一种采用LED光源进行照明的黄光室工作灯制造技术

本实用新型专利技术公开了一种采用LED光源进行照明的黄光室工作灯，包括外壳、基板、固晶层、金线、电路、配光元件、LED光源和一次光学透镜，LED光源由若干颗LED芯片组成，若干颗LED芯片由1~2颗红光LED芯片和1~4颗黄光LED芯片组成。本实用新型专利技术直接采用LED芯片光源，LED芯片为AlGaInP材料体系制备的红光LED芯片和AlInGaN材料体系制备的黄光LED芯片。通过本实用新型专利技术，从源头上完全解决了500nm以下波段蓝紫光对曝光过程的影响，同时避免了传统黄灯采用荧光灯加黄色荧光粉而给人带来的蓝光危害、人眼不适等问题，实现了低色温、高显色指数、高光效、安全的黄光室用灯。全的黄光室用灯。全的黄光室用灯。

【技术实现步骤摘要】
一种采用LED光源进行照明的黄光室工作灯


[0001]本技术涉及LED照明
，尤其是涉及一种采用LED光源进行照明的黄光室工作灯。

技术介绍

[0002]近年来随着LED制造技术的不断发展，LED光源在照明领域的应用范围不断扩张推广，特别是在商业节能照明领域，相较于传统光源，LED光源不论是在室内照明还是室外照明都具有更大的优势，在市场销售的占比也不断增加。相比于传统照明光源，以半导体元件所制成的LED作为目前较为节能的优质光源，具有发光效率高、显色指数好、工作寿命长、安全节能、健康环保等优势，因此，现行许多照明器具多改以LED作为优先考虑。
[0003]黄光室是半导体制造领域进行IC晶片微影成像术的区域，为了避免其他灯光对光刻曝光过程的影响，通常需要保证在一个相对封闭的环境且将500 nm以下的短波长过滤去除，因此光刻室的灯光效果常呈现出黄色，故称之为黄光室。目前，市面上半导体黄光室常用光源大多是传统的荧光灯管内壁涂上一层黄色荧光粉，利用黄色荧光粉把荧光灯所发出的500 nm以下的短波长的蓝紫光过滤去除。利用这种方法制造的黄灯往往存在蓝光危害、人眼不适应、光效低、显色性差，以及因荧光粉使用带来的可靠性低、寿命短等诸多问题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种采用LED光源进行照明的黄光室工作灯，该黄光室工作灯既符合黄光室对光源革除500 nm以下波长蓝紫光的要求，同时还能提供一个舒适、安全的半导体制造工作环境。
[0005]本技术的目的是这样实现的：
[0006]一种采用LED光源进行照明的黄光室工作灯，包括外壳、基板、固晶层、金线、电路、配光元件，其特征在于：还包括LED光源和一次光学透镜，LED光源由若干颗LED芯片组成，若干颗LED芯片由1~2颗红光LED芯片和1~4颗黄光LED芯片组成，其中：红光LED芯片的峰值波长范围为610~650 nm，黄光LED芯片的峰值波长范围为560 ~580 nm，红光与黄光的光功率比值为1.5~3.5，若干LED芯片为串联连接，单一恒流驱动；LED芯片通过固晶层分别固定在外壳内的基板上，每颗LED芯片的引脚两端通过金线分别与基板上的电路固定连接，一次光学透镜安装在基板上。
[0007]在上述方案基础上，所述LED光源采用无荧光粉技术，直接采用LED芯片光源，LED芯片为AlGaInP材料体系制备的红光LED芯片和AlInGaN材料体系制备的黄光LED芯片。
[0008]在上述方案基础上，所述一次光学透镜的材质为硅胶、环氧树脂、聚氨酯中的一种，一次光学透镜的材质还可以为内部掺杂二氧化硅或二氧化钛微纳米散射颗粒的硅胶、环氧树脂或聚氨酯中的一种。一次光学透镜的形貌为球帽、自由曲面或表面微结构阵列中的一种。
[0009]在上述方案基础上，所述配光元件安装在外壳的上面并实现对LED光源的密封保
护，其材质为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)或玻璃中的一种。
