯片四边且相交于芯片中心点的十字线，或者所述光栅为以所述芯片中心点为中心的口字型光栅；
[0029]若所述预设排列方式为菱形阵列排列，则光栅为芯片两个对角线的连线。
[0030]由上述描述可知，若芯片的预设排列方式为矩形矩阵排列，光栅为垂直于芯片四边且相交于芯片中心点的十字线，或者为以芯片中心点为中心的口字型光栅，若预设排列方式为菱形阵列排列，光栅为芯片两个对角线的连线，因此芯片内的分割与芯片排列保持水平一致，光刻光栅后目视分辨率体验增大，相当排列密度增加，能够提高人眼目视感受的分辨度。
[0031]进一步地，所述通过调整光栅的宽度改变所述芯片垂直出光与侧出光的比例包括：
[0032]判断芯片的侧出光是否大于垂直出光，若是，则增加光栅的宽度，否则，减少光栅的宽度。
[0033]由上述描述可知，当芯片侧面出光偏多，即芯片正上方亮度偏低时可以增加光栅宽度，尤其适用于高密度高像素背光；当芯片侧面出光偏少，可以减少芯片光栅宽度，从而调整侧面光和正面光的比例，将整体出光一致性调整到均匀。
[0034]进一步地，所述根据Mini LED芯片的预设排列方式在每一个所述芯片的背光反射
膜层上光刻与所述预设排列方式形状对应的光栅包括：
[0035]在衬底层的一端生长氮化镓基外延片；
[0036]在所述氮化镓基外延片远离所述衬底层的一端加工倒装芯片，得到晶圆；
[0037]对所述晶圆的衬底层远离所述氮化镓基外延片的一端进行精抛，使用背对位方法对光刻板和精抛后的晶圆的已有图形进行对位；
[0038]对所述对位后的晶圆进行曝光和显影，将所述预设排列方式形状对应的光栅图形通过光刻胶转移到所述衬底层远离所述氮化镓基外延片的一端；
[0039]按预设材料顺序对所述衬底层远离所述氮化镓基外延片的一端进行金属溅射蒸镀，将所述光栅图形对应位置的金属进行剥离去除，得到光刻后的背光反射膜层。
[0040]由上述描述可知，由于正装芯片，正面电极朝上会遮掉部分光，发光效率降低，因此在外延片远离衬底层的一端加工倒装芯片，能够提高芯片的发光效率；使用光刻背对位的方法能够准确地进行晶圆对位，并且通过曝光、显影、光栅图形的转移、背光反射膜层的金属蒸镀和光栅位置的金属剥离，能够在背光反射膜层上实现光栅光刻，提高显示效率。
[0041]进一步地，所述预设材料顺序依次为：镍、银、镍、钛钨、镍和钛钨。
[0042]由上述描述可知，按照镍、银、镍、钛钨、镍和钛钨的顺序进行金属蒸镀，因此光栅本身是反光的，不会导致芯片光衰，提高显示效率。
[0043]进一步地，所述使用背本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种背光型Mini LED芯片制造方法，其特征在于，包括步骤：根据Mini LED芯片的预设排列方式在每一个所述芯片的背光反射膜层上光刻与所述预设排列方式形状对应的光栅；通过调整光栅的宽度改变所述芯片垂直出光与侧出光的比例，得到具有光栅的Mini LED芯片。2.根据权利要求1所述的一种背光型Mini LED芯片制造方法，其特征在于，所述预设排列方式形状对应的光栅包括：若所述预设排列方式为矩形矩阵排列，则光栅为垂直于芯片四边且相交于芯片中心点的十字线，或者所述光栅为以所述芯片中心点为中心的口字型光栅；若所述预设排列方式为菱形阵列排列，则光栅为芯片两个对角线的连线。3.根据权利要求1所述的一种背光型Mini LED芯片制造方法，其特征在于，所述通过调整光栅的宽度改变所述芯片垂直出光与侧出光的比例包括：判断芯片的侧出光是否大于垂直出光，若是，则增加光栅的宽度，否则，减少光栅的宽度。4.根据权利要求1所述的一种背光型Mini LED芯片制造方法，其特征在于，所述根据Mini LED芯片的预设排列方式在每一个所述芯片的背光反射膜层上光刻与所述预设排列方式形状对应的光栅包括：在衬底层的一端生长氮化镓基外延片；在所述氮化镓基外延片远离所述衬底层的一端加工倒装芯片，得到晶圆；对所述晶圆的衬底层远离所述氮化镓基外延片的一端进行精抛，使用背对位方法对光刻板和精抛后的晶圆的已有图形进行对位；对所述对位后的晶圆进行曝光和显影，将所述预设排列方式形状对应的光栅图形通过光刻胶转移到所述衬底层远离所述氮化镓基外延片的一端；按预设材料顺序对所述衬底层远离所述氮化镓基外延片的一端进行金属溅射蒸镀，将所述光栅图形对应位置的金属进行剥离去除，得到光刻后的背...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴永胜，张帆，齐佳鹏，张婷芳，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：发明
国别省市：