[0010]本技术的特点是：直接采用高光效垂直结构LED芯片作为照明光源，黄光是红光LED芯片与黄光LED芯片直接混光合成，不存在500 nm以下波段的光谱，更好地符合黄光室对光源的要求，从源头上完全避免了500nm以下波段的蓝紫光对半导体曝光制备过程中的影响；同时无荧光粉型LED解决了传统采用荧光灯加黄色荧光粉的黄光室荧光灯给人带来的蓝光危害、人眼不适、光效低、显色性差等问题，以及因荧光粉使用带来的可靠性低、寿命短等诸多问题，实现了低色温、高显色指数、高光效、安全的黄光室用灯，为黄光室工作人员提供舒适、安全的一个工作环境。
[0011]因此，本技术具有无蓝紫光、低色温、高显色指数、高光效、安全等特点，是代替原来黄灯的一个很好的解决方案，在半导体制造照明领域具有广泛的应用前景。
附图说明
[0012]图1为本技术实施例1 LED光源的结构示意图；
[0013]图2为本技术实施例1 LED灯具结构的主视示意图；
[0014]图3为本技术实施例1 多基色LED芯片在封装基板上分布的示意图；
[0015]图4为本技术实施例1 的光谱图；
[0016]图5为本技术实施例1 LED灯具结构的俯视示意图；
[0017]图6为本技术实施例2 LED光源的结构示意图；
[0018]图7为本技术实施例3 LED光源的结构示意图。
具体实施方式
[0019]下面通过借助实施例更加详细地说明本专利技术，但以下实施例仅是说明性的，本技术的保护范围并不受这些实施例的限制。
[0020]实施例1：
[0021]如图1所示，一种黄光室工作灯所采用的LED光源，包括LED芯片1、固晶层2、基板3、金线4、电路5、球帽透镜6，其中四颗LED芯片1呈间隔排列并通过固晶层2分别固定在基板3上，LED芯片1的引脚两端通过金线4分别与基板上的电路5固定连接，基板3上安装有球帽硅胶透镜6（即一次光学透镜）。
[0022]如图2所示，一种采用LED光源进行照明的黄光室工作灯，包括若干LED光源21、基板22、外壳23、电线24、电源模块25、配光元件26，LED光源21由若干颗LED芯片1组成，LED光源21通过焊料安装在基板22上，基板22通过机械连接的方式固定在外壳23上，基板22上的电路通过电线24与电源模块25连接，电源模块通过机械连接的方式固定在外壳23上，且在外壳23的上面安装配光元件26，配光元件26为玻璃材质。
[0023]如图3所示，4颗LED芯片由2颗红光LED芯片11和2颗黄光LED芯片12组成，红光LED芯片11为AlGaInP材料体系制备的垂直结构红光LED芯片，其峰值波长范围为610~650 nm，黄光LED芯片12为AlInGaN材料体系制备的垂直结构黄光LED芯片，其峰值波长范围为560~580 nm。
[0024]如图4所示为本实施例按照红光LED芯片11和黄光LED芯片12光功率比值为1：1合成的光谱图，最终得到的LED光源色温为2200K。
[0025]图5为本专利技术实施例1 应用于半导体制造黄光室照明的LED灯具的俯视图，8颗LED光源21呈矩形方式排列。
[0026]实施例2：
[0027]图6为本实施例LED灯具光源的结构示意图，与实施例1唯一不同之处在于：LED光源采用表面微结构硅胶凹透镜36。
[0028]实施例3：
[0029]图7为本实施例LED灯具光源的结构示意图，与实施例1唯一不同之处在于：LED光源采用表面微结构硅胶凸透镜46。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种采用LED光源进行照明的黄光室工作灯，包括外壳、基板、固晶层、金线、电路、配光元件，其特征在于：还包括LED光源和一次光学透镜，LED光源由若干颗LED芯片组成，若干颗LED芯片由1~2颗红光LED芯片和1~4颗黄光LED芯片组成，其中：红光LED芯片的峰值波长范围为610~650 nm，黄光LED芯片的峰值波长范围为560 ~580 nm，红光与黄光的光功率比值为...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊云，张建立，郭醒，
申请(专利权)人：南昌大学，
类型：新型
国别省市：